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Sapphire Wafer 6 polegadas DSP SSP C-plane ((0001) 99,999% LED monocristalino de alta pureza Al2O3
Detalhes do produto:
| Place of Origin: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Model Number: | Sapphire subatrate |
Condições de Pagamento e Envio:
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
|---|---|
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Peso Molecular: | 101,96 | Espessura da camada: | 1-5um |
|---|---|---|---|
| Resistividade intrínseca: | 1E16 Ω-cm | Poluição: | DSP, SSP |
| Índice de refração: | Normalmente em torno de 1,76 (a 589 Nm) | Estabilidade química: | Excelente. |
| Superfície rugosa: | Ra < 0,5 Nm | Tolerância do diâmetro: | ≤3% |
| Destacar: | Bolacha de Safira LED,6inch Sapphire Wafer,Wafer de safira de alta pureza |
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Descrição de produto
Sapphire Wafer 6 polegadas DSP SSP C-plane ((0001) 99,999% LED monocristalino de alta pureza Al2O3
Descrição do produto da bolacha de safira de 6 polegadas:
As wafers de safira são um tipo de mineral com características como alta dureza (9,0 Mohs), boa transparência e estabilidade química.Safiras naturais e safiras sintéticasAs obleias sintéticas de safira são produzidas através de reações químicas em condições de alta temperatura e alta pressão.que os tornam amplamente utilizados na produção industrialDiferentes métodos e condições de síntese podem produzir wafers de safira em várias cores e formas, tais como amarelo dourado, rosa, etc.
O substrato de 6 polegadas (cerca de 150 mm) geralmente tem uma espessura padronizada e é adequado para crescimento epitaxial.Cultivo por método de fusão (como o método de Verneuil) ou método de solução (como o método de Czochralski)A utilização de substratos de zafiro de cristal único de alta qualidade proporciona uma boa qualidade cristalina e contribui para melhorar o desempenho e a fiabilidade do dispositivo.É adequado para utilização em condições de alta temperatura e de ambiente em mudança para assegurar a estabilidade a longo prazo do dispositivo. Amplamente utilizado no crescimento epitaxial de LEDs azuis e brancos, fornecendo um bom substrato de GaN. Amplamente utilizado no crescimento epitaxial de LEDs azuis e brancos, fornecendo um bom substrato de GaN.Também desempenha um papel importante em dispositivos de alta frequência e alta potência.
O personagem de 6 polegadas Sapphire Wafer:
1Estabilidade química
Resistência à corrosão: O safiro possui excelente estabilidade química e pode resistir à corrosão de várias substâncias químicas.
2Características ópticas
Transparência: Tem boa transmissão na região da luz visível e da luz ultravioleta, adequada para dispositivos fotoelétricos.
Baixa perda de luz: em aplicações de alta potência, o substrato de safira pode efetivamente reduzir a perda de luz.
3Propriedades mecânicas
Alta dureza: A dureza do safiro é extremamente alta, forte resistência ao desgaste, pode manter a estabilidade em ambientes adversos.
Dureza: Embora a dureza do safiro seja alta, a dureza também é relativamente boa e pode resistir a certo impacto.
4Propriedades térmicas
Conductividade térmica: Tem boa condutividade térmica, pode dissipar eficazmente o calor, adequado para aplicações de alta temperatura.
Estabilidade térmica: pode manter um desempenho estável em ambiente de alta temperatura, adequado para dispositivos de alta potência.
5Características eléctricas
Isolamento: O safiro é um excelente isolante elétrico para aplicações de alta tensão.
6Processo de crescimento
Cristais de alta qualidade: através de processos avançados, como o método de fusão ou o método de Czochralski para o crescimento, substratos de cristal único de alta qualidade podem ser obtidos.
7Normalização dos tamanhos
Especificação de 6 polegadas: tamanho padrão de 6 polegadas (aproximadamente 150 mm), tornando-o mais compatível e repetível durante a fabricação.
Tabela de parâmetros de 6 polegadas de safira Wafer:
| Ponto | 6 polegadas C-plane ((0001) 1300μm Sapphire Wafers | |
| Materiais cristalinos | 99,999%, Alta pureza, Al2O3 monocristalino | |
| Grau | Prime, Epi-Ready | |
| Orientação da superfície | C-plano ((0001) | |
| C-plano fora de ângulo em direcção ao eixo M 0,2 +/- 0,1° | ||
| Diâmetro | 150.0 mm +/- 0,2 mm | |
| Espessura | 1300 μm +/- 25 μm | |
| Orientação plana primária | A-plano ((11-20) +/- 0,2° | |
| Duração plana primária | 47.0 mm +/- 1,0 mm | |
| Polido de lado único | Superfície da frente | Epi-polido, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
| (SSP) | Superfície traseira | Moagem fina, Ra = 0,8 μm a 1,2 μm |
| Lustrado de dois lados | Superfície da frente | Epi-polido, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
| (DSP) | Superfície traseira | Epi-polido, Ra < 0,2 nm (por AFM) |
| TTV | < 25 μm | |
| Arco-íris | < 25 μm | |
| WARP | < 25 μm | |
| Limpeza / Embalagem | Classe 100 Limpeza de salas limpas e embalagens a vácuo, | |
| 25 peças numa embalagem de cassete ou numa embalagem de peça única. | ||
Foto física da Wafer de Safira de 6 polegadas:
Aplicações da Wafer de Safira de 6 polegadas:
1.A aplicação de wafers de safira de plano C
Em comparação com substratos de safira com outras orientações cristalinas,As placas de safira de plano C (orientação <0001>) apresentam um desajuste relativamente menor da constante de rede com materiais dos grupos III-V e II-VI (como GaN)Além disso, o desajuste da constante de rede entre ambos e a película fina de AlN que pode servir como camada tampão é ainda menor.Esta característica torna as placas de safira de plano C um material de substrato comumente usado em processos de crescimento de GaN.
Devido à sua capacidade de satisfazer os requisitos de alta temperatura em processos de epitaxia de GaN, as obtidas a partir de safiras de plano C são ideais para a produção de diodos emissores de luz (LED) brancos/azuis/verdes,Diodos laser, detectores infravermelhos e outros dispositivos.
2Aplicação de placas de safira de plano A
Devido ao seu desempenho geral excepcional, especialmente a sua excelente transparência que aumenta a penetração da luz infravermelha,Os monocristais de safira tornaram-se o material ideal para janelas infravermelhas médias e são amplamente utilizados em dispositivos elétricos ópticos militares.Neste contexto, o safiro de plano A representa uma face não polar perpendicular à superfície polar (plano C).Os cristais de safira cultivados na direcção a apresentam uma qualidade superior em comparação com os cultivados na direcção c., apresentando menos defeitos, menos estruturas de geminação e uma estrutura cristalina mais completa.
Além disso, devido ao arranjo de ligação atômica de Al-O-Al-O no plano A, o safiro de direção a possui uma dureza e resistência ao desgaste significativamente maiores em comparação com o safiro de direção c.Consequentemente,Além disso, o safiro de plano A também possui constantes dielétricas uniformes e altas características de isolamento,que o tornem adequado para aplicações na tecnologia de microeletrónica mistaPode também ser utilizado em processos de crescimento de supercondutores a altas temperaturas,como o crescimento de filmes supercondutores heteroepitaxial usando materiais como TlBaCaCuO (TbBaCaCuO) em substratos compostos de safira e óxido de cério (CeO2).
3Aplicação de placas de safira de plano R e plano M
O plano R do safiro é uma face não polar, e, portanto, as variações na posição do plano R em dispositivos de safira resultam em diferentes propriedades mecânicas, térmicas, elétricas e ópticas.Em geralOs substratos de safira de plano R são preferidos para deposição heteroepitaxial com silício e são utilizados principalmente no fabrico de semicondutores.aplicações de circuitos integrados microondas e microeletrônicosOs substratos de safira de plano R são também utilizados na produção de bolas de rubí, outros componentes supercondutores, resistores de alta resistência e arsenieto de gálio.
Com o uso generalizado de smartphones, tablets e outros dispositivos,Os substratos de safira de plano R substituíram os dispositivos de onda acústica de superfície composta (SAW) existentes usados em smartphones e tabletsEles servem como substratos para dispositivos que podem melhorar o desempenho, fornecendo uma base melhorada para várias aplicações.
A imagem da aplicação da Wafer de Safira de 6 polegadas:
Personalização:
A ZMSH pode fornecer wafers de safira com qualquer orientação de cristal, como C-plane, A-plane, R-plane, M-plane e muito mais.
Wafers de safira de plano A:Essas placas apresentam constantes dielétricas uniformes e altas propriedades de isolamento, tornando-as amplamente utilizadas no campo da microeletrônica mista.
Wafers de safira de plano M:As perspectivas de aplicação do safiro na detecção de ultravioleta próxima levaram a um interesse crescente em filmes finos de semicondutores de liga MgZnO de banda larga.
Wafers de safira de plano R:As bolinhas de safira de plano R (1-102) são materiais preferidos para deposição epitaxial de silício em aplicações de ICs microeletrônicos.
Além dos tamanhos padrão e orientações cristalinas,A utilização de diferentes ângulos e a inclusão de apartamentos de orientação também são oferecidos para maximizar a flexibilidade para os clientes em aplicações de pesquisa ou de negócios.Todos os wafers de safira são limpos e embalados em salas limpas de classe 100 e são diretamente aplicáveis ao crescimento epitaxial (grau pronto para Epi) para atender às exigências de crescimento epitaxial rigorosas dos clientes.De superfície polida ou não polida, com ou sem apartamentos de orientação, podemos personalizar a produção de acordo com as suas necessidades específicas para atender a várias exigências no seu campo de investigação.
Imagem personalizada do Sapphire Wafer de 6 polegadas:
Perguntas frequentes:
1P: Que tamanho têm as bolachas de safira?
R: Os nossos diâmetros de wafer padrão variam de 25,4 mm (1 polegada) a 300 mm (11,8 polegadas) de tamanho;Os wafers podem ser produzidos em várias espessuras e orientações, com lados polidos ou não polidos e podem incluir dopantes..
2P: Por que usar substrato de safira?
R: O safiro possui excepcional isolamento elétrico, transparência, boa condutividade térmica e altas propriedades de rigidez.Por conseguinte, é um material ideal para substratos e é utilizado em circuitos LED e microeletrônicos, circuitos integrados de ultra-alta velocidade.
3P: Por que é que as bolinhas maiores são melhores?
R: Aumentar o tamanho da bolacha significa uma área de superfície maior para cada célula solar.resultando numa potência de saída superior por célula e móduloOs wafers maiores podem aumentar significativamente a produção global de energia das instalações solares.
Recomendação do produto:
1Substrato de safira.
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2. Wafer de safira de 4 polegadas
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3. 10*10*0.1mmt 100um Duplo Lado Polido Led Sapphire Substrate 2 polegadas
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