• 6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining
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6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining

6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: Ultra-thick silicon oxide wafer

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5
Termos de pagamento: T/T
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Áreas de aplicação: Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc. Uniformidade no plano e entre os planos:: ± 0,5%,
Tolerância de espessura de óxido: +/- 5% (ambos lados) Ponto de fusão: 1,600° C (2,912° F)
Densidade: 2533 Kg/m-3 Espessura: 20um,10um-25um
Índice de refração: Aproximadamente 1.44 Coeficiente de expansão: 0.5 × 10^-6/°C
Realçar:

Wafer de dióxido de silício SIO2

,

Wafer de dióxido de silício de 6 polegadas

,

Wafer SIO2 de micromecânica

Descrição de produto

 

6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de silício espessura da bolacha 20um 10um-25um Substrato de cristal

Descrição do produto:

A bolacha de dióxido de silício SIO2, vital na produção de semicondutores, apresenta uma espessura que varia de 10 μm a 25 μm e está disponível em diâmetros de 6 polegadas e 8 polegadas.Serve principalmente como uma camada de isolamento essencial, desempenha um papel fundamental na microeletrónica, oferecendo uma elevada resistência dielétrica.Esta bolacha garante um desempenho óptimo em várias aplicaçõesA sua uniformidade e pureza tornam-na uma escolha ideal para dispositivos ópticos, circuitos integrados e microeletrónica.facilita processos de fabrico precisos de dispositivosA sua versatilidade estende-se ao apoio aos avanços nos domínios tecnológicos,assegurando a fiabilidade e a funcionalidade em todo o espectro de aplicações na fabricação de semicondutores e indústrias conexas.

Prospectiva do produto:

 

As bolinhas de dióxido de silício têm aplicações abrangentes nos domínios da tecnologia e da ciência, desempenhando papéis cruciais na fabricação de semicondutores, na óptica, nas ciências biomédicas,e tecnologias de sensoresCom os avanços tecnológicos e a crescente procura, as perspectivas de desenvolvimento das placas de SiO2 continuam a ser muito promissoras.

A procura contínua de dispositivos electrónicos mais pequenos, mais rápidos e mais eficientes energéticamente continuará a impulsionar a evolução da tecnologia de fabrico de semicondutores.como um componente fundamental dentro desta paisagem, são susceptíveis de ser continuamente melhorados e refinados através da introdução de novos materiais, processos e desenhos, atendendo às necessidades do mercado em constante expansão.

Em essência, as placas de SiO2 continuam a ter grandes perspectivas de desenvolvimento nos domínios dos semicondutores e da microeletrónica, mantendo o seu papel fundamental em várias indústrias de alta tecnologia.

Características:

 
  • Nome do produto:Substrato de semicondutores
  • Coeficiente de expansão:0.5 × 10^-6/°C
  • Áreas de aplicação:Fabricação de semicondutores, microeletrónica, dispositivos ópticos, etc.
  • Peso molecular:60.09
  • Conductividade térmica:Cerca de 1,4 W/m·K @ 300K
  • Ponto de fusão:1,600° C (2,912° F)
  • Orifícios de óxido de silício:Utilizados na fabricação de dispositivos microeletrônicos e na oxidação de superfícies
  • Tecnologia de película fina:Utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, células solares, etc.
6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining 0

Parâmetros técnicos:

Parâmetro Valor
Ponto de ebulição 2,230° C (4,046° F)
Orientação Capacidade de produção
Tolerância de espessura de óxido ± 5% (ambos lados)
Uniformidade no plano e entre planos ± 0,5%
Índice de refração 550nm de 1,4458 ± 0.0001
Espessura 20um, 10um, 25um
Densidade 2533 Kg/m-3
Peso Molecular 60.09
Coeficiente de expansão 0.5 × 10^-6/°C
Ponto de fusão 1,600° C (2,912° F)
Aplicações Tecnologia de filme fino, wafer de óxido de silício, tecnologia de substrato
 6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining 1

Aplicações:

  1. Circuitos integrados:Integral para fabricação de semicondutores.
  2. Microeletrónica:É essencial para a fabricação de dispositivos microeletrônicos.
  3. Revestimentos ópticos:Utilizado em aplicações ópticas de película fina.
  4. Transistores de película fina:Empregado na produção de dispositivos TFT.
  5. Células solares:Utilizado como substrato ou camada isolante na tecnologia fotovoltaica.
  6. MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecânicos):Crucial para o desenvolvimento de dispositivos MEMS.
  7. Sensores químicos:Utilizado para detecção química sensível.
  8. Dispositivos biomédicos:Empregado em várias aplicações biomédicas.
  9. Energia fotovoltaica:Apoia a tecnologia de células solares para conversão de energia.
  10. Passivação superficial:Auxílios na protecção da superfície dos semicondutores.
  11. 6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining 2

Personalização:

Serviços personalizados de substratos de semicondutores - ZMSH

A ZMSH oferece serviços personalizados para Substrato de Semicondutores.A nossa marca é ZMSH., e o nosso número de modelo é wafer de óxido de silício ultra espesso.e a orientação é <100><11><110>Além disso, a nossa uniformidade In-plane e interplane é ± 0,5%, e o ponto de ebulição é 2,230 ° C (4,046 ° F).

Apoio e Serviços:

A nossa empresa fornece suporte técnico e serviços para produtos de substrato semicondutor.solução de problemas e manutenção destes produtosOferecemos uma gama de serviços, desde suporte no local até assistência remota. Também oferecemos formação e seminários para ajudar os nossos clientes a utilizarem os produtos corretamente e a tirar o máximo proveito deles.Esforçamo-nos por manter os mais elevados padrões de qualidade para garantir que os nossos clientes recebam o melhor serviço possívelSe tiver alguma dúvida ou preocupação, não hesite em contactar-nos.

 

Embalagem e transporte:

 

Embalagem e transporte de um substrato de semicondutores:

Os substratos de semicondutores devem ser cuidadosamente embalados e enviados para evitar danos e contaminação.e revestido por um revestimento de bolhas protetor. A embalagem deve ser rotulada com um rótulo de aviso indicando que o conteúdo é de componentes eletrónicos sensíveis..

A caixa deve ser assinalada com as informações de transporte adequadas e com um rótulo "Fragile" para garantir que a embalagem é manuseada com cuidado.Deve então ser colocado num contentor de transporte de proteção e enviado através de um transportador de carga confiável.

 

Perguntas frequentes:

 

P1: O que é um substrato semicondutor?

R: Um substrato de semicondutores é uma bolacha fina de material, tipicamente um semicondutor como o silício, sobre o qual circuitos integrados ou outros componentes eletrônicos são construídos.

P2: Qual é a marca do seu substrato semicondutor?

O nosso substrato semicondutor é ZMSH.

P3: Qual é o número de modelo do seu substrato semicondutor?

R: O número de modelo do nosso Substrato Semicondutor é uma bolacha de óxido de silício ultra espessa.

P4: De onde é o seu substrato semicondutor?

R: O nosso substrato de semicondutores é da China.

P5: Qual é o propósito de um substrato semicondutor?

R: O principal objectivo de um substrato semicondutor é fornecer uma base para criar circuitos integrados e outros componentes electrónicos.

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em 6 polegadas 8 polegadas SIO2 Dióxido de Silício espessura da bolacha 10um-25um Superfície Micromachining você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.