SiC tipo N em Wafer composto de Si 6 polegadas 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N ou P

SiC tipo N em Wafer composto de Si 6 polegadas 150 mm SiC tipo 4H-N Si tipo N ou P

Resumo do tipo N SiC em Wafer composto de Si

O carburo de silício (SiC) de tipo N em wafers compostos de silício (Si) atraiu uma atenção significativa devido às suas aplicações promissoras em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência.Este estudo apresenta a fabricação e caracterização do SiC do tipo N em wafers compostos de SiUtilizando a deposição química de vapor (CVD), conseguimos cultivar com sucesso uma camada de SiC de alta qualidade de tipo N num substrato de Si,assegurar uma incompatibilidade e defeitos mínimos da redeA integridade estrutural da wafer composta foi confirmada através de análises de difração de raios-X (XRD) e microscopia eletrônica de transmissão (TEM).que revela uma camada uniforme de SiC com excelente cristalinidadeAs medições elétricas demonstraram mobilidade superior do portador e redução da resistência, tornando estas placas ideais para a próxima geração de eletrônicos de potência.A condutividade térmica foi melhorada em comparação com as wafers tradicionais de Si, contribuindo para uma melhor dissipação de calor em aplicações de alta potência.Os resultados sugerem que o SiC de tipo N em wafers compostos de Si tem um grande potencial para a integração de dispositivos baseados em SiC de alto desempenho com a plataforma de tecnologia de silício bem estabelecida.

Especificações e Diagrama EsquemáticoSiC de tipo N em Wafer Composto de Si

SiC de tipo N em fotos de Wafer composto de Si

SiC de tipo N em aplicações de Wafer de compostos de Si

O tipo N de SiC em wafers compostos de Si tem uma variedade de aplicações devido à sua combinação única de propriedades do carburo de silício (SiC) e do silício (Si).Estas aplicações concentram-se principalmente em sistemas de alta potênciaOs dispositivos eletrónicos de alta temperatura e de alta frequência têm algumas aplicações importantes:

1. Eletrónica de potência:

   • Dispositivos de alimentação: O tipo N de Wafer SiC em Wafer Si é usado na fabricação de dispositivos de potência, como diodos, transistores (por exemplo, MOSFETs, IGBTs) e retificadores.Estes dispositivos beneficiam da alta tensão de ruptura e baixa resistência de SiC, enquanto o substrato de Si permite uma integração mais fácil com as tecnologias existentes à base de silício.
   • Conversores e inversores: Estas placas são utilizadas em conversores e inversores para sistemas de energia renovável (por exemplo, inversores solares, turbinas eólicas), onde a conversão eficiente de energia e a gestão do calor são cruciais.

2. Eletrônicos automotivos:

   • Veículos elétricos (VE): Nos veículos elétricos e híbridos, as placas de SiC de tipo N sobre Si são utilizadas em componentes do sistema de propulsão, incluindo inversores, conversores e carregadores de bordo.A alta eficiência e estabilidade térmica do SiC permitem uma eletrônica de potência mais compacta e eficiente, conduzindo a um melhor desempenho e a uma maior duração da bateria.
   • Sistemas de gestão de baterias (BMS): Estas placas são também utilizadas no BMS para gerir os elevados níveis de potência e tensões térmicas associadas ao carregamento e descarregamento de baterias em veículos elétricos.

3. Dispositivos de RF e microondas:

   • Aplicações de alta frequência: As placas de SiC sobre Si do tipo N são adequadas para dispositivos de radiofrequência (RF) e microondas, incluindo amplificadores e osciladores, utilizados em sistemas de telecomunicações e radar.A alta mobilidade eletrônica do SiC permite um processamento de sinal mais rápido em altas frequências.
   • Tecnologia 5G: Estas placas podem ser utilizadas em estações base 5G e noutros componentes da infra-estrutura de comunicações, onde são necessárias operações de alta potência e de frequência.

4. Aeronáutica e Defesa:

   • Ambiente áspero Eletrônica: Os wafers são usados em aplicações aeroespaciais e de defesa, onde a eletrônica deve funcionar de forma confiável sob temperaturas extremas, radiação e estresse mecânico.A tolerância e a durabilidade do SiC à alta temperatura tornam-no ideal para tais ambientes.
   • Módulos de energia para satélites: Nos módulos de alimentação por satélite, estas placas contribuem para uma gestão eficiente da energia e para uma fiabilidade a longo prazo nas condições espaciais.

5. Eletrónica industrial:

   • Motores de tração: As placas de SiC sobre Si do tipo N são utilizadas em motores industriais, onde aumentam a eficiência e reduzem o tamanho dos módulos de potência,levando a um menor consumo de energia e a um melhor desempenho em aplicações industriais de alta potência.
   • Grades inteligentes: Estas placas são essenciais para o desenvolvimento de redes inteligentes, onde a conversão e distribuição de energia de alta eficiência são fundamentais para a gestão das cargas elétricas e a integração de energias renováveis.

6. Dispositivos médicos:

   • Eletrónica implantável: A biocompatibilidade e robustez do SiC, combinadas com as vantagens de processamento do Si,tornar essas placas adequadas para dispositivos médicos implantáveis que exigem alta fiabilidade e baixo consumo de energia.

Em resumo, o SiC tipo N em wafers compostos de Si é versátil e essencial em aplicações que exigem alta eficiência, confiabilidade e desempenho em ambientes desafiadores,tornando-os um material chave no avanço das tecnologias eletrónicas modernas.