GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999%
Detalhes do produto:
Place of Origin: | China |
Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
Tempo de entrega: | 2-4weeks |
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Termos de pagamento: | T/T |
Informação detalhada |
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Peso molecular (g/mol): | 100.697 | Cor/aparência: | Sólido laranja pálido |
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Purificação: | ≥ 99,999%, 5N | Ponto de fusão (°C): | 1,457 |
Espaço de banda (eV): | 2.24 | Mobilidade dos elétrons (cm2/(V·s)): | 300 |
Sensitividade magnética (χ) (cgs): | -13,8 × 10−6 | Conductividade térmica (W/(cm·K)): | 0.752 |
Destacar: | Wafer GaP de tipo N,Wafer GaP de 2 polegadas,Wafer GaP de alta pureza |
Descrição de produto
GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999%
Descrição do Wafer GaP:
Em semicondutores, o fosfeto de gálio é um semicondutor composto de tipo III-V que tem uma ampla faixa indireta de fosfeto de gálio (gap) Wafersgap.A estrutura cristalina deste composto é a mesma do silícioO material é inodoro e insolúvel em água.Tem sido usado na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos, incluindo os interruptores CMOS e RF/V/A.
O principal material de substrato para os LEDs é o fosfeto de gálio, e é transparente à luz vermelha, amarela e laranja.Estes diodos são transparentes para a maioria da luzNo entanto, há um problema associado a este material. Apesar de ser altamente condutor, ele é muito resistente à radiação.não emite luz suficiente para ser útil como fonte de iluminação.
O Caráter da Wafer GaP:
1. Bandgap: O GaP tem um bandgap direto de aproximadamente 2,26 eV à temperatura ambiente. Este nível de energia do bandgap torna o GaP adequado para aplicações optoeletrônicas, incluindo LEDs e fotodetectores.
2Propriedades ópticas: as placas GaP apresentam excelentes propriedades ópticas, tais como uma elevada transparência no espectro visível.Esta transparência é vantajosa para dispositivos optoeletrônicos que operam na faixa de luz visível.
3Propriedades elétricas: O GaP possui boas propriedades elétricas, incluindo elevada mobilidade dos elétrons e baixa corrente escura,que o tornam adequado para dispositivos eletrónicos de alta velocidade e dispositivos optoeletrónicos de baixo ruído.
4Propriedades térmicas: as placas GaP têm uma condutividade térmica relativamente boa, ajudando na dissipação de calor dos dispositivos eletrônicos.Esta propriedade é importante para manter o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.
5Estrutura cristalina: O GaP tem uma estrutura cristalina de zincblende, que influencia as suas propriedades eletrónicas e ópticas.A estrutura cristalina também afeta os processos de crescimento e fabricação de dispositivos baseados em GaP.
6. Dopagem: as placas GaP podem ser dopadas com várias impurezas para modificar a sua condutividade elétrica e propriedades ópticas.Este controlo dos dopantes é essencial para adaptar os dispositivos GaP a aplicações específicas.
7Compatibilidade com compostos III-V: o GaP é compatível com outros semicondutores compostos III-V,permitindo o crescimento de heterostruturas e a integração de diferentes materiais para criar dispositivos avançados.
A forma da Wafer GaP:
Estrutura cristalina | Cubic. a = 5.4505?/FONT> | |
Método de crescimento | CZ (LEC) | |
Densidade | 40,13 g/cm3 | |
Ponto de fusão | 1480 oC | |
Expansão térmica | 5.3 x10-6 / oC | |
Suplementos | S dopado | não dopados |
Eixo de crescimento dos cristais | <111> ou <100> | < 100> ou < 111> |
Tipo de condutor | N | N |
Concentração do portador | 2 ~ 8 x1017 /cm3 | 4 ~ 6 x1016 /cm3 |
Resistividade | ~ 0,03 W-cm | ~ 0,3 W-cm |
EPD | < 3x105 | < 3x105 |
A foto física da GaP Wafer:
Aplicações da Wafer GaP:
1. Diodos emissores de luz (LED):
As placas GaP são comumente usadas na fabricação de LEDs para várias aplicações de iluminação, incluindo luzes indicadoras, monitores e iluminação automotiva.
2Diodos laser:
As placas GaP são utilizadas na produção de diodos laser para aplicações como armazenamento de dados ópticos, telecomunicações e dispositivos médicos.
3- Fotodetectores:
As placas GaP são empregadas em fotodetectores para aplicações de detecção de luz, incluindo comunicações ópticas, sistemas de imagem e monitoramento ambiental.
4Células solares:
As placas GaP são utilizadas no desenvolvimento de células solares de alta eficiência, em particular em estruturas de células solares multijunção para aplicações espaciais e fotovoltaicos de concentradores terrestres.
5. Dispositivos optoelectrónicos:
As placas GaP são parte integrante de vários dispositivos optoeletrônicos, como circuitos integrados fotônicos, sensores ópticos e moduladores optoeletrônicos.
6Eletrónica de Alta Velocidade:
As placas GaP são utilizadas em dispositivos eletrônicos de alta velocidade, incluindo transistores de alta frequência, circuitos integrados de microondas e amplificadores de potência de RF.
7Laser semicondutor:
As placas GaP são empregadas na fabricação de lasers semicondutores usados em aplicações como comunicações ópticas, scanners de códigos de barras e equipamentos médicos.
8Fotônica:
As placas GaP desempenham um papel crucial em aplicações fotônicas, incluindo guias de ondas, interruptores ópticos e cristais fotônicos para manipular a luz na nanoescala.
9Tecnologia de sensores:
As bolhas GaP são usadas no desenvolvimento de sensores para várias aplicações, como detecção de gases, monitoramento ambiental e diagnóstico biomédico.
10. Dispositivos de Heterojunção:
As placas GaP são integradas com outros semicondutores compostos III-V para criar dispositivos de heterojunção, permitindo funcionalidades avançadas em sistemas eletrônicos e optoeletrônicos.
Imagens de aplicação da Wafer GaP:
Perguntas frequentes:
1P: Para que se utiliza o fosfeto de gálio?
R: O fosfeto de gálio tem sido usado na fabricação de diodos emissores de luz vermelhos, laranjas e verdes (LEDs) de baixo a médio brilho desde a década de 1960.É utilizado isoladamente ou em conjunto com arsenieto de gálio
Recomendação do produto:
1.SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Camada 0,4-3 Orientação do substrato 100 111