Wafer de silício espessura de 4 polegadas 500+/-20 Resistividade 1-10 ohm·cm Orientação100 polimento de lado duplo

Resumo do produto

O nosso Substrato de Silício Ultra-Puro de Precisão é meticulosamente concebido para servir de base para dispositivos semicondutores de alto desempenho.Fabricado com tecnologia avançada de silício monocristalino de zona flutuante, este substrato oferece uma pureza e uniformidade excepcionais, garantindo propriedades eletrónicas superiores.Nosso substrato permite a fabricação de dispositivos semicondutores de ponta com maior confiabilidade e desempenhoSeja usado em circuitos integrados, eletrônicos de potência ou aplicações fotovoltaicas, o nosso substrato de silício permite inovação em várias indústrias,impulsionar os avanços tecnológicos e de engenharia.

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Propriedades do produto

1. Silício Ultra-Puro: O nosso substrato é composto de silício monocristalino de zona flutuante, garantindo níveis de pureza excepcionais cruciais para dispositivos semicondutores de alto desempenho.

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3. Estrutura cristalina uniforme: o substrato possui uma estrutura cristalina uniforme, livre de defeitos ou irregularidades, garantindo propriedades elétricas consistentes em toda a superfície.

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5. Baixos níveis de impurezas: com um controlo meticuloso sobre as concentrações de impurezas, o nosso substrato apresenta baixos níveis de dopantes e contaminantes,Minimizar os efeitos eletrónicos indesejados e garantir a fiabilidade do dispositivo.

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7. Alta estabilidade térmica: o substrato demonstra uma elevada estabilidade térmica, permitindo uma operação fiável numa ampla gama de temperaturas sem comprometer o desempenho ou a integridade.

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9. Controle dimensional preciso: cada substrato é fabricado com um controle dimensional preciso, garantindo espessura e planosidade consistentes para facilitar processos de fabricação precisos do dispositivo.

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11. Excelente qualidade da superfície: o nosso substrato apresenta uma superfície lisa e livre de defeitos, essencial para a deposição de películas finas e para a formação de interfaces de dispositivos de alta qualidade.

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13. Especificações personalizáveis: Oferecemos uma gama de especificações personalizáveis, incluindo concentração de doping, resistividade e orientação,para satisfazer os requisitos específicos de diversas aplicações de semicondutores.

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15. Compatibilidade com processos de semicondutores: o substrato é compatível com várias técnicas de processamento de semicondutores, incluindo epitaxia, litografia e gravação,permitir uma integração contínua nos fluxos de trabalho de fabrico existentes.

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17. Desempenho elétrico: O nosso substrato apresenta excelentes propriedades elétricas, incluindo alta mobilidade do portador, baixas correntes de vazamento e condutividade elétrica uniforme,essencial para otimizar o desempenho e a eficiência do dispositivo.

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19. Confiabilidade e longevidade: concebido para uma fiabilidade a longo prazo,O nosso substrato é submetido a rigorosas medidas de controlo de qualidade para garantir um desempenho e durabilidade consistentes durante toda a sua vida útil operacional..

20. Especificação do silício monocristalino FZ

     

    Tipo	Tipo de condução	Orientação	Diâmetro ((mm)	Conductividade ((Ω•cm)
    Alta resistência	N&P	<100>&<111>	76.2-200	> 1000
    NT1	N	<100>&<111>	76.2-200	30-800
    CFZ	N&P	<100>&<111>	76.2-200	1-50
    GD	N&P	<100>&<111>	76.2-200	0.001-300

     

     

     

    Especificação da bolacha

     

    Parâmetro de lingotes	Ponto	Descrição
    	Método de cultivo	FZ
    	Orientação	< 111>
    	Desorientação	4±0,5 graus até ao ponto < 110
    	Tipo/Dopante	P/Bóron
    	Resistividade	10-20 W.cm
    	RRV	≤15% (Max edge-Cen)/Cen

     
     

     

     

     

    Parâmetro da wafer	Ponto	Descrição
    	Diâmetro	150±0,5 mm
    	Espessura	675 ± 15 um
    	Duração plana primária	57.5±2,5 mm
    	Orientação plana primária	< 011> ± 1 grau
    	Duração plana secundária	Nenhum
    	Orientação plana secundária	Nenhum
    	TTV	≤ 5 um
    	Incline-se.	≤ 40 um
    	Warp.	≤ 40 um
    	Perfil da borda	Norma SEMI
    	Superfície frontal	Poluição química-mecânica
    	LPD	≥ 0,3 um@≤15 peças
    	Superfície traseira	Gravação em ácido
    	Chips de borda	Nenhum
    	Pacote	Embalagem a vácuo; plástico interior, alumínio exterior

21. Aplicações do produto

     

    Circuitos integrados (ICs): O nosso substrato de silício ultra-puro de precisão serve como um bloco de construção fundamental para a fabricação de ICs utilizados em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos,Incluindo os smartphones, computadores e eletrónica automotiva.

    Eletrônica de potência: O substrato é utilizado em dispositivos de semicondutores de potência, como diodos, transistores e tiristores,permitir uma conversão e um controlo eficientes da energia em aplicações como os veículos elétricos, sistemas de energia renovável e automação industrial.

    Fotovoltaics (PV): O nosso substrato desempenha um papel crucial na fabricação de células solares de alta eficiência,fornecendo uma base estável e uniforme para a deposição de camadas de semicondutores e contatos metálicos, conduzindo a uma melhor eficiência de conversão de energia solar.

    Diodos emissores de luz (LEDs): Na fabricação de LEDs, o nosso substrato serve como uma plataforma para o crescimento epitaxial de camadas de semicondutores,Assegurar a uniformidade e a fiabilidade do desempenho dos LED para aplicações como a iluminação, e iluminação automotiva.

    Sistemas Microeletromecânicos (MEMS): o nosso substrato facilita a fabricação de dispositivos MEMS, incluindo acelerômetros, giroscópios e sensores de pressão,permitindo a detecção e controlo precisos em eletrónica de consumo, sistemas automotivos e dispositivos médicos.

    Dispositivos de radiofrequência (RF): O substrato é usado na produção de dispositivos de RF, como amplificadores de RF, osciladores e filtros, que suportam sistemas de comunicação sem fio, comunicação por satélite,e sistemas de radar com funcionamento e fiabilidade de alta frequência.

    Dispositivos optoeletrônicos: o nosso substrato permite o desenvolvimento de dispositivos optoeletrônicos como fotodetectores, moduladores ópticos e diodos laser,Contribuição para aplicações em telecomunicações, comunicação de dados e detecção óptica.

    Sensores biomédicos: na engenharia biomédica, o nosso substrato é utilizado para a fabricação de biosensores e dispositivos bioeletrônicos para aplicações como diagnósticos médicos,sistemas de distribuição de drogas, e dispositivos médicos implantáveis.

    Aeroespacial e Defesa: O substrato é utilizado em aplicações aeroespaciais e de defesa, incluindo sistemas de radar, satélites de comunicação e sistemas de orientação de mísseis, onde a confiabilidade, estabilidade,e desempenho são críticos em ambientes adversos.

    Tecnologias emergentes: o nosso substrato suporta avanços em tecnologias emergentes como computação quântica, computação neuromórfica e sensores avançados, impulsionando a inovação na computação,Inteligência artificial, e aplicações de detecção.