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2 polegadas 3 polegadas InP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Epi Wafer Semicondutor Personalizar FP diodo laser
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | InP Laser Epitaxial Wafe |
Condições de Pagamento e Envio:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
|---|---|
| Payment Terms: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Substrate: | InP Laser Epitaxial Wafe | Polishing: | DSP SSP |
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| PL Wavelength Control:: | Better Than 3nm | PL Wavelength Uniformity:: | Std. Dev Better Than 1nm @inner 42mm |
| P-InP Doping (cm-3):: | Zn Doped; 5e17 To 2e18 | N-InP Doping (cm-3):: | Si Doped; 5e17 To 3e18 |
| Destacar: | 2 polegadas InP Laser Epitaxial Wafer,3 polegadas InP Laser Epitaxial Wafer,Wafer epitaxial a laser semicondutor |
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Descrição de produto
2 polegadas 3 polegadas InP Laser Epitaxial Wafer Índio Fosfeto Epi Wafer Semicondutor Personalizar FP diodo laser
Descrição da bolacha epitaxial a laser InP:
O fosfeto de ínio (InP) é um material semicondutor chave que permite que os sistemas ópticos forneçam o desempenho necessário para centros de dados, backhaul móvel, metrô e aplicações de longa distância.Os fotodiodos e os guias de onda fabricados em wafers epitaxiais inP operam na janela de transmissão óptima da fibra de vidro, que permitem comunicações de fibra eficiente.
A bolacha epitaxial a laser InP é um substrato semicondutor especializado que consiste em múltiplas camadas de materiais diferentes cultivados em uma bolacha de fosfeto de ínio (InP) através de técnicas de crescimento epitaxial.Essas camadas adicionais são cuidadosamente projetadas para criar estruturas adequadas para aplicações a laser.
As wafers epitaxiais de laser InP são componentes cruciais na fabricação de lasers semicondutores, incluindo lasers emissores de borda e lasers emissores de superfície de cavidade vertical (VCSELs).As camadas epitaxiais são concebidas com propriedades ópticas e elétricas específicas para permitir uma emissão e amplificação eficientes da luz, tornando-os essenciais em vários dispositivos optoeletrônicos para telecomunicações, sensores e outras aplicações que exigem tecnologia a laser.
Características do InP Laser Epitaxial Wafer:
Propriedades ópticas:
Comprimento de onda de emissão: comprimento de onda de emissão ajustável no espectro infravermelho.
Eficiência Quântica Alta: Eficiência em emissão de luz e propriedades de amplificação.
Baixo coeficiente de absorção: permite baixas perdas ópticas no interior do material.
Propriedades estruturais:
Estrutura epitaxial em camadas: Consiste em múltiplas camadas de diferentes materiais semicondutores cultivados em um substrato InP.
Superfície lisa: superfície uniforme e livre de defeitos crucial para o desempenho do laser.
Espessura controlada: a espessura de cada camada é controlada com precisão para propriedades ópticas e elétricas específicas.
Propriedades elétricas:
Mobilidade do transportador: elevada mobilidade do transportador para um transporte eficiente da carga.
Baixa densidade de defeito: Poucos defeitos de cristal para um melhor desempenho eletrônico.
Formação de junções P-N: Capacidade de formar junções p-n para operação a laser.
Propriedades térmicas:
Alta condutividade térmica: dissipação eficiente do calor gerado durante a operação do laser.
Estabilidade térmica: mantém a integridade estrutural em diferentes condições de funcionamento.
Fabricação:
Compatibilidade: Compatível com processos de fabricação de semicondutores padrão.
Uniformidade: propriedades consistentes em toda a bolacha para produção em massa.
Personalizabilidade: Desenhos epitaxiais personalizados para aplicações específicas a laser.
Forma da bolacha epitaxial a laser InP:
| Parâmetros do produto | Wafer epitaxial DFB | Wafer epitaxial DFB de alta potência | Wafer epitaxial de fotônica de silício |
| Taxa | 10G/25G/50G | / | / |
| comprimento de onda | 1310 nm | ||
| tamanho | 2/3 de polegada | ||
| Características do produto | CWDM 4/PAM 4 | BH tech | PQ /AlQ DFB |
| PL Controle do comprimento de onda | Melhor do que 3nm | ||
| LPL Uniformidade do comprimento de onda | O STD.Dev é melhor do que 1nm @inner | ||
| Controle da espessura | 42mmMelhor que +3% | ||
| Uniformidade da espessura | Melhor do que +3% @inner 42mm | ||
| Controle de doping | Melhor que +10% | ||
| Dopagem P-lnP (cm-3) | Zn dopado; 5e17 a 2e18 | ||
| Dopagem N-InP (cm-3) | Si dopado; 5e17 a 3e18 | ||
Fotografia física do InP Laser Epitaxial Wafer:
Estrutura padrão da camada EPl da InP Laser Epitaxial Wafe:
Aplicação da bolacha epitaxial com laser InP:
Diodos a laser: adequados para lasers de emissão de borda e VCSELs.
Telecomunicações: essencial para os sistemas de comunicação óptica.
Sensores e Imagem: Usados em sensores ópticos e aplicações de imagem.
Dispositivos médicos: utilizados em sistemas de laser médicos.
Imagem de aplicação da bolacha epitaxial a laser InP:
Perguntas frequentes:
1P: O que é uma bolacha epitaxial?
A: Uma bolacha epitaxial (também chamada de bolacha epi, epi-bolacha ou epiwafer) é uma bolacha de material semicondutor feita por crescimento epitaxial (epitaxia) para uso em fotônica, microeletrônica, espintrônica,ou fotovoltaicos.
2.P: Quais são as vantagens do InP?
A:As vantagens distintas que as placas InP oferecem:Alta mobilidade eletrônica: A InP apresenta uma mobilidade eletrônica quase dez vezes maior do que o silício,tornando-o perfeito para transistores e amplificadores de alta velocidade em sistemas de telecomunicações e radar.
Recomendação de produto:
Palavra-chave: InP Laser Epitaxial Wafe;InP