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4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas wafers SOI compatível com CMOS estrutura de três camadas
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | SOI wafer |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Conductividade térmica: | Relativamente elevada condutividade térmica | Vantagens de desempenho: | Características elétricas superiores, redução de tamanho, transmissão transversal minimizada entre d |
|---|---|---|---|
| Espessura da camada ativa: | Normalmente variam de algumas a várias dezenas de nanômetros (nm) | Resistividade: | Normalmente variando de várias centenas a vários milhares de ohmsentimetros (Ω·cm) |
| Diâmetro da bolacha: | 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas ou maior | Características do consumo de energia: | Características de baixo consumo de energia |
| Vantagens do processo: | Fornece melhor desempenho do dispositivo eletrônico e menor consumo de energia | Concentração da impureza: | Concentração de baixa impureza destinada a minimizar os efeitos da mobilidade de elétrons |
| Realçar: | Silício em suportes de wafer isolante,Wafers SOI 4 polegadas,CMOS Estrutura de três camadas Wafers SOI |
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Descrição de produto
Wafers SOI 4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas, compatível com CMOS estrutura de três camadas
Descrição do produto:
O SOI (Silicon on Insulator) é uma maravilha pioneira no campo da tecnologia de semicondutores, revolucionando o panorama da eletrónica avançada.Esta bolacha de ponta incorpora um trifecto de inovação, oferecendo desempenho incomparável, eficiência e versatilidade.
No seu núcleo encontra-se uma estrutura de três camadas. A camada superior apresenta uma camada de silício de cristal único, conhecida como a camada de dispositivo, que serve como a base para circuitos integrados.Abaixo dela reside a camada de óxido enterrado, fornecendo isolamento e isolamento entre a camada superior de silício e a base.formando o substrato sobre o qual esta obra-prima tecnológica é construída.
Uma das características destacadas da wafer SOI é a sua compatibilidade com a tecnologia CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor).Esta compatibilidade integra perfeitamente os benefícios do SOI nos processos de fabrico de semicondutores existentes, oferecendo um caminho para um melhor desempenho sem perturbar as metodologias de produção estabelecidas.
A composição inovadora de três camadas da wafer SOI traz uma série de vantagens: reduz drasticamente o consumo de energia, devido às propriedades isolantes da camada de óxido enterrado,que minimiza a capacidade do dispositivo eletrônico e melhora a velocidade e a eficiência do circuitoEsta redução do consumo de energia não só melhora a vida útil da bateria nos dispositivos portáteis, mas também contribui para uma operação de eficiência energética em uma multiplicidade de aplicações.
Além disso, a camada de isolamento da wafer SOI confere uma resistência superior à radiação, tornando-a excepcionalmente adequada para aplicações em ambientes agressivos e de alta radiação.A sua capacidade de atenuar os efeitos da radiação garante a fiabilidade e a funcionalidade, mesmo em condições extremas.
A estrutura de três camadas também diminui a interferência do sinal, otimizando o desempenho dos circuitos integrados, reduzindo a transmissão entre os componentes.Pavimentação do caminho para uma maior eficiência no processamento de dados e na comunicação.
Além disso, a camada de isolamento ajuda na dissipação de calor eficiente, dispersando efetivamente o calor dentro da bolacha.assegurar o desempenho sustentado e a longevidade dos circuitos integrados.
Em conclusão, a wafer SOI representa uma mudança de paradigma na tecnologia de semicondutores.abre um reino de possibilidades para eletrônicos de alto desempenhoDe eletrónica de consumo eficiente em termos de energia a soluções robustas para a aeroespacial e a defesa,O projeto inovador e as vantagens multifacetadas da wafer SOI tornam-na uma pedra angular do mundo em constante evolução da inovação em semicondutores..
Características:
Estrutura de dupla camada: a wafer SOI é composta por três camadas, sendo a camada superior a camada de silício de cristal único (camada de dispositivo),A camada média é a camada isolante (camada de óxido enterrado), sendo a camada inferior o substrato de silício (camada de manuseio).
Baixo consumo de energia: devido à presença da camada isolante, a bolacha SOI apresenta menor consumo de energia em dispositivos eletrônicos.A camada de isolamento reduz o efeito de acoplamento de capacitância entre dispositivos eletrônicos, aumentando assim a velocidade e a eficiência dos circuitos integrados.
Resistência à radiação: a camada isolante da wafer SOI aumenta a resistência do silício à radiação, permitindo um melhor desempenho em ambientes de alta radiação,tornando-o adequado para aplicações específicas.
Redução da transmissão: A presença da camada isolante ajuda a reduzir a transmissão entre os sinais, melhorando o desempenho dos circuitos integrados.
Dispensação de calor: A camada isolante da bolacha SOI contribui para a difusão de calor, aumentando a eficiência de dissipação de calor dos circuitos integrados, ajudando a prevenir o superaquecimento do chip.
Alta integração e desempenho: a tecnologia SOI permite que os chips tenham uma maior integração e desempenho, permitindo que os dispositivos eletrônicos acomodem mais componentes dentro do mesmo tamanho.
Compatibilidade CMOS: as placas SOI são compatíveis com a tecnologia CMOS, beneficiando os processos de fabricação de semicondutores existentes.
Fabricação de placas de SOI
Parâmetros técnicos:
| Parâmetros | Valores |
|---|---|
| Espessura da camada isolante | Aproximadamente várias centenas de nanômetros |
| Resistividade | Normalmente variando de várias centenas a vários milhares de ohmsentimetros (Ω·cm) |
| Processo de Fabricação | Camadas de silício multicristalino preparadas por um processo especial |
| Espessura da camada ativa | Normalmente variam de algumas a várias dezenas de nanômetros (nm) |
| Tipo de doping | Tipo P ou tipo N |
| Camada isolante | Dióxido de silício |
| Qualidade cristalina entre camadas | Estrutura cristalina de alta qualidade, contribuindo para o desempenho do dispositivo |
| Espessura do SOI | Normalmente dentro da faixa de várias centenas de nanômetros a alguns micrômetros |
| Vantagens do processo | Fornece melhor desempenho do dispositivo eletrônico e menor consumo de energia |
| Vantagens de desempenho | Características elétricas superiores, redução de tamanho, transmissão transversal minimizada entre dispositivos eletrônicos, entre outros |
| Conductividade | Alto |
| Oxidação superficial | Disponível |
| Wafer de óxido de silício | Disponível |
| Epitaxia | Disponível |
| Doping | Tipo P ou tipo N |
| I.O.S. | Disponível |
Aplicações:
Fabricação de microprocessadores e circuitos integrados: a tecnologia SOI desempenha um papel fundamental na fabricação de microprocessadores e circuitos integrados.alto desempenho, e resistência à radiação tornam-na uma escolha ideal para microprocessadores de alto desempenho, especialmente em campos como dispositivos móveis e computação em nuvem.
Comunicação e tecnologia sem fios: A aplicação generalizada da tecnologia SOI no sector das comunicações deve-se à sua capacidade de reduzir o consumo de energia e melhorar a integração.Inclui o fabrico de circuitos integrados de alto desempenho para dispositivos de radiofrequência (RF) e microondas, bem como chips eficientes para dispositivos 5G e Internet das Coisas (IoT).
Tecnologia de imagem e sensores: as placas SOI encontram uma utilização significativa na produção de sensores de imagem e vários tipos de sensores.O seu alto desempenho e menor consumo de energia tornam-nos cruciais em áreas como câmaras., equipamento de imagem médica e sensores industriais.
Aeroespacial e Defesa: A natureza resistente à radiação das wafers SOI as torna excelentes em ambientes de alta radiação, levando a aplicações cruciais no aeroespacial e na defesa.São utilizadas na fabricação de componentes-chave para veículos aéreos não tripulados, satélites, sistemas de navegação e sensores de alto desempenho.
Gestão da energia e tecnologias ecológicas: devido ao seu baixo consumo de energia e à sua elevada eficiência, as placas SOI encontram também aplicações na gestão da energia e nas tecnologias ecológicas.Estes incluem a utilização em redes inteligentes, fontes de energia renováveis e dispositivos de economia de energia.
Em geral, a aplicação versátil das wafers SOI abrange vários domínios, devido às suas propriedades únicas,tornando-os um material preferido para muitos dispositivos e sistemas eletrônicos de alto desempenho.
Personalização:
Marca: ZMSH
Número do modelo: wafer SOI
Local de origem: China
O substrato de semicondutor personalizado é fabricado com tecnologia avançada de filme fino, eletro-oxidação, condutividade, filtragem e doping.superfície plana de alta qualidade, reduzindo os defeitos, baixa concentração de impurezas destinadas a minimizar os efeitos da mobilidade dos elétrons, estrutura cristalina de alta qualidade, contribuindo para o desempenho do dispositivo e forte resistência à radiação.
Apoio e Serviços:
Fornecemos suporte técnico e serviço abrangente para nossos produtos de Substrato de Semicondutores, incluindo:
- Orientações para a selecção de produtos
- Instalação e colocação em serviço
- Manutenção, reparações e melhorias
- Resolução de problemas
- Formação e educação dos utilizadores
- Substituição e troca de produtos
Nossa equipe de suporte técnico é composta por profissionais experientes que se comprometem a garantir a satisfação de nossos clientes.Esforçamo-nos para fornecer tempos de resposta rápidos e resolução eficaz de problemas.