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Substratos compostos de SiC-On-Si semisolamentos 4H apresentam LED de alta resistência
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
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| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Material da carcaça: | Carbono de silício em wafer de composto de silício | Superfície frontal: | CMP Polido, Ra < 0,5 Nm (polido de lado único, SSP) |
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| Comprimento liso secundário: | 18.0 +/- 2,0 mm | Tipo: | Semi-tipo |
| Comprimento liso preliminar: | 32.5 +/- 2,5 mm | Diâmetro: | 100 mm +/- 0,5 mm |
| Teor de carbono: | 0.5 ppm | Orientação plana secundária:: | 90oC do plano primário |
| Destacar: | LEDs SiC em substratos Si Composite,SiC em substratos Si Composite |
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Descrição de produto
Semi-isolante SiC em substratos compostos de Si 4H Exhibit High Resistivity LED
Descrição do produto de substratos compostos de SiC on Si:
Um carburo de silício semi-isolante (SiC) em wafer composto de silício é um tipo especializado de wafer que combina as propriedades do carburo de silício e materiais de silício.A bolacha consiste numa camada de carburo de silício semi-isolante sobre um substrato de silícioO termo "semi-isolante" indica que o material tem propriedades elétricas que não são puramente condutoras ou puramente isolantes, mas em algum lugar no meio.
Características do SiC em substratos compostos de Si:
1. Alta resistividade: o SiC semi-isolante em wafers de Si apresenta alta resistividade, o que significa que eles têm baixa condutividade elétrica em comparação com materiais condutores regulares.
2. Baixo vazamento: devido à sua natureza semi-isolante, estas placas têm baixas correntes de vazamento, tornando-as adequadas para aplicações que exigem vazamento elétrico mínimo.
3. Alta tensão de ruptura: Eles geralmente têm uma alta tensão de ruptura, permitindo que eles suportem campos elétricos elevados sem ruptura.
Lista de parâmetros de substratos compostos de SiC on Si:
| Ponto | Especificações |
| Diâmetro | 150 ± 0,2 mm |
| Politipo SiC | 4H |
| Resistividade SiC | ≥ 1E8 Ω·cm |
| Espessura da camada de transferência de SiC | ≥ 0,1 μm |
| Não válido | ≤ 5 ea/wafer (2 mm > D > 0,5 mm) |
| Abrangência frontal | Ra ≤ 0,2 nm (5 μm × 5 μm) |
| Si Orientação | O número de unidades de produção é igual ou superior a: |
| Tipo Si | P/N |
| Flat/Notch | Flat/Notch |
| Fragmentos de borda, arranhões, rachaduras (inspecção visual) | Nenhum |
| TTV | ≤ 5 μm |
| Espessura | 500/625/675 ± 25 μm |
Aplicações do SiC em substratos compostos de Si:
1Dispositivos de alta frequência: o SiC semi-isolante em wafers compostos de Si é comumente usado em dispositivos de alta frequência, como transistores de RF, amplificadores e sistemas de microondas.
2Eletrônicos de potência: encontram aplicações em dispositivos eletrônicos de potência onde a alta tensão de ruptura e baixas perdas elétricas são cruciais para uma conversão eficiente de potência.
3Sensores: Estas wafers são utilizadas em tecnologias de sensores onde são necessárias características de alta resistividade e baixa fuga para detecção e medição precisas.
4Optoeletrônica: em dispositivos optoeletrônicos como fotodetectores e LEDs, o SiC semi-isolante em wafers de Si pode fornecer um desempenho melhorado devido às suas propriedades elétricas únicas.
Imagem de aplicações do SiC em substratos compostos de Si:
Perguntas frequentes:
A: The use of silicon carbide composite (SiC/SiC) components within fusion reactors has the potential to double the electricity generated from every gigawatt of thermal energy produced compared with advanced steel designs