• Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único
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Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único

Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: bolacha de silicone
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Tipo/entorpecente: N - Fos/Sb/As orientação: 100
Resistividade:: 0-100 ohm-cm Espessura: 381μm/525μm/625μm +/- 20μm
TTV: < 10 μm planos: 1 ou 2/ SEMI
polonês: Polonês de lado único Partícula (LPD): A partir de 1 de janeiro de 2015
Destacar:

Wafer de silício N Tipo P Dopante

,

Wafer de silício polido de 6 polegadas

,

Wafer de silício de 4 polegadas

Descrição de produto

Wafer de silício N tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade: 0-100 ohm-cm Lustrado de lado único

Resumo do produto

As wafers de silício são fatias finas de material semicondutor, predominantemente silício, usado como substrato na fabricação de circuitos integrados (ICs) e outros dispositivos microeletrônicos.Estas bolinhas são derivadas de lingotes de silício de cristal único, que são cultivados utilizando métodos como o processo Czochralski (CZ).e posteriormente transformados com base em requisitos específicos da indústria.

Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único 0Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único 1

 

Propriedades do produto

As wafers de silício são parte integrante da indústria de semicondutores, exibindo uma série de propriedades que as tornam ideais para a fabricação de dispositivos eletrônicos e fotônicos.Aqui estão as principais propriedades das bolhas de silício:

  1. Propriedades elétricas:

    • Comportamento dos semicondutoresO silício tem propriedades intrínsecas de semicondutor, o que significa que a sua condutividade pode ser alterada pela adição de impurezas, conhecidas como dopagem.Isto permite a criação de materiais de tipo p e n essenciais para a formação de junções p-n em dispositivos eletrónicos.
    • BandgapO silício tem um intervalo de 1,12 eV à temperatura ambiente.que é favorável para dispositivos eletrônicos, pois proporciona um bom equilíbrio entre a mobilidade dos elétrons e a resistência à geração térmica de pares de elétrons-buracos.
  2. Propriedades mecânicas:

    • Dureza e Força: O silício é um material relativamente duro e forte, tornando-o suficientemente robusto para suportar as tensões mecânicas envolvidas no processamento de semicondutores.
    • Fragilidade: Apesar de sua resistência, o silício é frágil, o que pode levar à quebra da bolacha se não for manuseado adequadamente durante os processos de fabricação.
  3. Propriedades térmicas:

    • Conductividade térmica: O silício tem uma boa condutividade térmica (cerca de 150 W/mK à temperatura ambiente), o que é crucial para dissipar o calor em dispositivos de alta potência e alta frequência.
    • Coeficiente de expansão térmica: O silício tem um coeficiente de expansão térmica de cerca de 2,6 x 10^-6 por grau Celsius, que é relativamente baixo e ajuda a manter a integridade estrutural sob tensão térmica durante o processamento do dispositivo.
  4. Propriedades ópticas:

    • Transparência no infravermelho: O silício é transparente à luz infravermelha, o que o torna útil em detectores infravermelhos e outras aplicações fotônicas.
  5. Propriedades químicas:

    • Estabilidade química: O silício é quimicamente estável sob a maioria das condições de processamento, embora possa ser gravado por certos produtos químicos industriais utilizados na fabricação de semicondutores.
    • Oxidação: O silício forma facilmente uma camada de óxido natural (dióxido de silício) quando exposto ao oxigênio, especialmente a altas temperaturas.como as camadas isolantes e os óxidos de porta na tecnologia MOS.

- Não.

Diâmetro: 76 mm/100 mm/125 mm

Diâmetro: 200 mm

Diâmetro: 300 mm

Wafer de silício Wafer de silício Wafer de silício
Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As Tipo/Dopante: N - Fos/Sb/As
Orientação: Orientação: Orientação:
Resistência: 0-100 ohms-cm Resistência: 0-100 ohms-cm Resistência: 0-100 ohms-cm
Espessura: 381μm/525μm/625μm +/- 20μm Espessura: 725 μm +/- 20 μm Espessura: 775 μm +/- 20 μm
TTV: < 10 μm TTV: < 5 μm TTV: < 5 μm
Flat: 1 ou 2/ SEMI standard Notch: padrão SEMI Notch: padrão SEMI
Polida de lado único Polida de lado único Polido de duas faces
Partículas (LPD): <=20@>=0,3um Partículas (LPD): <=50@>=0,2um Partículas (LPD): <=50@>=0,2um

Estas propriedades são aproveitadas durante o processo de fabricação de dispositivos semicondutores, onde o controle preciso sobre eléctricos, mecânicos,e características químicas são necessárias para produzir componentes eletrónicos confiáveis e de alto desempenhoA capacidade de adaptação das bolhas de silício a vários processos de dopagem aumenta ainda mais a sua utilidade na criação de uma ampla gama de dispositivos electrónicos e fotónicos.

Aplicações do produto

Os wafers de silício, devido às suas propriedades versáteis e compatibilidade com várias tecnologias de fabricação, encontram aplicação em inúmeras indústrias.É assim que estas aplicações são geralmente categorizadas:

  1. Circuitos integrados (CI):

    • Micro-processadores e microcontroladores: Estes são os cérebros dos computadores, smartphones e sistemas embutidos, que lidam com computações e processamento de dados.
    • Chips de memória: Incluindo DRAM, SRAM e memória flash, que são essenciais para o armazenamento de dados numa ampla gama de dispositivos electrónicos.
  2. Energia solar:

    • Células fotovoltaicas: as bolinhas de silício são um material primário nas células solares, convertendo a luz solar em eletricidade.com eficiências dependentes da pureza e estrutura cristalina do silício.
  3. Sistemas microelectromecânicos (MEMS):

    • Sensores e atuadores: Estes incluem acelerômetros, giroscópios e microfones que são comumente usados em sistemas automotivos, smartphones e dispositivos médicos.
  4. Optoeletrónica:

    • LEDs e fotodetectores: As wafers de silício são usadas para construir dispositivos que emitem ou respondem à luz, integrados em monitores, sistemas de comunicação óptica e dispositivos de imagem.
    • Circuitos ópticos integrados: Utilizado em telecomunicações para uma transmissão de dados mais eficiente.
  5. Eletrónica de potência:

    • Dispositivos de gestão de energia: Estes dispositivos regulam e controlam a distribuição e o fluxo de energia elétrica nos sistemas, essenciais para melhorar a eficiência energética e o desempenho em aplicações automotivas e industriais.
  6. Laser de semicondutores:

    • Laser infravermelho: Embora não seja o material primário para aplicações emissoras de luz, o silício é utilizado na construção de componentes para lasers semicondutores, especialmente para fotônica integrada.
  7. Computação Quântica:

    • Pontos quânticos e outros dispositivos quânticosAplicações experimentais de wafers de silício na computação quântica incluem a criação de pontos quânticos que podem funcionar como qubits.

Cada uma dessas aplicações aproveita as propriedades elétricas, térmicas, mecânicas e ópticas únicas das wafers de silício para cumprir requisitos funcionais específicos.O desenvolvimento e a diminuição da tecnologia do silício continuam a abrir novas possibilidades e a reforçar as capacidades existentes nestes diversos domínios..

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
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Obrigado!
Esperando sua resposta.