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Camada de óxido térmico SiO2 Espessura da bolacha 20um Sistema de comunicação óptica MEMS
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Ultra-thick silicon oxide wafer |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T, |
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Informação detalhada |
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| Ponto de ebulição: | 2,230° C (4,046° F) | SORRISOS: | O=[Si]=O |
|---|---|---|---|
| Tolerância de espessura de óxido: | +/- 5% (ambos lados) | Índice de refração: | Aproximadamente 1.44 |
| Conductividade térmica: | Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K | Peso Molecular: | 60.09 |
| Áreas de aplicação: | Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc. | Índice de refração: | 550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
| Realçar: | Sistema de comunicação óptica Wafer de dióxido de silício,Orifício de óxido térmico de camada SiO2,Wafer de 20um SiO2 |
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Descrição de produto
Wafer SiO2 Laver de óxido térmico Espessura 20um+5% Sistema de comunicação óptica MEMS
Descrição do produto:
A bolacha de dióxido de silício SIO2 serve como um elemento fundamental na fabricação de semicondutores.Este substrato crucial está disponível em diâmetros de 6 e 8 polegadasA partir daí, o material é utilizado para a fabricação de produtos de alta resistência dieletrica.O seu índice de refração, aproximadamente 1,4458 a 1550 nm, garante um desempenho ideal em diversas aplicações.
Reconhecida por sua uniformidade e pureza, esta bolacha é uma escolha ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados e microeletrônicos.As suas propriedades facilitam processos de fabricação de dispositivos precisos e apoiam os avanços tecnológicosAlém do seu papel fundamental na fabricação de semicondutores, estende a sua fiabilidade e funcionalidade a um espectro de aplicações, garantindo estabilidade e eficiência.
Com os seus atributos excepcionais, a bolacha de dióxido de silício SIO2 continua a impulsionar inovações na tecnologia de semicondutores, permitindo avanços em campos como circuitos integrados,OptoeletrónicaAs suas contribuições para tecnologias de ponta sublinham a sua importância como material fundamental na produção de semicondutores.
Características:
- Nome do produto: Substrato de semicondutores
- Índice de refração: 550nm de 1,4458 ± 0.0001
- Ponto de ebulição: 2,230° C
- Áreas de aplicação: Fabricação de semicondutores, microelectrónica, dispositivos ópticos, etc.
- Espessura: 20 mm, 10 mm, 25 mm
- Peso molecular: 60.09
- Material semicondutor: Sim
- Material do substrato: Sim
- Aplicações: Fabricação de semicondutores, Microelectrónica, Dispositivos ópticos, etc.
Parâmetros técnicos:
| Parâmetro | Especificações |
| Espessura | 20um, 10um, 25um |
| Densidade | 2533 Kg/m-3 |
| Tolerância de espessura de óxido | +/- 5% (ambos lados) |
| Áreas de aplicação | Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc. |
| Ponto de fusão | 1,600° C (2,912° F) |
| Conductividade térmica | Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K |
| Índice de refração | Aproximadamente 1.44 |
| Peso Molecular | 60.09 |
| Coeficiente de expansão | 0.5 × 10^-6/°C |
| Índice de refração | 550nm de 1,4458 ± 0.0001 |
| Orifícios de óxido de silício ultraespessos | Aplicações |
| Oxidação superficial | Wafer ultrafinos |
| Conductividade térmica | Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K |
Aplicações:
- Transistores de película fina:Empregado na produção de dispositivos TFT.
- Células solares:Utilizado como substrato ou camada isolante na tecnologia fotovoltaica.
- MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecânicos):Crucial para o desenvolvimento de dispositivos MEMS.
- Sensores químicos:Utilizado para detecção química sensível.
- Dispositivos biomédicos:Empregado em várias aplicações biomédicas.
- Energia fotovoltaica:Apoia a tecnologia de células solares para conversão de energia.
- Passivação superficial:Auxílios na protecção da superfície dos semicondutores.
- Guia de ondas:Usado em comunicação óptica e fotônica.
- Fibras ópticas:Integrado em sistemas de comunicação óptica.
- Sensores de gás:Empregado na detecção e análise de gases.
- Nanostructuras:Utilizado como substrato para o desenvolvimento de nanoestruturas.
- Capacitores:Utilizado em várias aplicações elétricas.
- Sequenciamento de ADN:Apoia aplicações na investigação genética.
- Biosensores:Usado para análises biológicas e químicas.
- Microfluídica:Integral na fabricação de dispositivos microfluídicos.
- Diodos emissores de luz (LED):Suporta a tecnologia LED em várias aplicações.
- Microprocessadores:Essencial para a produção de dispositivos de microprocessadores.
Personalização:
Marca:ZMSH
Número do modelo:Orifícios de óxido de silício ultraespessos
Local de origem:China
O nosso substrato semicondutor é projetado com alta condutividade térmica, oxidação superficial e wafer de óxido de silício ultra espesso.4 W/(m·K) @ 300K e ponto de fusão de 1O ponto de ebulição é 2.230° C e a orientação é <100><11><110>. O peso molecular deste substrato é 60.09.
Apoio e Serviços:
Fornecemos suporte técnico e serviço para o nosso produto de Substrato de Semicondutores.Também podemos fornecer assistência na solução de problemas que você encontrar durante o uso do produtoTambém oferecemos assistência remota para aqueles que precisam dela. Nossa equipe de suporte está disponível durante o horário comercial normal, e podemos ser alcançados por telefone, e-mail ou através do nosso site.
Embalagem e transporte:
Embalagem e transporte de substrato de semicondutores:
- Os produtos embalados devem ser manuseados com cuidado, utilizando sempre que possível uma cobertura protetora, como borracha ou espuma.
- Se possível, use várias camadas de cobertura protetora.
- Marque a embalagem com o conteúdo e o destino.
- Envie o pacote usando um serviço de envio apropriado.
Perguntas frequentes:
- P: Qual é a marca do Substrato de Semicondutores?
- A: A marca é ZMSH.
- P: Qual é o número de modelo do Substrato de Semicondutores?
- R: O número do modelo é wafer de óxido de silício ultra espesso.
- P: Onde é feito o Substrato de Semicondutores?
- R: É feito na China.
- P: Qual é o propósito do substrato semicondutor?
- R: O substrato semicondutor é utilizado na fabricação de circuitos integrados, sistemas microeletromecânicos e outras microestruturas.
- P: Qual é a característica do substrato semicondutor?
- R: As características do Substrato Semicondutor incluem baixo coeficiente de expansão térmica, alta condutividade térmica, alta resistência mecânica e excelente resistência à temperatura.