2 polegadas de Wafer SiC 4H N tipo 6H-N tipo 4H tipo Semi 6H tipo Semi Duplo lado polido

Descrição do produto:

A wafer de carburo de silício é um material de alto desempenho que é usado na produção de dispositivos eletrônicos.É feito de uma camada de carburo de silício em cima de uma bolacha de silício e está disponível em diferentes grausO wafer tem uma planitude de Lambda/10, o que garante que os dispositivos eletrônicos feitos a partir do wafer são da mais alta qualidade e desempenho.A Wafer de Carbono de Silício é um material ideal para uso em eletrônicos de potênciaFornecemos wafers de SiC de alta qualidade para a indústria eletrônica e optoeletrónica.

Caráter:

A bolacha SIC (Carbido de Silício) é um tipo de bolacha semicondutora baseada em material de carburo de silício.

1. Maior condutividade térmica: A bolacha SIC tem uma condutividade térmica muito maior do que o silício, o que significa que as bolhas SIC podem dissipar o calor de forma eficaz e são adequadas para operação em ambientes de alta temperatura.

2Mobilidade eletrônica superior:A bolacha SIC tem maior mobilidade eletrônica do que o silício, permitindo que os dispositivos SIC operem a velocidades mais altas.

3Voltagem de ruptura superior:O material de wafer SIC tem uma tensão de quebra mais elevada, tornando-o adequado para a fabricação de dispositivos semicondutores de alta tensão.

4- Maior estabilidade química:A bolacha SIC apresenta maior resistência à corrosão química, contribuindo para uma maior confiabilidade e durabilidade dos dispositivos.

5- Mais larga banda:A bolacha SIC tem uma faixa mais larga do que o silício, permitindo que os dispositivos SIC funcionem melhor e mais estavelmente em altas temperaturas.

6Melhor resistência à radiação:As placas SIC têm uma maior resistência à radiação, tornando-as adequadas para utilização em ambientes de radiação

como naves espaciais e instalações nucleares.

7- Dureza superior:A wafer SIC é mais dura que o silício, aumentando a durabilidade das wafers durante o processamento.

8Constante dielétrica inferior:A bolacha SIC tem uma constante dielétrica menor do que o silício, ajudando a reduzir a capacitância parasitária nos dispositivos e melhorar o desempenho de alta frequência.

9Velocidade de deriva de elétrons de saturação mais elevada:A bolacha SIC tem uma velocidade de deriva de elétrons de saturação maior do que o silício, dando aos dispositivos SIC uma vantagem em aplicações de alta frequência.

10Densidade de potência superior:Com as características acima mencionadas, os dispositivos de wafer SIC podem alcançar uma potência de saída maior em tamanhos menores.

Aplicações:

1Eletrônicos de potência: as placas de SiC são amplamente utilizadas em dispositivos eletrônicos de potência, como conversores de potência, inversores,e interruptores de alta tensão devido às suas características de alta tensão de ruptura e baixa perda de potência.
Veículos Elétricos: as bolhas de SiC são utilizadas na eletrônica de potência de veículos elétricos para melhorar a eficiência e reduzir o peso, permitindo carregamento mais rápido e autonomia maior.
2Energia renovável: as wafers de SiC desempenham um papel crucial em aplicações de energia renovável, como inversores solares e sistemas de energia eólica, aumentando a eficiência e a confiabilidade da conversão de energia.
3Aeronáutica e Defesa: as wafers de SiC são essenciais nas indústrias aeroespacial e de defesa para aplicações de alta temperatura, alta potência e resistência à radiação,Incluindo sistemas de potência de aeronaves e sistemas de radar.
4Motor industrial: as placas de SiC são empregadas em motores industriais para melhorar a eficiência energética, reduzir a dissipação de calor e aumentar a vida útil dos equipamentos.
5Comunicação sem fio: as wafers de SiC são usadas em amplificadores de potência de RF e aplicações de alta frequência em sistemas de comunicação sem fio, oferecendo maior densidade de potência e melhor desempenho.
6Eletrónica de alta temperatura: as placas de SiC são adequadas para aplicações de eletrónica de alta temperatura, onde os dispositivos de silício convencionais podem não funcionar de forma fiável,como na perfuração de buracos e nos sistemas de controlo de motores automóveis.
7Dispositivos médicos: os wafers de SiC encontram aplicações em dispositivos médicos como máquinas de ressonância magnética e equipamentos de raios-X devido à sua durabilidade, alta condutividade térmica e resistência à radiação.
8Investigação e Desenvolvimento:As placas de SiC são utilizadas em laboratórios de investigação e instituições académicas para desenvolver dispositivos semicondutores avançados e explorar novas tecnologias no domínio da electrónica.
9Outras aplicações: as wafers de SiC também são empregadas em áreas como sensores de ambiente áspero, lasers de alta potência e computação quântica devido às suas propriedades únicas e vantagens de desempenho.

Personalização:

Oferecemos serviços de personalização para partículas, material, grau, orientação e diâmetro.O nosso Wafer de Carbono de Silício vem com orientação no eixo ou fora do eixo dependendo da sua exigênciaVocê também pode escolher o diâmetro da wafer de carburo de silício que você precisa.

A Wafer de Carbono de Silício está disponível em diferentes graus, incluindo Produção, Pesquisa e Dummy.A bolacha de nível de produção é utilizada na produção de dispositivos eletrónicos e é da mais alta qualidadeA wafer de grau de pesquisa é usada para fins de pesquisa, enquanto a wafer de grau Dummy é usada para fins de teste e calibração.Incluindo 4H, que é o tipo mais comum utilizado em dispositivos eletrónicos.

  Perguntas frequentes:

P: Como fazer uma bolacha de SiC?
R: O processo envolve a conversão de matérias-primas como areia de sílica em silício puro.,e a limpeza e preparação das placas para utilização em dispositivos de semicondutores.

P: Qual é o processo de fabricação do SiC?
O carburo de silício (SiC) é um composto de silício e carbono com fórmula química de SiC.O processo de fabricação mais simples para produzir carburo de silício é combinar areia de sílica e carbono em um forno de resistência elétrica de grafite Acheson a alta temperatura, entre 1600°C (2910°F) e 2500°C (4530°F).

P: Quais são os usos da bolacha de carburo de silício?
R: Na electrónica, os materiais SiC são utilizados com diodos emissores de luz (LEDs) e detectores.As bolhas de SiC são usadas em dispositivos eletrônicos que operam a altas temperaturas, de alta tensão, ou ambos.

Recomendação do produto:

1.Wafer SiC de 8 polegadas

2.Substrato SiC de 2 polegadas, 3 polegadas e 4 polegadas, espessura 330um, tipo 4H-N, grau de produção