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Quadrado SiC Windows Substrato de carburo de silício 1x1x0.5mmt Lente SiC
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | ZMKJ |
| Certificação: | ROHS |
| Número do modelo: | 1x1x0.5mmt |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 500PCS |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 3 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1-50000000pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | Tipo 4H-N de cristal sic único | Categoria: | Categoria zero, da pesquisa, e do Dunmy |
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| Thicnkss: | 0,1 0,2 0,3 0,35 0,43 0,5 | Aplicação: | Veículos novos da energia |
| Diâmetro: | 2-8inch ou 1x1x0.5mmt, 1x1x0.3mmt: | cor: | Chá ou transpraent verde |
| Realçar: | Janela SiC quadrada,Substrato de carburo de silício quadrado,Wafer de carburo de silício tipo 4H-N |
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Descrição de produto
Wafer de carburo de silício óptico 1/2/3 polegada SIC Wafer para venda Sic Plate Silicon Wafer Flat Orientation Empresas para venda 4 polegadas 6 polegadas semente sic wafer 1.0 mm Espessura 4h-N SIC Wafer de Carbono de Silício Para crescimento de sementes 6H-N/6H-Semi 4H HPSI 5*10mmt 10x10mmt 5*5mm polido chips de substrato de Carbono de Silício sic Wafer
Sobre o cristal de carburo de silício (SiC)
O carburo de silício (SiC), ou carborundo, é um semicondutor que contém silício e carbono com a fórmula química SiC.alta tensãoO SiC é também um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o crescimento de dispositivos GaN e também serve como um dispersor de calor em LEDs de alta potência.
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Imóveis
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4H-SiC, cristal único
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6H-SiC, cristal único
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Parâmetros da malha
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a=3,076 Å c=10,053 Å
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a=3,073 Å c=15,117 Å
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Sequência de empilhamento
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ABCB
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ABCACB
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Dureza de Mohs
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≈9.2
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≈9.2
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Densidade
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30,21 g/cm3
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30,21 g/cm3
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Coeficiente de expansão térmica
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5 × 10 × 6/K
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5 × 10 × 6/K
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Índice de refração @750nm
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não = 2.61
ne = 2.66 |
não = 2.60
ne = 2.65 |
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Constante dielétrica
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c~9.66
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c~9.66
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Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm)
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a~ 4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K |
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Condutividade térmica (semisulante)
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a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K |
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Fenda de banda
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3.23 eV
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30,02 eV
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Campo elétrico de ruptura
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3 a 5 × 106 V/cm
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3 a 5 × 106 V/cm
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Velocidade da deriva de saturação
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2.0×105m/s
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2.0×105m/s
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Carbono de silício (SiC) de alta pureza de 4 polegadas de diâmetro Especificação do substrato
| 2 polegadas de diâmetro de carburo de silício (SiC) Especificação do substrato | ||||||||||
| Grau | Grau zero de MPD | Grau de produção | Grau de investigação | Grau de simulação | ||||||
| Diâmetro | 500,8 mm±0,2 mm | |||||||||
| Espessura | 330 μm±25 μm ou 430±25 μm | |||||||||
| Orientação da wafer | Fora do eixo: 4,0° para < 1120> ± 0,5° para 4H-N/4H-SI No eixo: < 0001> ± 0,5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | |||||||||
| Densidade dos microtubos | ≤ 0 cm-2 | ≤ 5 cm-2 | ≤ 15 cm-2 | ≤ 100 cm-2 | ||||||
| Resistividade | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | ||||||||
| 6H-N | 00,02 a 0,1 Ω•cm | |||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Flat primário | {10-10} ± 5,0° | |||||||||
| Duração plana primária | 18.5 mm±2.0 mm | |||||||||
| Duração plana secundária | 100,0 mm±2,0 mm | |||||||||
| Orientação plana secundária | Silício virado para cima: 90° CW. a partir de Prime flat ±5,0° | |||||||||
| Exclusão da borda | 1 mm | |||||||||
| TTV/Bow/Warp | ≤ 10 μm /≤ 10 μm /≤ 15 μm | |||||||||
| Resistência à corrosão | Ra≤1 nm polaco | |||||||||
| CMP Ra≤0,5 nm | ||||||||||
| Fragmentação por luz de alta intensidade | Nenhum | 1 permitido, ≤ 2 mm | Comprimento acumulado ≤ 10 mm, comprimento único ≤ 2 mm | |||||||
| Placas hexadecimais por luz de alta intensidade | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 1% | Área acumulada ≤ 3% | |||||||
| Áreas de politipo por luz de alta intensidade | Nenhum | Área acumulada ≤ 2% | Área acumulada ≤ 5% | |||||||
| Riscos causados por luz de alta intensidade | 3 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer | 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer | 5 arranhões para 1 × comprimento acumulado do diâmetro da wafer | |||||||
| chip de borda | Nenhum | 3 permitidos, ≤ 0,5 mm cada | 5 permitidos, ≤ 1 mm cada | |||||||
Aplicações de SiC
Os cristais de carburo de silício (SiC) têm propriedades físicas e eletrônicas únicas.Aplicações resistentes à radiaçãoOs dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência feitos com SiC são superiores aos dispositivos baseados em Si e GaAs. Abaixo estão algumas aplicações populares de substratos de SiC.
Outros produtos
Wafer de 8 polegadas de SiC, de 2 polegadas.
Embalagens Logística
Nós nos preocupamos com cada detalhe da embalagem, limpeza, tratamento antiestático e choque.
De acordo com a quantidade e a forma do produto, vamos tomar um processo de embalagem diferente! Quase por cassetes de wafer único ou 25pcs cassetes na sala de limpeza de 100 graus.