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Wafer de silício espessura de 4 polegadas 500+/-20 Resistividade 1-10 ohm·cm Orientação100 polimento de lado duplo
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | BOLACHA DO SI |
Condições de Pagamento e Envio:
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Método de crescimento: | FZ | orientação: | < 111> |
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| Desorientação: | 4±0,5 graus até ao ponto < 110 | Tipo/entorpecente: | P/Bóron |
| Resistividade: | 10-20 W.cm | RRV: | ≤15% (Max edge-Cen)/Cen |
| TTV: | ≤ 5 um | curva: | ≤ 40 um |
| urdidura: | ≤ 40 um | ||
| Realçar: | Orientação100 Wafer de silício,500+/-20 Resistividade Wafer de silício,Wafer de silício de 4 polegadas de espessura |
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Descrição de produto
Wafer de silício espessura de 4 polegadas 500+/-20 Resistividade 1-10 ohm·cm Orientação100 polimento de lado duplo
Resumo do produto
O nosso Substrato de Silício Ultra-Puro de Precisão é meticulosamente concebido para servir de base para dispositivos semicondutores de alto desempenho.Fabricado com tecnologia avançada de silício monocristalino de zona flutuante, este substrato oferece uma pureza e uniformidade excepcionais, garantindo propriedades eletrónicas superiores.Nosso substrato permite a fabricação de dispositivos semicondutores de ponta com maior confiabilidade e desempenhoSeja usado em circuitos integrados, eletrônicos de potência ou aplicações fotovoltaicas, o nosso substrato de silício permite inovação em várias indústrias,impulsionar os avanços tecnológicos e de engenharia.
Vitrine de produtos
Propriedades do produto
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Silício Ultra-Puro: O nosso substrato é composto de silício monocristalino de zona flutuante, garantindo níveis de pureza excepcionais cruciais para dispositivos semicondutores de alto desempenho.
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Estrutura cristalina uniforme: o substrato possui uma estrutura cristalina uniforme, livre de defeitos ou irregularidades, garantindo propriedades elétricas consistentes em toda a superfície.
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Baixos níveis de impurezas: com um controlo meticuloso sobre as concentrações de impurezas, o nosso substrato apresenta baixos níveis de dopantes e contaminantes,Minimizar os efeitos eletrónicos indesejados e garantir a fiabilidade do dispositivo.
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Alta estabilidade térmica: o substrato demonstra uma elevada estabilidade térmica, permitindo uma operação fiável numa ampla gama de temperaturas sem comprometer o desempenho ou a integridade.
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Controle dimensional preciso: cada substrato é fabricado com um controle dimensional preciso, garantindo espessura e planosidade consistentes para facilitar processos de fabricação precisos do dispositivo.
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Excelente qualidade da superfície: o nosso substrato apresenta uma superfície lisa e livre de defeitos, essencial para a deposição de películas finas e para a formação de interfaces de dispositivos de alta qualidade.
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Especificações personalizáveis: Oferecemos uma gama de especificações personalizáveis, incluindo concentração de doping, resistividade e orientação,para satisfazer os requisitos específicos de diversas aplicações de semicondutores.
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Compatibilidade com processos de semicondutores: o substrato é compatível com várias técnicas de processamento de semicondutores, incluindo epitaxia, litografia e gravação,permitir uma integração contínua nos fluxos de trabalho de fabrico existentes.
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Desempenho elétrico: O nosso substrato apresenta excelentes propriedades elétricas, incluindo alta mobilidade do portador, baixas correntes de vazamento e condutividade elétrica uniforme,essencial para otimizar o desempenho e a eficiência do dispositivo.
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Confiabilidade e longevidade: concebido para uma fiabilidade a longo prazo,O nosso substrato é submetido a rigorosas medidas de controlo de qualidade para garantir um desempenho e durabilidade consistentes durante toda a sua vida útil operacional..
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Especificação do silício monocristalino FZ
Tipo Tipo de condução Orientação Diâmetro ((mm) Conductividade ((Ω•cm) Alta resistência N&P <100>&<111> 76.2-200 > 1000 NT1 N <100>&<111> 76.2-200 30-800 CFZ N&P <100>&<111> 76.2-200 1-50 GD N&P <100>&<111> 76.2-200 0.001-300 Especificação da bolacha
Parâmetro de lingotes Ponto Descrição Método de cultivo FZ Orientação < 111> Desorientação 4±0,5 graus até ao ponto < 110 Tipo/Dopante P/Bóron Resistividade 10-20 W.cm RRV ≤15% (Max edge-Cen)/Cen Parâmetro da wafer Ponto Descrição Diâmetro 150±0,5 mm Espessura 675 ± 15 um Duração plana primária 57.5±2,5 mm Orientação plana primária < 011> ± 1 grau Duração plana secundária Nenhum Orientação plana secundária Nenhum TTV ≤ 5 um Incline-se. ≤ 40 um Warp. ≤ 40 um Perfil da borda Norma SEMI Superfície frontal Poluição química-mecânica LPD ≥ 0,3 um@≤15 peças Superfície traseira Gravação em ácido Chips de borda Nenhum Pacote Embalagem a vácuo; plástico interior, alumínio exterior -
Aplicações do produto
Circuitos integrados (ICs): O nosso substrato de silício ultra-puro de precisão serve como um bloco de construção fundamental para a fabricação de ICs utilizados em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos,Incluindo os smartphones, computadores e eletrónica automotiva.
Eletrônica de potência: O substrato é utilizado em dispositivos de semicondutores de potência, como diodos, transistores e tiristores,permitir uma conversão e um controlo eficientes da energia em aplicações como os veículos elétricos, sistemas de energia renovável e automação industrial.
Fotovoltaics (PV): O nosso substrato desempenha um papel crucial na fabricação de células solares de alta eficiência,fornecendo uma base estável e uniforme para a deposição de camadas de semicondutores e contatos metálicos, conduzindo a uma melhor eficiência de conversão de energia solar.
Diodos emissores de luz (LEDs): Na fabricação de LEDs, o nosso substrato serve como uma plataforma para o crescimento epitaxial de camadas de semicondutores,Assegurar a uniformidade e a fiabilidade do desempenho dos LED para aplicações como a iluminação, e iluminação automotiva.
Sistemas Microeletromecânicos (MEMS): o nosso substrato facilita a fabricação de dispositivos MEMS, incluindo acelerômetros, giroscópios e sensores de pressão,permitindo a detecção e controlo precisos em eletrónica de consumo, sistemas automotivos e dispositivos médicos.
Dispositivos de radiofrequência (RF): O substrato é usado na produção de dispositivos de RF, como amplificadores de RF, osciladores e filtros, que suportam sistemas de comunicação sem fio, comunicação por satélite,e sistemas de radar com funcionamento e fiabilidade de alta frequência.
Dispositivos optoeletrônicos: o nosso substrato permite o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos como fotodetectores, moduladores ópticos e diodos laser,Contribuição para aplicações em telecomunicações, comunicação de dados e detecção óptica.
Sensores biomédicos: na engenharia biomédica, o nosso substrato é utilizado para a fabricação de biosensores e dispositivos bioeletrônicos para aplicações como diagnósticos médicos,sistemas de distribuição de drogas, e dispositivos médicos implantáveis.
Aeroespacial e Defesa: O substrato é utilizado em aplicações aeroespaciais e de defesa, incluindo sistemas de radar, satélites de comunicação e sistemas de orientação de mísseis, onde a confiabilidade, estabilidade,e desempenho são críticos em ambientes adversos.
Tecnologias emergentes: o nosso substrato suporta avanços em tecnologias emergentes como computação quântica, computação neuromórfica e sensores avançados, impulsionando a inovação na computação,Inteligência artificial, e aplicações de detecção.