• GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999%
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Detalhes do produto:

Place of Origin: China
Marca: ZMSH

Condições de Pagamento e Envio:

Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: T/T
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Peso molecular (g/mol): 100.697 Cor/aparência: Sólido laranja pálido
Purificação: ≥ 99,999%, 5N Ponto de fusão (°C): 1,457
Espaço de banda (eV): 2.24 Mobilidade dos elétrons (cm2/(V·s)): 300
Sensitividade magnética (χ) (cgs): -13,8 × 10−6 Conductividade térmica (W/(cm·K)): 0.752
Destacar:

Wafer GaP de tipo N

,

Wafer GaP de 2 polegadas

,

Wafer GaP de alta pureza

Descrição de produto

 

GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999%

Descrição do Wafer GaP:

Em semicondutores, o fosfeto de gálio é um semicondutor composto de tipo III-V que tem uma ampla faixa indireta de fosfeto de gálio (gap) Wafersgap.A estrutura cristalina deste composto é a mesma do silícioO material é inodoro e insolúvel em água.Tem sido usado na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos, incluindo os interruptores CMOS e RF/V/A.

O principal material de substrato para os LEDs é o fosfeto de gálio, e é transparente à luz vermelha, amarela e laranja.Estes diodos são transparentes para a maioria da luzNo entanto, há um problema associado a este material. Apesar de ser altamente condutor, ele é muito resistente à radiação.não emite luz suficiente para ser útil como fonte de iluminação.

 

O Caráter da Wafer GaP:

1. Bandgap: O GaP tem um bandgap direto de aproximadamente 2,26 eV à temperatura ambiente. Este nível de energia do bandgap torna o GaP adequado para aplicações optoeletrônicas, incluindo LEDs e fotodetectores.
2Propriedades ópticas: as placas GaP apresentam excelentes propriedades ópticas, tais como uma elevada transparência no espectro visível.Esta transparência é vantajosa para dispositivos optoeletrônicos que operam na faixa de luz visível.
3Propriedades elétricas: O GaP possui boas propriedades elétricas, incluindo elevada mobilidade dos elétrons e baixa corrente escura,que o tornam adequado para dispositivos eletrónicos de alta velocidade e dispositivos optoeletrónicos de baixo ruído.
4Propriedades térmicas: as placas GaP têm uma condutividade térmica relativamente boa, ajudando na dissipação de calor dos dispositivos eletrônicos.Esta propriedade é importante para manter o desempenho e a confiabilidade do dispositivo.
5Estrutura cristalina: O GaP tem uma estrutura cristalina de zincblende, que influencia as suas propriedades eletrónicas e ópticas.A estrutura cristalina também afeta os processos de crescimento e fabricação de dispositivos baseados em GaP.
6. Dopagem: as placas GaP podem ser dopadas com várias impurezas para modificar a sua condutividade elétrica e propriedades ópticas.Este controlo dos dopantes é essencial para adaptar os dispositivos GaP a aplicações específicas.
7Compatibilidade com compostos III-V: o GaP é compatível com outros semicondutores compostos III-V,permitindo o crescimento de heterostruturas e a integração de diferentes materiais para criar dispositivos avançados.

 

 

A forma da Wafer GaP:

Estrutura cristalina Cubic. a = 5.4505?/FONT>
Método de crescimento CZ (LEC)
Densidade 40,13 g/cm3
Ponto de fusão 1480 oC
Expansão térmica 5.3 x10-6 / oC
Suplementos S dopado não dopados
Eixo de crescimento dos cristais <111> ou <100> < 100> ou < 111>
Tipo de condutor N N
Concentração do portador 2 ~ 8 x1017 /cm3 4 ~ 6 x1016 /cm3
Resistividade ~ 0,03 W-cm ~ 0,3 W-cm
EPD < 3x105 < 3x105

 

 

A foto física da GaP Wafer:


GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999% 0

 

Aplicações da Wafer GaP:

1. Diodos emissores de luz (LED):
As placas GaP são comumente usadas na fabricação de LEDs para várias aplicações de iluminação, incluindo luzes indicadoras, monitores e iluminação automotiva.
2Diodos laser:
As placas GaP são utilizadas na produção de diodos laser para aplicações como armazenamento de dados ópticos, telecomunicações e dispositivos médicos.
3- Fotodetectores:
As placas GaP são empregadas em fotodetectores para aplicações de detecção de luz, incluindo comunicações ópticas, sistemas de imagem e monitoramento ambiental.
4Células solares:
As placas GaP são utilizadas no desenvolvimento de células solares de alta eficiência, em particular em estruturas de células solares multijunção para aplicações espaciais e fotovoltaicos de concentradores terrestres.
5. Dispositivos optoelectrónicos:
As placas GaP são parte integrante de vários dispositivos optoeletrônicos, como circuitos integrados fotônicos, sensores ópticos e moduladores optoeletrônicos.
6Eletrónica de Alta Velocidade:
As placas GaP são utilizadas em dispositivos eletrônicos de alta velocidade, incluindo transistores de alta frequência, circuitos integrados de microondas e amplificadores de potência de RF.
7Laser semicondutor:
As placas GaP são empregadas na fabricação de lasers semicondutores usados em aplicações como comunicações ópticas, scanners de códigos de barras e equipamentos médicos.
8Fotônica:
As placas GaP desempenham um papel crucial em aplicações fotônicas, incluindo guias de ondas, interruptores ópticos e cristais fotônicos para manipular a luz na nanoescala.
9Tecnologia de sensores:
As bolhas GaP são usadas no desenvolvimento de sensores para várias aplicações, como detecção de gases, monitoramento ambiental e diagnóstico biomédico.
10. Dispositivos de Heterojunção:
As placas GaP são integradas com outros semicondutores compostos III-V para criar dispositivos de heterojunção, permitindo funcionalidades avançadas em sistemas eletrônicos e optoeletrônicos.

 

 

Imagens de aplicação da Wafer GaP:

GaP Wafer 2 polegadas N Tipo não dopado S Dopado 100 DSP SSP CZ Alta pureza 5N 99,999% 1

Perguntas frequentes:

1P: Para que se utiliza o fosfeto de gálio?
R: O fosfeto de gálio tem sido usado na fabricação de diodos emissores de luz vermelhos, laranjas e verdes (LEDs) de baixo a médio brilho desde a década de 1960.É utilizado isoladamente ou em conjunto com arsenieto de gálio

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