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FP Fabry-Perot Epiwafer InP Substrato Dia 2 3 4 6 polegadas espessura 350-650um InGaAs doping
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
Condições de Pagamento e Envio:
| Delivery Time: | 2-4weeks |
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| Payment Terms: | T/T |
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Informação detalhada |
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| PL Wavelength control: | Better than 3nm | PL Wavelength uniformity: | Std.Dev better than 1nm @inner 42mm |
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| Thickness control: | Better than +3% | Thickness uniformity: | Better than +3% @inner 42mm |
| Doping control: | Better than ±10% | P-InP doping (cm-°): | Zn doped: 5e17 to 2e18 |
| N-inP doping (cm 3): | Si doped: 5e17 to 3e18 | AllnGaAs doping (cmr3): | 1e17 to 2e18 |
| Destacar: | 6 polegadas de espessura Epiwafer InP Substrato,Substrato InP de 350-650um,Substrato InP de 6 polegadas |
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Descrição de produto
FP ((Fabry-Perot)) Epiwafer InP substrato dia 2 3 4 6 polegadas espessura:350-650um InGaAs doping
FP ((Fabry-Perot)) Abstract do substrato InP do Epiwafer
O Epiwafer Fabry-Perot (FP) em substratos de Fosfeto de Índio (InP) é um componente crítico na fabricação de dispositivos optoeletrônicos de alto desempenho,especialmente diodos laser utilizados em sistemas de comunicação ópticaO substrato InP oferece excelente correspondência de rede com materiais como o InGaAsP, permitindo o crescimento de camadas epitaxiais de alta qualidade.Faixa de comprimento de onda de 55 μm, tornando-os ideais para a comunicação por fibra óptica devido às características de baixa perda das fibras ópticas neste espectro.são amplamente utilizadas em interconexões de centros de dados, detecção ambiental e diagnóstico médico, proporcionando soluções rentáveis com bom desempenho.A estrutura mais simples dos lasers FP em comparação com projetos mais complexos como os lasers DFB (Distributed Feedback) torna-os uma escolha popular para aplicações de comunicação de médio alcanceOs epiwafers FP baseados em inP são essenciais em indústrias que exigem componentes ópticos de alta velocidade e confiáveis.
FP ((Fabry-Perot)) Vitrine do substrato Epiwafer InP
FP ((Fabry-Perot)) Folha de dados do substrato InP do Epiwafer
FP ((Fabry-Perot)) Estrutura do substrato InP do Epiwafer
- InP Substrato (base)
- Camada tampão (amaciamento da superfície)
- Região ativa (poços quânticos)
- Camadas de revestimento (confinamento óptico)
- Camadas do tipo P e do tipo N (injecção de transportador)
- Camadas de contacto (contatos elétricos)
- Facetas refletoras (cavidade do laser FP)
Os Epiwafers Fabry-Perot (FP) em substratos de Fosfeto de Índio (InP) são amplamente usados em várias aplicações optoeletrônicas devido às suas propriedades eficientes de emissão de luz, particularmente no 1.3 μm a 1.55 μm gama de comprimento de onda. Abaixo estão as principais aplicações:
1.Comunicação por fibra óptica
- Diodos a laser: Os lasers FP são comumente utilizados como fontes de luz em sistemas de comunicação de fibra óptica, especialmente para transmissão de dados de curta a média distância.operando a comprimentos de onda que minimizam a perda de sinal nas fibras ópticas.
- Transmissores e módulos ópticos: Os lasers FP integrados em transceptores ópticos permitem a conversão de sinais eléctricos em sinais ópticos para a transmissão de dados através de redes de fibra óptica.
2.Interconexões do Data Center
- Conectividade de alta velocidade: Os lasers FP nos centros de dados fornecem interconexões ópticas de alta velocidade e baixa latência entre servidores e equipamentos de rede.
3.Sensores ambientais e detecção de gases
- Sensores de gás: Os lasers FP são utilizados em sistemas de detecção de gases para detectar gases específicos, como o CO2 e o CH4, ajustando-os aos comprimentos de onda de absorção destes gases.Estes sistemas são utilizados para aplicações de monitorização ambiental e segurança industrial.
4.Diagnóstico médico
- Tomografia de coerência óptica (OCT): Os lasers FP são utilizados em sistemas OCT para imagens médicas não invasivas, particularmente em oftalmologia, dermatologia e diagnóstico cardiovascular.Estes sistemas aproveitam a alta velocidade e precisão dos lasers FP para imagens de tecidos detalhadas.
5.Sistemas LIDAR
- Veículos autônomos e mapeamento: Os lasers FP são utilizados em sistemas LIDAR (Light Detection and Ranging) para aplicações como condução autónoma, mapeamento 3D e digitalização do ambiente,Quando forem essenciais medições de distância de alta resolução.
6.Circuitos fotónicos integrados (PIC)
- Fotónica integradaFP Epiwafers são materiais fundamentais para o desenvolvimento de circuitos fotónicos integrados que integram vários dispositivos fotónicos (por exemplo, lasers,detectores) num único chip para processamento e comunicação de sinais de alta velocidade.
7.Comunicação por satélite e aeroespacial
- Comunicação de Alta Frequência: Os lasers FP baseados em InP são utilizados em sistemas de comunicação por satélite para transmissão de dados de alta frequência a longa distância em aplicações espaciais e aeroespaciais.
8.Investigação e Desenvolvimento
- Protótipos e testes: FP Epiwafers são utilizados na investigação e desenvolvimento para o desenvolvimento de novos dispositivos optoeletrônicos, para melhorar o desempenho dos diodos laser e para explorar novos comprimentos de onda para tecnologias emergentes.
Estas aplicações destacam a versatilidade dos Epiwafers FP em substratos InP, que proporcionam soluções eficientes e rentáveis em domínios como as telecomunicações, o diagnóstico médico, a tecnologia e a tecnologia.Sensores ambientais, e sistemas ópticos de alta velocidade.
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Emissão de luz eficiente em comprimentos de onda chave:
- Os epiwafers FP em substratos InP são otimizados para a emissão na faixa de comprimento de onda de 1,3 μm a 1,55 μm, alinhada com as janelas de transmissão de baixa perda nas fibras ópticas,tornando-os ideais para comunicação por fibra óptica.
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Performance em alta velocidade:
- Os substratos InP têm uma excelente mobilidade eletrônica, permitindo que os lasers FP realizem operações de alta velocidade e suportem a transmissão de dados de alta frequência.Isto os torna adequados para aplicações de alta largura de banda como data centers e telecomunicações.
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Fabricação econômica:
- Em comparação com estruturas de laser mais complexas, como os lasers de Feedback Distribuído (DFB), os lasers FP têm um design mais simples.Isto resulta em custos de produção mais baixos, ao mesmo tempo em que proporciona um bom desempenho para aplicações de curto a médio alcance.
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Aplicações versáteis:
- Os epiwafers FP são usados em uma ampla gama de aplicações, desde comunicação de fibra óptica e interconexões de data centers até sensoriamento ambiental, diagnósticos médicos (OCT) e sistemas LIDAR.A sua versatilidade é uma grande vantagem em todos os sectores..
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Processo de fabricação mais simples:
- Os lasers FP são mais fáceis de fabricar em comparação com outros tipos de lasers, como os lasers DFB, devido à sua dependência de facetas clavadas naturalmente refletoras em vez de grades complexas,Redução da complexidade e custo da fabricação.
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Boa flexibilidade de comprimento de onda:
- Os lasers FP podem ser ajustados numa gama de comprimentos de onda ajustando a corrente ou a temperatura, proporcionando flexibilidade para diferentes aplicações, especialmente em sistemas de detecção e comunicação.
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Baixo consumo de energia:
- Os lasers FP baseados em epiwafers InP tendem a ter um menor consumo de energia, tornando-os eficientes para implantações em larga escala em redes de comunicação de dados e sensores, onde a eficiência de energia é crítica.