Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | ZMSH |
Número do modelo: | bolacha de silicone |
Informação detalhada |
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Tipo/entorpecente: | N - Fos/Sb/As | orientação: | 100 |
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Resistividade:: | 0-100 ohm-cm | Espessura: | 381μm/525μm/625μm +/- 20μm |
TTV: | < 10 μm | planos: | 1 ou 2/ SEMI |
polonês: | Polonês de lado único | Partícula (LPD): | A partir de 1 de janeiro de 2015 |
Destacar: | Wafer de silício N Tipo P Dopante,Wafer de silício polido de 6 polegadas,Wafer de silício de 4 polegadas |
Descrição de produto
Wafer de silício N tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade: 0-100 ohm-cm Lustrado de lado único
Resumo do produto
As wafers de silício são fatias finas de material semicondutor, predominantemente silício, usado como substrato na fabricação de circuitos integrados (ICs) e outros dispositivos microeletrônicos.Estas bolinhas são derivadas de lingotes de silício de cristal único, que são cultivados utilizando métodos como o processo Czochralski (CZ).e posteriormente transformados com base em requisitos específicos da indústria.
Propriedades do produto
As wafers de silício são parte integrante da indústria de semicondutores, exibindo uma série de propriedades que as tornam ideais para a fabricação de dispositivos eletrônicos e fotônicos.Aqui estão as principais propriedades das bolhas de silício:
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Propriedades elétricas:
- Comportamento dos semicondutoresO silício tem propriedades intrínsecas de semicondutor, o que significa que a sua condutividade pode ser alterada pela adição de impurezas, conhecidas como dopagem.Isto permite a criação de materiais de tipo p e n essenciais para a formação de junções p-n em dispositivos eletrónicos.
- BandgapO silício tem um intervalo de 1,12 eV à temperatura ambiente.que é favorável para dispositivos eletrônicos, pois proporciona um bom equilíbrio entre a mobilidade dos elétrons e a resistência à geração térmica de pares de elétrons-buracos.
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Propriedades mecânicas:
- Dureza e Força: O silício é um material relativamente duro e forte, tornando-o suficientemente robusto para suportar as tensões mecânicas envolvidas no processamento de semicondutores.
- Fragilidade: Apesar de sua resistência, o silício é frágil, o que pode levar à quebra da bolacha se não for manuseado adequadamente durante os processos de fabricação.
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Propriedades térmicas:
- Conductividade térmica: O silício tem uma boa condutividade térmica (cerca de 150 W/mK à temperatura ambiente), o que é crucial para dissipar o calor em dispositivos de alta potência e alta frequência.
- Coeficiente de expansão térmica: O silício tem um coeficiente de expansão térmica de cerca de 2,6 x 10^-6 por grau Celsius, que é relativamente baixo e ajuda a manter a integridade estrutural sob tensão térmica durante o processamento do dispositivo.
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Propriedades ópticas:
- Transparência no infravermelho: O silício é transparente à luz infravermelha, o que o torna útil em detectores infravermelhos e outras aplicações fotônicas.
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Propriedades químicas:
- Estabilidade química: O silício é quimicamente estável sob a maioria das condições de processamento, embora possa ser gravado por certos produtos químicos industriais utilizados na fabricação de semicondutores.
- Oxidação: O silício forma facilmente uma camada de óxido natural (dióxido de silício) quando exposto ao oxigênio, especialmente a altas temperaturas.como as camadas isolantes e os óxidos de porta na tecnologia MOS.
- Não.
Diâmetro: 76 mm/100 mm/125 mm |
Diâmetro: 200 mm |
Diâmetro: 300 mm |
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Wafer de silício | Wafer de silício | Wafer de silício |
Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As | Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As | Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As |
Orientação: | Orientação: | Orientação: |
Resistência: 0-100 ohms-cm | Resistência: 0-100 ohms-cm | Resistência: 0-100 ohms-cm |
Espessura: 381μm/525μm/625μm +/- 20μm | Espessura: 725 μm +/- 20 μm | Espessura: 775 μm +/- 20 μm |
TTV: < 10 μm | TTV: < 5 μm | TTV: < 5 μm |
Flat: 1 ou 2/ SEMI standard | Notch: padrão SEMI | Notch: padrão SEMI |
Polida de lado único | Polida de lado único | Polido de duas faces |
Partículas (LPD): <=20@>=0,3um | Partículas (LPD): <=50@>=0,2um | Partículas (LPD): <=50@>=0,2um |
Estas propriedades são aproveitadas durante o processo de fabricação de dispositivos semicondutores, onde o controle preciso sobre eléctricos, mecânicos,e características químicas são necessárias para produzir componentes eletrónicos confiáveis e de alto desempenhoA capacidade de adaptação das bolhas de silício a vários processos de dopagem aumenta ainda mais a sua utilidade na criação de uma ampla gama de dispositivos electrónicos e fotónicos.
Aplicações do produto
Os wafers de silício, devido às suas propriedades versáteis e compatibilidade com várias tecnologias de fabricação, encontram aplicação em inúmeras indústrias.É assim que estas aplicações são geralmente categorizadas:
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Circuitos integrados (CI):
- Micro-processadores e microcontroladores: Estes são os cérebros dos computadores, smartphones e sistemas embutidos, que lidam com computações e processamento de dados.
- Chips de memória: Incluindo DRAM, SRAM e memória flash, que são essenciais para o armazenamento de dados numa ampla gama de dispositivos electrónicos.
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Energia solar:
- Células fotovoltaicas: as bolinhas de silício são um material primário nas células solares, convertendo a luz solar em eletricidade.com eficiências dependentes da pureza e estrutura cristalina do silício.
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Sistemas microelectromecânicos (MEMS):
- Sensores e atuadores: Estes incluem acelerômetros, giroscópios e microfones que são comumente usados em sistemas automotivos, smartphones e dispositivos médicos.
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Optoeletrónica:
- LEDs e fotodetectores: As wafers de silício são usadas para construir dispositivos que emitem ou respondem à luz, integrados em monitores, sistemas de comunicação óptica e dispositivos de imagem.
- Circuitos ópticos integrados: Utilizado em telecomunicações para uma transmissão de dados mais eficiente.
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Eletrónica de potência:
- Dispositivos de gestão de energia: Estes dispositivos regulam e controlam a distribuição e o fluxo de energia elétrica nos sistemas, essenciais para melhorar a eficiência energética e o desempenho em aplicações automotivas e industriais.
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Laser de semicondutores:
- Laser infravermelho: Embora não seja o material primário para aplicações emissoras de luz, o silício é utilizado na construção de componentes para lasers semicondutores, especialmente para fotônica integrada.
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Computação Quântica:
- Pontos quânticos e outros dispositivos quânticosAplicações experimentais de wafers de silício na computação quântica incluem a criação de pontos quânticos que podem funcionar como qubits.
Cada uma dessas aplicações aproveita as propriedades elétricas, térmicas, mecânicas e ópticas únicas das wafers de silício para cumprir requisitos funcionais específicos.O desenvolvimento e a diminuição da tecnologia do silício continuam a abrir novas possibilidades e a reforçar as capacidades existentes nestes diversos domínios..