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Orifícios de carburo de silício semi-isolantes SiC Substrato Orientação 0001 Arco/Warp ≤50um
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Certificação: | ROHS |
| Número do modelo: | Silicon Carbide |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2 weeks |
| Termos de pagamento: | 100%T/T |
| Habilidade da fonte: | 10000 |
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Informação detalhada |
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| Resistividade: | Resistividade alta | Diâmetro: | 2inch 3inch 4inch 6inch 8inch |
|---|---|---|---|
| Nivelamento: | Lambda/10 | Tipo: | 4H-Semi-insulting/6H-Semi-insulting |
| Condutibilidade: | Condutibilidade alta | Partícula: | Partícula livre/baixa |
| Aspereza de superfície: | ≤0.2nm | impureza: | Impureza livre/baixa |
| Realçar: | Wafer de carburo de silício de alta temperatura,Substrato de SiC semi-isolante,sic carcaça 6inch |
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Descrição de produto
Descrição do produto:
ZMSH Innovador fabricante e fornecedor de Wafers de Substrato de SiCComo o principal fabricante e fornecedor de Wafer de substrato de SiC (Carbido de Silício),A ZMSH não só oferece o melhor preço no mercado para wafers de substratos de carburo de silício de 2 e 3 polegadas., mas também fornece soluções inovadoras para dispositivos electrónicos de alta potência e alta frequência, diodos emissores de luz (LED).
O diodo emissor de luz (LED) é uma fonte de luz fria de poupança de energia que usa elétrons e furos semicondutores em combinação com componentes eletrônicos.A ampla gama de aplicações da iluminação LED tem sido reconhecida nos últimos anos devido às suas numerosas vantagens.
Para os clientes que procuram um fabricante e fornecedor confiáveis de wafers de substrato de SiC, a ZMSH é a solução única para satisfazer todas as suas necessidades.
Características:
O carburo de silício (SiC) cristal único tem excelentes propriedades de condutividade térmica, alta mobilidade de saturação de elétrons e resistência à quebra de alta tensão.
É adequado para a preparação de dispositivos eletrônicos de alta frequência, alta potência, alta temperatura e resistentes à radiação.
O cristal único de SiC tem muitas propriedades excelentes, tais como:alta condutividade térmica, alta mobilidade de elétrons saturados,eforte avaria anti-voltagem.Adequado para preparação dealta frequência, alta potência, alta temperaturaeDispositivos electrónicos resistentes à radiação.
Parâmetros técnicos:
Nome do produto: substrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer SiC, substrato de SiC
Método de crescimento: MOCVD
Estrutura cristalina: 6H, 4H
Parâmetros da rede: 6H ((a=3,073 Å c=15,117 Å), 4H ((a=3,076 Å c=10,053 Å)
Sequência de empilhamento: 6H: ABCACB, 4H: ABCB
Grau: Grau de Produção, Grau de Pesquisa, Grau Dummy
Tipo de condutividade: tipo N ou semi-isolante
Intervalo de banda: 3,23 eV
Dureza: 9,2 (mohs)
Conductividade térmica @300K: 3,2 ~ 4,9 W/ cm.K
Constantes dielétricas: e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33
Resistividade:
- 4H-SiC-N: 0,015 a 0,028 Ω·cm,
- 6H-SiC-N: 0,02 a 0,1 Ω·cm,
- 4H/6H-SiC-SI: > 1E7 Ω·cm
Embalagem: saco limpo de classe 100, sala limpa de classe 1000
Aplicações:
A wafer de carburo de silício (wafer SiC) é um material ideal para ser usado para eletrônicos automotivos, dispositivos optoeletrônicos e aplicações industriais.O Wafer SiC é composto por um substrato SiC de tipo 4H-N e um substrato SiC semi-isolante.
Na indústria automotiva, a wafer de SiC pode ser aplicada a bombear microprocessadores, microcomputadores, controle de motores e outros dispositivos eletrônicos de carros e ônibus.Pode ser utilizado no controlo do motorOs Wafers de SiC podem ser produzidos com diferentes camadas de diferentes materiais, o que os torna úteis para mais de uma função.
Além disso, o Wafer SiC é amplamente utilizado nos dispositivos optoeletrônicos, tais como lasers, detectores, LED, detectores, amplificação óptica, emissor super luminescente, fotodetectores,e outros componentes optoeletrônicosAlém disso, nas aplicações industriais, a wafer SiC pode ser usada para geração de energia óptica, troca e transmissão, incluindo energia solar, luz e monitoramento de falhas,e outros dispositivos de fibra óptica.
Apoio e Serviços:
A nossa equipa de apoio técnico é composta por engenheiros e técnicos experientes.que estão disponíveis para lhe prestar a assistência e aconselhamento de que necessita.
Fornecemos uma gama de serviços, incluindo suporte técnico, solução de problemas, instalação, manutenção e reparação.Os nossos técnicos são bem versados nas últimas tecnologias e podem ajudá-lo a tirar o máximo proveito da sua Wafer de Carbono de Silício.
Temos uma ampla rede de parceiros e fornecedores, para que possamos fornecer-lhe os melhores preços e apoio possíveis.e estamos empenhados em satisfazer as suas necessidades e exceder as suas expectativas.
Se tiver alguma dúvida ou precisar de assistência, não hesite em contactar-nos.
Embalagem e transporte:
As wafers de carburo de silício (SiC) são fatias finas de material semicondutor usado principalmente para eletrônicos de potência.É importante seguir as instruções de embalagem e transporte adequadas.
Embalagem
- As bolinhas devem ser enviadas numa embalagem segura ESD.
- Cada bolacha deve ser enrolada num material seguro para ESD, tal como uma espuma ESD ou um envoltório de bolhas.
- A embalagem deve ser selada com fita de segurança ESD.
- A embalagem deve ser rotulada com o símbolo de segurança ESD e o adesivo "Fragile".
Transportes marítimos
- O pacote deve ser enviado através de um serviço de correio confiável.
- O pacote deve ser rastreado para garantir que chegue em segurança ao seu destino.
- O pacote deve ser rotulado com o endereço de envio e informações de contacto adequados.
Perguntas frequentes:
- P: O que é a Wafer de Carbono de Silício?
- R: A Wafer de Carbono de Silício é um material semicondutor feito de átomos de silício e carbono unidos em uma rede cristalina.
- P: Qual é a marca da Wafer de Carbono de Silício?
- A: O nome da marca da Wafer de Carbono de Silício é ZMSH.
- P: Qual é o número de modelo da Wafer de Carbono de Silício?
- R: O número de modelo da Wafer de Carbono de Silício é Carbono de Silício.
- P: De onde vem a Wafer de Carbono de Silício?
- A: O Wafer de Carbono de Silício é da China.
- P: Qual é a quantidade mínima de encomenda de Wafer de Carbono de Silício?
- R: A quantidade mínima de encomenda de Wafer de Carbide de Silício é de 5.
- P: Quanto tempo é o tempo de entrega da Wafer de Carbono de Silício?
- R: O prazo de entrega da Wafer de Carbono de Silício é de 2 semanas.
- P: Quais são os termos de pagamento da Silicon Carbide Wafer?
- R: Os termos de pagamento da Wafer de Carbono de Silício são 100% T/T.
- P: Qual é a capacidade de fornecimento da Wafer de Carbono de Silício?
- R: A capacidade de abastecimento de Wafer de Carbono de Silício é de 100000.