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carcaça Dsp Ssp da bolacha do óxido do gálio de 1inch 2inch Beta Coefficient Ga 2O3
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | porcelana |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | Beta Coefficient-Ga 2O3 |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único recipiente da bolacha no quarto desinfetado |
| Tempo de entrega: | em 30days |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
| Habilidade da fonte: | 50pcs/month |
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Informação detalhada |
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| layer: | GaN template | layer thickness: | 1-5um |
|---|---|---|---|
| Melt point (°C): | 1725°C | Conductivity: | Semi-insulating, Fe-doped，Mg-doped |
| Electrical Resistivity: | >1E6 Ohm-cm | Density: | 5.95 g/cm3 |
| Realçar: | bolacha do óxido do gálio 2inch,Carcaça da bolacha de Beta Coefficient Ga 2O3,Carcaça do semicondutor do óxido do gálio |
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Descrição de produto
A bolacha do óxido do gálio de Epiwafers Beta Coefficient-Ga 2O3 do óxido do gálio lubrificou a carcaça Dsp Ssp do quadrado do magnésio Fe3+
O óxido do gálio (Ga2O3) tem-na uma grande energia de faixa-Gap, e pode ser crescido de uma fonte do derretimento. Em consequência, as grandes, carcaças de alta qualidade do único-cristal podem ser fabricadas a um baixo custo. Estas características fazem a Ga2O3 um material prometedor para a eletrônica de poder da próxima geração. Igualmente tem a vantagem alta de reduzir a resistência de série do diodo emissor de luz azul ou do diodo emissor de luz de UVB.
β-Ga2O3 é um composto do óxido do gálio, que seja um material largo do semicondutor da diferença de faixa. Sua estrutura de cristal pertence ao sistema de cristal sextavado, com mobilidade de elétron alta e grande largura de banda, assim que tem uma perspectiva larga da aplicação. Estão aqui alguns detalhes sobre β-Ga2O3:
Propriedades físicas:
Estrutura de cristal: sistema de cristal sextavado
Densidade: ³ de 5,88 g/cm
Entrelace constante: = uns 0,121 nanômetros, c = 0,499 nanômetros
Ponto de derretimento: °C 1725
R.I.: 1.9-2.5
Escala de comprimento de onda transparente: 0.23-6.0μm
Propriedades elétricas:
Largura de banda: 4.8eV
Mobilidade de elétron: 200-600 ² /Vs do cm
Taxa do escapamento: ² de 10^ -5-10 ^-10 A/cm
Potencial REDOX: 2.5V contra NHE
Devido a suas diferença de faixa larga e mobilidade de elétron alta, β-Ga2O3 tem uma perspectiva larga da aplicação na eletrônica de poder, no photoelectronics, nas células solares e nos outros campos. As aplicações específicas incluem:
Detectores ultravioletas e lasers
Diodos dos MOSFETs e do Schottky do poder superior
Sensor de alta temperatura e sensor potencial
Células solares e materiais do diodo emissor de luz
β-Ga2O3 ainda enfrenta alguns desafios na preparação e na aplicação, tal como o crescimento de cristal, o controle da impureza, a fabricação do dispositivo, etc. Contudo, com o desenvolvimento contínuo da tecnologia, a perspectiva da aplicação de β-Ga2O3 é ainda muito larga.
| Óxido do gálio, único cristal Ga2O3 | carcaças 2inch | carcaças de 10*15mm | |||||
| Orientação | (- 201) | (- 201) | (- 201) | (010) | (010) | (010) | |
| Entorpecente | Sn | Un-lubrificado | Sn | Sn | Un-lubrificado | Fe | |
| Condutibilidade | n-tipo | n-tipo | n-tipo | n-tipo | n-tipo | Isolação (>1010 | |
| Nd-Na (cm-3) | 5E17~9E18 | 5E17 ou menos | 5E17~9E18 | 1E18~9E18 | 1E17~5E17 | - | |
| Dimensões | A-B (milímetros) | 50.8±0.3 | 50.8±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 | 15±0.3 |
| CD (milímetros) | 41~49.8 | 41~49.8 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | 10±0.3 | |
| Espessura | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.68±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | 0.5±0.02 | |
| Referência (m | Fig.1 | Fig.1 | Fig.2 | Fig.3 | Fig.3 | Fig.3 | |
| Ângulo de offset (grau) |
[010]: 0±0.4 | [010]: 0±0.4 | [010]: 0±0.4 | 丄 [102]: 0±1 | 丄 [102]: 0±1 | 丄 [102]: 0±1 | |
| [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0.7±0.4 | [102]: 0±1 | [102]: 0±1 | [102]: 0±1 | ||
| FWHM (arcsec) | [010]: 150 ou menos | [010]: 150 ou menos | [010]: 150 ou menos | 丄 [102]: 150 ou | 丄 [102]: 150 ou | 丄 [102]: 150 ou | |
| [102]: 150 ou menos | [102]: 150 ou menos | [102]: 150 ou menos | [102]: 150 ou menos | [102]: 150 ou menos | [102]: 150 ou menos | ||
| Superfície | Parte dianteira | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP | CMP |
| Para trás | Áspero | Áspero | Áspero | Áspero | Áspero | Áspero |
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| Artigo | Especificação | |||||
| Orientação | -100 | |||||
| Lubrificado | UID | Magnésio | Fe | |||
| Parâmetro elétrico | 1 ×1017~3×1018cm-3 | ≥1010 Ω ·cm | ≥1010 Ω ·cm | |||
| largura da metade-altura da curva do balanço do Gêmeo-cristal | ≤150 | |||||
| Densidade de deslocação | <1×10 5 cm2 | |||||
| Dimensão | A-B | CD | 厚度 | |||
| 10mm | 10.5mm | 0,5 (±0.02) milímetros | ||||
| 5mm | 10mm | 0,5 (±0.02) milímetros | ||||
| Nivelamento | O lado longo é orientação [de 010] | |||||
| Superfície | DSP/SSP | |||||
| Ra<0> | ||||||
| Mis<> | ||||||
