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6H-N Semi-isolação SiC Substarte / Wafer Para MOSFETs、JFETs BJTs Alta Resistividade Larga Bandgap
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | 4H Substrato/wafer de SiC semi-isolante |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2 a 4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Grau: | Grau de Produção Grau de Pesquisa Grau Dummy Grau | Diâmetro: | 100.0 mm +/- 0,5 mm |
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| Espessura: | 500 um +/- 25 um (tipo semi-isolante), 350 um +/- 25 um (tipo N) | Orientação da bolacha: | No eixo: <0001> +/- 0,5 deg para 4H-SI Fora do eixo: 4,0 deg para <11-20> +/- 0,5 deg para 4H-N |
| Resistividade elétrica (Ohm-cm): | 4H-N 0,015 ~ 0,028 4H-SI> 1E5 | Concentração de doping: | Tipo N: ~ 1E18/cm3 Tipo SI (dopado em V): ~ 5E18/cm3 |
| Flat primário: | 32.5 mm +/- 2,0 mm | Comprimento liso secundário: | 18.0 mm +/- 2,0 mm |
| Orientação lisa secundária: | Silício virado para cima: 90 graus CW do plano primário +/- 5,0 graus | ||
| Realçar: | 6H-N Semi-isolante SiC Substarte,6H-N Wafer de SiC semi-isolante,Substarte semi-isolante SiC de banda larga |
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Descrição de produto
6H-N Substrato/wafer de SiC semi-isolante para MOSFETs, JFETs, BJTs, banda larga de alta resistividade
Resumo do substrato/wafer de SiC semisolador
Os substratos/wafers de carburo de silício (SiC) semi-isolantes surgiram como materiais cruciais no domínio dos dispositivos eletrónicos avançados.Alta condutividade térmicaEste resumo fornece uma visão geral das propriedades e aplicações dos substratos/wafers de SiC semi-isolantes.Discuta o seu comportamento semi-isolador, que inibe a livre circulação de elétrons, melhorando assim o desempenho e a estabilidade dos dispositivos electrónicos.A banda larga de SiC permite altas velocidades de deriva de elétrons e saturaçãoAlém disso, a excelente condutividade térmica do SiC assegura uma dissipação de calor eficiente,que o tornam adequado para utilização em ambientes operativos adversosA estabilidade química e a dureza mecânica do SiC aumentam ainda mais a sua fiabilidade e durabilidade em várias aplicações.Substratos/wafers de SiC semi-isolantes oferecem uma solução convincente para o desenvolvimento de dispositivos eletrónicos de próxima geração com desempenho e fiabilidade melhorados.
Semi-isolação do substrato/wafer de SiC
Diagrama de dados do substrato/wafer de SiC semi-isolante (parcialmente)
| Os principais parâmetros de desempenho | |
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Nome do produto
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Substrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer de SiC, substrato de SiC
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Método de crescimento
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MOCVD
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Estrutura cristalina
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6H, 4H
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Parâmetros da malha
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6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å),
4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å) |
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Sequência de empilhamento
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6H: ABCACB,
4H: ABCB |
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Grau
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Grau de produção, grau de investigação, grau de simulação
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Tipo de condutividade
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Tipo N ou semi-isolante |
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Fenda de banda
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3.23 eV
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Dureza
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9.2 (Mohs)
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Conductividade térmica @300K
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3.2~4.9 W/cm.K
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Constantes dielétricas
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e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
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Resistividade
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4H-SiC-N: 0,015 a 0,028 Ω·cm, 6H-SiC-N: 0,02 a 0,1 Ω·cm, 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm |
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Embalagem
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Saco limpo de classe 100, sala limpa de classe 1000
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| Especificação padrão | |||||
| Nome do produto | Orientação | Tamanho normal | Espessura | Poluição | |
| Substrato de 6H-SiC Substrato de 4H-SiC |
<0001> <0001> 4° de desvio para <11-20> < 11-20> < 10 a 10> Outros aparelhos de televisão |
10x10 mm 10x5 mm 5x5 mm 20x20 mm φ2" x 0,35 mm φ3" x 0,35 mm φ4" x 0,35 mm φ4" x 0,5 mm φ6" x 0,35 mm Ou outros. |
0.1 mm 0.2 mm 0.5 mm 1.0 mm 2.0 mm Ou outros. |
Boa terra Polida de lado único Polido de duas faces Resistência à corrosão: |
Inquérito OLinha |
Aplicações essenciais:
Os substratos/wafers de carburo de silício (SiC) semi-isolantes encontram diversas aplicações em vários dispositivos eletrônicos de alto desempenho.
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Eletrónica de Potência:Os substratos de SiC semi-isolantes são amplamente utilizados no fabrico de dispositivos de potência, como os transistores de efeito de campo de óxido metálico-semicondutores (MOSFETs),Transistores de efeito de campo de junção (JFET), e Bipolar Junction Transistors (BJTs). O amplo intervalo de banda do SiC permite que esses dispositivos operem a temperaturas e tensões mais elevadas,Resultando em melhoria da eficiência e redução das perdas nos sistemas de conversão de energia para aplicações como veículos elétricos, energias renováveis e fontes de alimentação industrial.
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Dispositivos de radiofrequência (RF):As placas de SiC são utilizadas em dispositivos de RF como amplificadores de potência de microondas e switches de RF. A alta mobilidade eletrônica e velocidade de saturação do SiC permitem o desenvolvimento de dispositivos de alta frequência,Dispositivos RF de alta potência para aplicações como comunicação sem fios, sistemas de radar e comunicações por satélite.
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Optoeletrónica:Os substratos de SiC semi-isolantes são utilizados na fabricação de fotodetectores ultravioleta (UV) e diodos emissores de luz (LED).A sensibilidade do SiC à luz UV torna-o adequado para aplicações de detecção UV em áreas como detecção de chama, esterilização UV e monitorização ambiental.
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Eletrónica de alta temperatura:Os dispositivos de SiC operam de forma confiável a temperaturas elevadas, tornando-os adequados para aplicações de alta temperatura, como aeroespacial, automotivo e perfuração de poços.Os substratos de SiC são utilizados para fabricar sensores, actuadores e sistemas de controlo que possam suportar condições de funcionamento adversas.
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Fotônica:Os substratos de SiC são utilizados no desenvolvimento de dispositivos fotônicos, como switches ópticos, moduladores e guias de onda.O amplo espaço de banda do SiC e a sua elevada condutividade térmica permitem a fabricação de, dispositivos fotónicos de alta velocidade para aplicações em telecomunicações, sensores e computação óptica.
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Aplicações de alta frequência e alta potência:Os substratos de SiC são utilizados na produção de dispositivos de alta frequência e alta potência, como diodos Schottky, tiristores e transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT).Estes dispositivos encontram aplicações em sistemas de radar, infra-estruturas de comunicação sem fios e aceleradores de partículas.
Em resumo, os substratos/wafers de SiC semi-isolantes desempenham um papel crucial em várias aplicações eletrónicas, oferecendo um desempenho superior, fiabilidade,e eficiência em comparação com os materiais semicondutores tradicionaisA sua versatilidade faz com que sejam a escolha preferida para sistemas electrónicos de próxima geração em vários sectores.
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