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Polegada 4Inch N de VGF 2/tipo carcaça de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | NC |
| Marca: | ZMSH |
| Certificação: | ROHS |
| Número do modelo: | Carcaça do GaAs |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 3PCS |
|---|---|
| Preço: | BY case |
| Detalhes da embalagem: | único recipiente da bolacha sob o quarto desinfetado |
| Tempo de entrega: | 4-6weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union |
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Informação detalhada |
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| Material: | Bolacha da carcaça do GaAs | Tamanho: | 2inch 3inch 4inch 6inch |
|---|---|---|---|
| Método do crescimento: | VGF | EPD: | <500> |
| dopante: | undoped Zn-lubrificado Si-lubrificado | TTV DDP: | 5um |
| TTV SSP: | 10um | orientação: | 100+/-0.1 graus |
| Realçar: | Carcaça do semicondutor do crescimento Epitaxial,Tipo bolacha de P do GaAs,Carcaça do semicondutor da bolacha do GaAs |
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Descrição de produto
Tipo tipo carcaça da polegada 4Inch N de VGF 2 de P do semicondutor da bolacha do GaAs para o crescimento Epitaxial
N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial
O arsenieto de gálio pode ser feito em materiais deisolamento da alto-resistência com resistividade mais de 3 ordens de grandeza mais altos do que o silicone e o germânio, que são usados para fazer carcaças do circuito integrado, os detectores infravermelhos, os detectores do fotão da gama, etc. Porque sua mobilidade de elétron é 5 a 6 vezes maior do que aquela do silicone, tem aplicações importantes na fabricação de dispositivos da micro-ondas e de circuitos digitais de alta velocidade. O arsenieto de gálio feito do arsenieto de gálio pode ser feito em materiais deisolamento da alto-resistência com resistividade de mais de 3 ordens de grandeza mais altamente do que o silicone e o germânio, que são usados para fazer carcaças do circuito integrado e os detectores infravermelhos.
1. Aplicação do arsenieto de gálio na ótica eletrónica
2. Aplicação do arsenieto de gálio na microeletrônica
3. Aplicação do arsenieto de gálio em uma comunicação
4. Aplicação do arsenieto de gálio na micro-ondas
5. Aplicação do arsenieto de gálio nas células solares
Especificação das bolachas do GaAs
| Tipo/entorpecente | Semi-isolado | P-Type/Zn | N-Type/Si | N-Type/Si |
| Aplicação | Micro Eletronic | Diodo emissor de luz | Diodo láser | |
| Método do crescimento | VGF | |||
| Diâmetro | 2", 3", 4", 6" | |||
| Orientação | (100) ±0.5° | |||
| Espessura (µm) | 350-625um±25um | |||
| OF/IF | E.U. EJ ou entalhe | |||
| Concentração de portador | - | (0.5-5) *1019 | (0.4-4) *1018 | (0.4-0.25) *1018 |
| Resistividade (ohm-cm) | >107 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 | (1.2-9.9) *10-3 |
| Mobilidade (cm2/V.S.) | >4000 | 50-120 | >1000 | >1500 |
| Densidade do passo gravura em àgua forte (/cm2) | <5000> | <5000> | <5000> | <500> |
| TTV [P/P] (µm) | <5> | |||
| TTV [P/E] (µm) | <10> | |||
| Urdidura (µm) | <10> | |||
| De superfície terminado | P/P, P/E, E/E | |||
O arsenieto de gálio é o material o mais importante e o mais amplamente utilizado do semicondutor em semicondutores compostos, e é igualmente o material o mais maduro e o maior do semicondutor composto na produção presentemente.
Os dispositivos do arsenieto de gálio que foram usados são:
- Diodo da micro-ondas, diodo de Gunn, diodo de varactor, etc.
- Transistor da micro-ondas: transistor de efeito de campo (FET), transistor de mobilidade de elétron alto (HEMT), transistor bipolar da heterojunção (HBT), etc.
- Circuito integrado: circuito integrado monolítico da micro-ondas (MMIC), circuito integrado ultra-alto da velocidade (VHSIC), etc.
- Componentes de Salão, etc.
- Diodo luminescente infravermelho (diodo emissor de luz do IR); Diodo luminescente visível (diodo emissor de luz, usado como a carcaça);
- Diodo láser (LD);
- Detector claro;
- Célula solar de grande eficacia;
