Substratos compostos de SiC-On-Si semisolamentos 4H apresentam LED de alta resistência

Semi-isolante SiC em substratos compostos de Si 4H Exhibit High Resistivity LED

Descrição do produto de substratos compostos de SiC on Si:

Um carburo de silício semi-isolante (SiC) em wafer composto de silício é um tipo especializado de wafer que combina as propriedades do carburo de silício e materiais de silício.A bolacha consiste numa camada de carburo de silício semi-isolante sobre um substrato de silícioO termo "semi-isolante" indica que o material tem propriedades elétricas que não são puramente condutoras ou puramente isolantes, mas em algum lugar no meio.

Características do SiC em substratos compostos de Si:

1. Alta resistividade: o SiC semi-isolante em wafers de Si apresenta alta resistividade, o que significa que eles têm baixa condutividade elétrica em comparação com materiais condutores regulares.

2. Baixo vazamento: devido à sua natureza semi-isolante, estas placas têm baixas correntes de vazamento, tornando-as adequadas para aplicações que exigem vazamento elétrico mínimo.

3. Alta tensão de ruptura: Eles geralmente têm uma alta tensão de ruptura, permitindo que eles suportem campos elétricos elevados sem ruptura.

Lista de parâmetros de substratos compostos de SiC on Si:

Aplicações do SiC em substratos compostos de Si:

1Dispositivos de alta frequência: o SiC semi-isolante em wafers compostos de Si é comumente usado em dispositivos de alta frequência, como transistores de RF, amplificadores e sistemas de microondas.

2Eletrônicos de potência: encontram aplicações em dispositivos eletrônicos de potência onde a alta tensão de ruptura e baixas perdas elétricas são cruciais para uma conversão eficiente de potência.

3Sensores: Estas wafers são utilizadas em tecnologias de sensores onde são necessárias características de alta resistividade e baixa fuga para detecção e medição precisas.

4Optoeletrônica: em dispositivos optoeletrônicos como fotodetectores e LEDs, o SiC semi-isolante em wafers de Si pode fornecer um desempenho melhorado devido às suas propriedades elétricas únicas.

Imagem de aplicações do SiC em substratos compostos de Si:

Perguntas frequentes: