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Bolacha do carboneto de silicone

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  • China 4h-N 100um pó abrasivo de carburo de silício para crescimento de cristais SIC

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  • China 12 polegadas Wafer SiC Wafer de carburo de silício 300mm Substrato 750±25um 4H-N Tipo Orientação 100 Produção de Pesquisa Grau

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  • China 4H N tipo Semi tipo Wafer SiC 6 polegadas 12 polegadas Wafer SiC SiC substrato ((0001) Duplo lado polido Ra≤1 nm Personalização

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  • China Wafer SiC 4 polegadas 12 polegadas 4H tipo N Tipo Semi-tipo Grau de produção Grau de pesquisa Grau de simulação DSP personalização

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  • China 12 polegadas Wafer SiC 4H-N Dummy Pesquisa DSP SSP Substratos SiC Wafer de Carbono de Silício

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  • China 8 polegadas 4H-N SiC Wafer espessura 500±25μm ou personalizado N-Doped Dummy Produção grau de pesquisa

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  • China Wafers de SiC de alta qualidade 2/3/4/6/8 polegadas 4H-N Tipo Z/P/D/R Grau sem dopagem

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  • China Wafer SiC Epitaxial Silicon Carbide 4H 4inch 6inch Indústria de Semicondutores de Alta Resistividade

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  • China Substrato de SiC 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Grau P Grau D Grau

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  • China Bolacha lustrada do carboneto de silicone 4h-semi de DSP 2inch 3inch 4Inch 0.35mm sic

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  • China 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas 3C-N Wafer SiC Silicon Carbide Optoelectronic High-Power RF LEDs

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