SOI Wafer Silicon On Insulator Wafer Dopant P BOX Camada 0,4-3 Orientação do substrato 100 111
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | ZMSH |
Número do modelo: | Garrafas de soja |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
Termos de pagamento: | T/T, T/T |
Informação detalhada |
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Diâmetro: | 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas | dopante: | 100 111 |
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Tipo: | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | Espessura (um): | 0.2-150 |
A uniformidade: | <5> | Capa de caixa: | Espessura (mm) 0,4-3 |
Uniformidade: | <2> | Resistividade: | 0.001-20000 Ohm-cm |
Destacar: | 100 111 Wafer SOI,P BOX Camada Wafer SOI,0.4-3 Wafer SOI |
Descrição de produto
SOI Wafer Silício On Insulator Wafer Dopante P BOX Camada 0,4-3 Orientação do substrato 100 111
Resumo da wafer SOI
As placas SOI (Silicon-On-Insulator) são um tipo de tecnologia de material semicondutor usada principalmente na indústria de microeletrônica.Estas bolinhas são construídas inserindo uma fina camada de material isolanteEsta configuração oferece várias vantagens em relação às wafers de silício em massa convencionais.
Foto da bolacha SOI
Propriedades da wafer SOI
As placas SOI (Silicon-On-Insulator) apresentam um conjunto de propriedades distintas que as tornam particularmente valiosas em várias aplicações microeletrônicas de alto desempenho e especializadas.Aqui estão algumas das principais propriedades das wafers SOI:
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Isolamento elétrico: A camada de óxido enterrada (BOX) nas placas SOI fornece um excelente isolamento elétrico entre a camada superior de silício onde os dispositivos são construídos e o substrato subjacente.Este isolamento ajuda a reduzir a capacidade parasitária, melhorando assim o desempenho dos circuitos de alta velocidade.
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Consumo de energia reduzido: Devido à capacidade parasitária reduzida e às correntes de vazamento, os dispositivos construídos em wafers SOI consomem menos energia em comparação com aqueles construídos em silício a granel.Esta propriedade é especialmente benéfica para dispositivos portáteis e a bateria.
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Alto desempenho: A fina camada superior de silício pode ser totalmente esgotada, o que leva a um melhor controle do canal e redução dos efeitos de canal curto nos transistores.Isso resulta em transistores que podem operar em tensões de limiar mais baixas com correntes de acionamento mais altas, permitindo velocidades de comutação mais rápidas e um desempenho mais elevado.
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Isolamento térmico: A camada isolante proporciona igualmente um grau de isolamento térmico entre a camada activa e o substrato.Isto pode ser vantajoso em aplicações em que o calor gerado pelo dispositivo precisa ser confinado à camada superior, ajudando a gerir os efeitos térmicos de forma mais eficaz.
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Imunidade de bloqueio: A tecnologia SOI fornece imunidade inerente ao bloqueio, que é um tipo de curto-circuito que pode ocorrer em dispositivos de silício a granel.Isto deve-se à ausência de uma junção p-n entre as regiões de tipo n e p que se estendem até ao substrato., que é uma causa típica de bloqueio em dispositivos a granel.
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Dureza por radiação: A configuração estrutural das placas SOI torna os dispositivos construídos sobre elas mais resistentes aos efeitos de radiação, tais como a dose ionizante total (TID) e as perturbações do evento único (SEU).Esta propriedade é crítica para aplicações espaciais e outros ambientes expostos a altos níveis de radiação.
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EscalabilidadeA tecnologia SOI é altamente escalável, permitindo a fabricação de dispositivos com tamanhos de características muito pequenos.
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Compatibilidade com os processos de fabrico convencionais: Apesar de oferecer vantagens únicas, as wafers SOI podem ainda ser processadas utilizando muitas das mesmas técnicas de fabrico que o silício a granel tradicional,que facilita a integração nas linhas de produção existentes.
- Não.
Diâmetro | 4 ¢ | 5 ¢ | 6 ¢ | 8 ¢ | |
Camada de dispositivos |
Suplementos | Boro, fosfato, arsénio, antimônio, não dopado | |||
Orientação | Capacidade de produção | ||||
Tipo | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
Resistividade | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Espessura (mm) | 0.2-150 | ||||
A uniformidade | < 5% | ||||
Capa de caixa |
Espessura (mm) | 0.4-3 | |||
Uniformidade | < 2,5% | ||||
Substrato |
Orientação | Capacidade de produção | |||
Tipo/Dopante | Tipo P/Boro, Tipo N/Phos, Tipo N/As, Tipo N/Sb | ||||
Espessura (mm) | 300 a 725 | ||||
Resistividade | 0.001-20000 Ohm-cm | ||||
Superfície finalizada | P/P, P/E | ||||
Partículas | < 10@.0.3um |
As placas SOI (Silicon-On-Insulator) são um tipo de tecnologia de material semicondutor usada principalmente na indústria de microeletrônica.Estas bolinhas são construídas inserindo uma fina camada de material isolanteEsta configuração oferece várias vantagens em relação às wafers de silício em massa convencionais.
Aplicações de wafers SOI
As placas SOI (Silicon-On-Insulator) são utilizadas em várias aplicações de alta tecnologia devido às suas propriedades únicas, tais como redução da capacidade parasitária, melhor desempenho em altas frequências,menor consumo de energiaAqui estão algumas das aplicações proeminentes de wafers SOI:
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Microprocessadores de alto desempenhoA tecnologia SOI é amplamente utilizada na produção de microprocessadores para computadores e servidores.que é crítico para aplicações de computação de alto desempenho.
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Circuitos de radiofrequência (RF): As placas SOI são particularmente vantajosas para aplicações de RF devido às suas excelentes propriedades de isolamento, que reduzem a conversação cruzada e melhoram o desempenho na comutação de RF e no processamento de sinal.Isso os torna ideais para uso em telefones celulares, redes sem fios e outros dispositivos de comunicação.
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Eletrônicos automotivos: A maior durabilidade e estabilidade operacional dos dispositivos baseados em SOI sob altas temperaturas e condições de radiação os tornam adequados para aplicações automotivas,incluindo as unidades de controlo do motor, sensores automotivos e sistemas de gestão de energia.
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Dispositivos de alimentação: A tecnologia SOI é benéfica em dispositivos de potência utilizados para conversão de tensão e gestão de potência em vários produtos eletrónicos.Estes dispositivos beneficiam da capacidade da SOI de lidar com altas tensões e densidades de potência com melhor eficiência e menor geração de calor.
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MEMS (Sistemas Micro-Electro-Mecânicos): As placas SOI fornecem uma plataforma robusta para o desenvolvimento de dispositivos MEMS, como acelerômetros e giroscópios, que são usados em airbags automotivos, smartphones e outros eletrônicos de consumo.A camada de óxido enterrada nas wafers de SOI oferece excelente isolamento mecânico e elétrico, que é crucial para dispositivos MEMS.
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Fotónica e Optoelectrónica: As propriedades das placas SOI facilitam a integração de componentes ópticos, tais como guias de ondas, moduladores e detectores, com circuitos electrónicos.Esta integração é vital para o desenvolvimento de sistemas optoeletrônicos avançados utilizados na transmissão de dados, telecomunicações e aplicações de detecção.
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Computação Quântica: As wafers SOI estão também a ser exploradas como substratos para o desenvolvimento de bits quânticos (qubits) para computação quântica,graças à sua capacidade de operar a temperaturas criogénicas e à sua compatibilidade com os processos de semicondutores existentes.
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Aplicações espaciais e militares: Os dispositivos construídos com base em wafers SOI são mais resistentes aos efeitos da radiação, tornando-os adequados para aplicações espaciais e equipamentos militares onde a exposição à radiação é uma preocupação.
A tecnologia SOI continua a evoluir, enfrentando desafios cada vez mais complexos nestas aplicações, impulsionando os avanços na electrónica e facilitando novas inovações em numerosos campos.
Perguntas e respostas
O que é uma bolacha de silício SOI?
Uma bolacha de silício SOI (Silicon-On-Insulator) é um tipo de material semicondutor usado predominantemente na indústria da microeletrônica.É constituído por uma fina camada de silício separada de um substrato de silício mais espesso por uma camada de material isolanteEsta estrutura é obtida através de processos de fabricação especializados, como a Separação por Implantação de Oxigénio (SIMOX) ou a técnica Smart Cut.
A principal vantagem das bolhas de silício SOI em relação às bolhas de silício a granel tradicionais é a presença da camada isolante, que reduz significativamente a capacidade parasitária,Melhora o desempenho minimizando o vazamento elétricoIsso leva a melhorias na velocidade, eficiência energética e desempenho geral dos dispositivos eletrônicos.As placas SOI são amplamente utilizadas em várias aplicações, incluindo microprocessadores de alto desempenho, circuitos de radiofrequência (RF), eletrônica de potência e MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems), entre outros.Os seus atributos tornam-nos particularmente adequados para ambientes em que a alta velocidade, baixo consumo de energia e resistência a condições adversas são essenciais.