SOI Wafer Silicon On Insulator 100mm 150mm Tipo de Dopante P B Dispositivo 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | ZMSH |
Número do modelo: | Garrafas de soja |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 5 |
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Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
Termos de pagamento: | T/T |
Informação detalhada |
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Diâmetro: | 100 ± 0,2 mm | Tipo/entorpecente: | P/B |
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orientação: | 1-0-0) ± 0,5° | Espessura:: | 220 ± 10 nm |
Resistividade: | 80,5-11,5 ohm-cm | Acaba.: | Fronteira polida |
Óxido térmico enterrado de soja:: | Espessura: 3 μm±5% | Capa de manuseio de SOI:: | Contacte-nos |
Destacar: | Wafer SOI de 100 mm,Wafer SOI de 150 mm,Wafer SOI tipo P |
Descrição de produto
SOI Wafer Silício em isolante 100mm 150mm Tipo de dopante B Dispositivo: 220 Resistividade: 8,5-11,5 ohm-cm
Página de Detalhes do Produto para Wafer SOI (Silicon-On-Isolator)
Visão geral do produto
Apresentamos as nossas placas de silicone em isolador de alto desempenho, disponíveis em diâmetros de 100 mm e 150 mm.que oferece um isolamento elétrico superiorIdeal para computação de alto desempenho, comunicação de RF, dispositivos MEMS e eletrônica de potência,As nossas placas SOI garantem desempenho e fiabilidade de primeira linha.
Especificações
Dimensões da bolacha:
- Opções de diâmetro: 100 mm (4 polegadas) e 150 mm (6 polegadas)
Camada de dispositivo:
- Materiais: Silício
- Espessura: 220 nanómetros
- Tipo de dopante: Tipo P
- Elementos dopantes: Boro (B)
- Resistividade: 8,5 a 11,5 ohms-cm
Capa de óxido enterrado (BOX):
- Materiais: Dióxido de silício (SiO2)
- Espessura: Personalizavel com base nas necessidades da aplicação (normalmente varia de 200 nm a 2 μm)
Manutenção da bolacha:
- Materiais: Silício
- Tipo: Tipo P (dopado com boro)
- Espessura: espessura padrão de 500-700 μm, proporcionando um suporte mecânico robusto
Características fundamentais
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Isolamento elétrico superior:
- A camada BOX garante um excelente isolamento elétrico entre a camada do dispositivo e a bolacha do cabo, reduzindo significativamente a capacitância parasitária e a intermitência.
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Capa de dispositivo de alta qualidade:
- A camada de dispositivo de silício de tipo P de 220 nm de espessura, dopada com boro, fornece propriedades elétricas ideais para uma variedade de aplicações de semicondutores, garantindo alto desempenho e confiabilidade.
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Resistividade óptima:
- A resistividade da camada do dispositivo de 8,5-11,5 ohm-cm é ideal para aplicações de alta velocidade e baixa potência, equilibrando a condutividade e as características de vazamento.
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Gerenciamento térmico melhorado:
- A estrutura SOI permite uma melhor dissipação de calor, o que é fundamental para manter o desempenho e a longevidade do dispositivo sob condições de alta potência ou alta frequência.
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Estabilidade mecânica:
- A bolacha de punho espessa fornece um suporte mecânico robusto, garantindo a estabilidade da bolacha durante o processo de fabricação e em ambientes operacionais.
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Opções de personalização:
- Oferecemos personalização da espessura da camada BOX e outros parâmetros para atender aos requisitos específicos da aplicação, proporcionando flexibilidade para diversas necessidades de semicondutores.
Aplicações
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Computação de Alto Desempenho:
- Ideal para CPUs, GPUs e outros circuitos lógicos digitais de alta velocidade, oferecendo melhor velocidade e menor consumo de energia.
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Comunicação 5G e RF:
- Perfeito para componentes de RF e processamento de sinal de alta frequência, beneficiando do excelente isolamento e propriedades térmicas.
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Dispositivos MEMS:
- Adequado para a fabricação de dispositivos MEMS, tais como acelerômetros, giroscópios e outros sensores, proporcionando a estabilidade mecânica e precisão necessárias.
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Eletrónica de Potência:
- Utilizado em aplicações de gestão de energia, incluindo interruptores e conversores de energia, onde a gestão térmica e a eficiência são cruciais.
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Circuitos analógicos e de sinal misto:
- Melhora o desempenho dos circuitos analógicos, reduzindo o ruído e a transmissão, tornando-o adequado para processamento de áudio e condicionamento de sinal.
Qualidade e Confiabilidade
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Normas de fabrico:
- As nossas placas SOI são fabricadas de acordo com os mais elevados padrões da indústria, garantindo uma qualidade e um desempenho consistentes.
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Controle de qualidade:
- Existem processos rigorosos de controle de qualidade para garantir que cada wafer atenda às propriedades elétricas, mecânicas e térmicas especificadas.
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Certificações:
- Cumprir as normas internacionais de fabricação de semicondutores, garantindo a compatibilidade com os processos de fabricação globais.
Informações de encomenda
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Disponibilidade:
- As placas SOI de 100 mm e 150 mm estão disponíveis para envio imediato.
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Embalagem:
- As bolinhas são embaladas de forma segura em recipientes antiestáticos, compatíveis com salas limpas, para evitar contaminação e danos durante o transporte.
Atualize as suas aplicações de semicondutores com as nossas sofisticadas placas SOI, concebidas para a excelência e confiabilidade.