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2 polegadas bolacha cerâmica principal do carboneto de silicone da resistência de choque térmico da carcaça do manequim de 4 polegadas sic única
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | 2inch*0.43mmt |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 3PCS |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 2weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1000pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | Tipo 4H-N de cristal sic único | Categoria: | Categoria de /Production do manequim/principal |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.43mm | Suraface: | Lustrado |
| Aplicação: | Carregando o teste | Diâmetro: | 2inch*0.43mmt |
| Cor: | Chá verde | ||
| Realçar: | Carcaça principal do manequim sic,carcaça de 4 polegadas sic,Cristal sic único térmico de resistência de choque |
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Descrição de produto
Tipo personalizado carcaças da polegada 4h-N dos lingotes do tamanho 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/das carcaças wafers/4 do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) de SIC bolacha zero principal do carboneto de silicone da categoria de 0,35 milímetros DSP
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
| Propriedade | 4H-SiC, único cristal | 6H-SiC, único cristal |
| Parâmetros da estrutura | a=3.076 Å c=10.053 Å | a=3.073 Å c=15.117 Å |
| Empilhando a sequência | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm. Coeficiente da expansão | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 |
nenhuns = 2,60 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K |
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| Condutibilidade térmica (Semi-isolar) |
a~4.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K |
| Faixa-Gap | eV 3,23 | eV 3,02 |
| Campo elétrico da divisão | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Velocidade de tração da saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro da pureza alta 4inch (sic)
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4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic
2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H |
2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
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6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H |
Tamanho de Customzied para 2-6inch
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Sobre ZMKJ Empresa
ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.
Nossos produtos da relação
Wafers/de cristal LaAlO3/SrTiO3/wafers/Ruby Ball da lente LiTaO3 do wafer& da safira sic
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: (1) para os produtos padrão
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Q: Você tem produtos padrão?
: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.