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Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
|---|---|
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Materiais: | Silício | Diâmetro: | 100 mm |
|---|---|---|---|
| dopante: | P/Boro ou N/As | Resistividade: | 0.001-0.005 Ω.CM |
| orientação: | 100 | Orientação de fatias: | ±0.5° |
| Tolerância do diâmetro: | 100 ± 0,3 mm | Localização primária: | < 110> ± 1 |
| Comprimento liso preliminar: | 32.5±2,5 mm | Tolerância de espessura: | 500 ± 20 μm |
| Destacar: | Wafer de 4 polegadas de Si,Bolacha do si da CZ,Wafer de Si semicondutor |
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Descrição de produto
Wafer Si 4 polegadas Polido CZ Dopante arsénico (As) Boro (B) Fósforo (Ph) (100) Semicondutor
Descrição do Si Wafer:
Uma bolacha de silício é um disco redondo muito fino cortado a partir de silício de alta pureza.Depois é limpo.Os wafers de silício são feitos de silício de alta pureza e são o material de dispositivos semicondutores.Estas placas podem também ser fabricadas com um entalhe SEMI ou uma ou duas placas SEMI.Somos especializados na produção de wafers de silício polido de alta qualidade para aplicações de semicondutores e eletrônicos.Nossas bolinhas de silício polidas de 100 mm oferecem material monocristalino de cristal único de primeira qualidade com resistência elétrica e especificações de variação de espessura rigidamente controladasEste produto consiste em wafers de silício de diâmetro de 100 mm cortados a partir de um único lingote de cristal cultivado utilizando o método Czochralski (CZ).Foram polidas de um lado ou de dois para obter uma uniformidade de espessura excepcional, desempenho de partículas, microrruidão da superfície e especificações de planosidade.
O Caráter da Wafer de Si:
1. Qualidade superior Todos os wafers de silício são novos, wafers de silício virgem nunca foram usados ou reutilizados
2. Superfície preparada para epi Nossa Prime grade wafers de silício têm superfícies preparadas para epi premium
3. Material monocristalino Todos os wafers são feitos de material de silício monocristalino de primeira qualidade
4Excedem os padrões da indústria As nossas placas de silício de 100 mm excedem as especificações do SEMI e os padrões da indústria
5. Aplicações versáteis Os nossos wafers de silício de 100 mm são adequados para uma ampla gama de aplicações, incluindo a fabricação de semicondutores, investigação e desenvolvimento e fins educativos
6. Confiados pelos líderes da indústria Os nossos wafers de silício de 100 mm são amplamente utilizados pelas principais fábricas de semicondutores, centros de I&D, universidades e linhas piloto em todo o mundo
7- Controle e inspecção da qualidade - Cada bolacha é submetida a uma inspecção e testes de qualidade abrangentes
8. Secure Packaging – Wafers are packaged in dedicated ultra-clean PP cassettes and double-bagged in antistatic bags under class 100 cleanroom conditions to protect the surface from particulate contamination
9. Preços competitivos WaferPro oferece preços competitivos com descontos de quantidade disponíveis
10Certificado de Conformidade - A COC é incluída em cada encomenda, indicando as especificações exatas da bolacha.
A forma da Wafer de Si:
| Nome do produto | Wafer polido de 4 polegadas |
| Materiais | Silício |
| Diâmetro | 100 ± 0,2 mm |
| Espessura | 525±15um / conforme solicitado |
| Tipo/Dopante: | P/Boro ou N/As |
| Resistividade | A pedido |
| Orientação | < 100> |
| Grau | Prime/Teste de qualidade/Teste de qualidade |
| Crescimento | CZ |
| Localização primária | < 110> ± 1 |
| Duração plana primária | 32.5±2,5 mm |
| Tolerância de espessura | 500 ± 20 μm |
| TTV | < 10 μm |
| TIR | < 10um |
| Warp. | < 30 μm |
| Incline-se. | < 30 μm |
| Superfície frontal | Poluição |
| Superfície traseira | Moagem |
| Oxidação | Oxidação em estado úmido |
OFotografia física de Wafer de Si:
OAplicaçãode Wafer de Si:
1Produção de microchips e fabricação de circuitos integrados
2MEMS e sistemas microelectromecânicos
3Fabricação de semicondutores e sensores
4Iluminação LED e criação de diodos laser
5Células e wafers solares/fotovoltaicas
6. Componentes de equipamento óptico
7Painéis sandwich isolados
8. Prototipos e ensaios de I&D
OImagens de aplicaçãode Wafer de Si:
Personalização:
Somos especializados no processamento e fornecimento de vários tipos de wafers de silício de alta qualidade.
Métodos de crescimento de wafers de silício de cristal único: CZ (Czochralski), MCZ e outros.
Tamanhos: 2", 4", 5", 6", 8", bem como diâmetros personalizados e wafers de silício de forma não padrão.
Revestimentos de superfície: polidos de um lado, polidos de dois, moídos, etc.
Tipos de condutividade: semicondutores intrínsecos de tipo N, tipo P.
Especificações: adaptadas a uma ampla gama de aplicações.
Capacidade de fornecimento: Inventário extensivo com vários tipos disponíveis em estoque.
Flexibilidade de processamento: processamento personalizado de várias especificações, adaptado às necessidades do cliente com prazos de entrega curtos.
Perguntas frequentes:
1Q: Que acabamentos de superfície podemos fornecer?
R: Oferecemos wafers com polimento de lado duplo (DSP), polimento de lado único (SSP) ou superfícies gravadas / gravadas.
2Q: Que personalizações estão disponíveis?
R: Nossas capacidades incluem marcação a laser, rotulagem de wafer e várias modificações de bordas como cortes ou entalhes para suas exigências exatas.
3Q: Que tamanhos oferece?
R: Além de nossas bolachas de silício de 4 polegadas (100 mm), também fornecemos tamanhos de 2 ′′, 3 ′′, 150 mm, 200 mm e 300 mm de diâmetro. Outros tamanhos personalizados podem estar disponíveis mediante solicitação.
Recomendação do produto:
1.Dispositivo eletrônico de Wafer de Si de cristal único Substrato de fotolitografia Camada 2"3"4"6"8"
2.Orientação da Wafer de Silício CZ111 Resistividade: 1-10 (ohm. cm) polimento de lado único ou duplo