Semiconductor-Grade 6-Inch Sapphire Wafer, High-Purity Low-Defect Sapphire Substrate for GaN Epitaxy Product Description: Our 6 inch sapphire wafer is made of high-purity single-crystal aluminum oxide (α-Al₂O₃), with standard C-plane (0001) orientation, and optional R-plane, A-plane and M-plane cuts. It is available in single-side polished (SSP) and double-side polished (DSP) finishes, with epi-ready surface quality. Standard thickness ranges from 430μm to 1300μm, with total

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bolacha da safira

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carcaça da safira

Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

Sapphire Tube

Carcaça do semicondutor

Gem Stone sintético

Partes de cerâmica

equipamento de laboratório científico

Caixa de relógio do cristal de safira

Caixa do portador da bolacha

Carcaça Monocrystalline fina Superconducting

Bolacha do nitreto do gálio

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