o lado de 4inch 101.6mm Sapphire Wafer Substrate Carrier Single lustrou único Crystal Al 2O3
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | ZMSH |
Certificação: | ROHS |
Número do modelo: | 4INCH*0.5mmt |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 25pcs |
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Preço: | by case |
Detalhes da embalagem: | na caixa da bolacha da gaveta 25pcs sob o quarto desinfetado 100grade |
Tempo de entrega: | 1 semanas |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Habilidade da fonte: | 1000pcs pelo mês |
Informação detalhada |
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Material: | único cristal Al2O3 99,999% da safira | orientação: | C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS |
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Superfície: | SSP DSP ou moedura | Espessura: | 0.17mm, 0.5mm ou outro |
Aplicação: | vidro conduzido ou ótico | Método do crescimento: | KY |
Tamanho: | 4inch DIA100mm | Pacote: | 25/Cassette |
Realçar: | 4inch Sapphire Wafer Substrate Carrier,Único Crystal Al 2O3 Sapphire Substrate,Único portador lustrado lateral da carcaça |
Descrição de produto
o lado de 4inch 101.6mm Sapphire Wafer Substrate Carrier Single lustrou único Crystal Al 2O3
Cristal de safira aproximadamente sintético
A safira é um único cristal da alumina e é o material segundo-o mais duro na natureza, após o diamante. A safira tem o bom transmitância claro, de grande resistência, resistência da colisão, veste a resistência, resistência de corrosão, e a resistência de alta temperatura e de alta pressão, biocompatibility é um material ideal da carcaça para a produção dos dispositivos optoelectronic do semicondutor, as propriedades elétricas da safira para fazê-la transformar-se o material da carcaça para a produção do diodo emissor de luz branco e azul.
Espessura ≧0.1mm da produção da nossa empresa, e seu forma bolacha a longo prazo da safira elevada precisão do tamanho ≧Φ2 da”. Além do que o Φ2 convencional “, Φ4”, Φ6 “, Φ8”, Φ10 “, Φ12” e outros tamanhos podem ser personalizados, contactam por favor nossa equipe de vendas.
A safira (carcaça do ₃ do ₂ do Al O) é um tipo do material para microplaquetas do diodo emissor de luz. Devido a sua estabilidade alta, ₃ da safira é apropriado para o crescimento de alta temperatura. Finalmente, a safira é mecanicamente forte e fácil de segurar e limpar. Consequentemente, a safira é usada geralmente como uma carcaça para a maioria de processos.
Sapphire Properties
Físico | |
Fórmula química | Al2O3 |
Densidade | 3,97 g/cm3 |
Dureza | 9 Mohs |
Ponto de derretimento | OC 2050 |
Temperatura máxima do uso | 1800-1900oC |
Mecânico | |
Resistência à tração | 250-400 MPa |
Força compressiva | MPa 2000 |
A relação de Poisson | 0.25-0.30 |
Módulo Young | 350-400 GPa |
Força de dobra | 450-860 MPa |
Módulo do êxtase | 350-690 MPa |
Térmico | |
Taxa linear da expansão (em 293-323 K) | 5.0*10-6K-1 (⊥ C) |
6.6*10-6K-1 (∥ C) | |
Condutibilidade térmica (em 298 K) | 30,3 com (m*K) (⊥ C) |
32,5 com (m*K) (∥ C) | |
Calor específico (em 298 K) | 0,10 cal*g-1 |
Elétrico | |
Resistividade (em 298 K) | 5.0*1018 Ω*cm (⊥ C) |
1.3-2.9*1019 Ω*cm (∥ C) | |
Constante dielétrica (em 298 K, em um intervalo de 103 - 109 hertz) | 9,3 (⊥ C) |
11,5 (∥ C) |
A safira sintética é uns único 99,99% Al2O3 puros de cristal transparente que exiba uma combinação original de propriedades físicas, químicas, elétricas e óticas: condutibilidade térmica alta, de grande resistência, resistência do risco, dureza (9 na escala de Mohs), transparente em uma vasta gama de comprimento de onda, inertness químico.
A perfeição de cristal alta, a baixa reatividade, e o tamanho de pilha apropriado da unidade fazem a safira uma carcaça excelente na indústria do semicondutor para os diodos luminescentes azuis (diodo emissor de luz).
Desde o Prêmio Nobel na física Shuji Nakamura usou a carcaça da safira nos anos 90 para o diodo emissor de luz, a procura para o cristal de safira tem crescido rapidamente.
Conduz o desenvolvimento dos novos mercados como a iluminação geral, a iluminação da parte traseira nos aparelhos de televisão, as exposições, os dispositivos do consumidor, o espaço aéreo e a defesa, e as outras aplicações
Especificações do portador da carcaça da bolacha da safira 4inch
Especs. | 2 polegadas | 4 polegadas | 6 polegadas | 8inch |
Diâmetro | ± 50,8 0,1 milímetros | ± 100 0,1 milímetros | ± 150 0,1 milímetros | ± 200 0,1 milímetros |
Grosso | 430 ± 25 um | 650 ± 25 um | ± 1300 25 um | ± 1300 25 um |
Ra | ≤ do Ra 0,3 nanômetros | ≤ 0.3nm do Ra | ≤ 0.3nm do Ra | ≤ do Ra 0,3 nanômetros |
TTV | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um | ≤ 10um |
Tolerância | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um | ≤ 3 um |
Superfície da qualidade | 20/10 | 20/10 | 20/10 | 20/10 |
Estado de superfície | Moedura de DSP SSP | |||
Forma | Círculo com entalhe ou nivelamento | |||
Chanfradura | 45°, forma de C | |||
Material | Al2O3 99,999% | |||
N/O | Bolacha da safira |
O material é crescido e orientado, e as carcaças são fabricadas e lustradas a uma superfície Epi-pronta livre de dano extremamente liso em um ou ambo o lado da bolacha. Uma variedade de orientações da bolacha e tamanhos até 6" no diâmetro estão disponíveis.
As carcaças da safira do Um-plano - são usadas geralmente para as aplicações microeletrónicas híbridas que exigem uma constante de dielétrico uniforme e que isolam altamente características.
Carcaças do C-plano - tenda a ser usado para o todo-v e compostos do ll-Vl, tais como GaN, para o diodo emissor de luz brilhante e diodos láser azuis e verdes.
Carcaças do R-plano - estes são preferidos para o depósito hetero-epitaxial do silicone usado em aplicações microeletrónicas de IC.
Bolacha padrão bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas |
Corte especial
bolachas da safira do Um-plano (1120) bolachas da safira do R-plano (1102) bolachas da safira do M-plano (1010) bolachas da safira do N-plano (1123) C-linha central com um offcut de 0.5°~ 4°, para a Um-linha central ou a M-linha central A outra orientação personalizada |
Tamanho personalizado
bolacha da safira de 10*10mm bolacha da safira de 20*20mm Bolacha ultra fina da safira (100um) bolacha da safira de 8 polegadas |
Sapphire Substrate modelada (PSS)
C-plano PSS de 2 polegadas C-plano PSS de 4 polegadas |
2inch |
DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm /0.5mm/ 1.0mmt C-linha central 0.2/0.43mm de SSP (DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
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3inch |
C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
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4Inch |
dsp c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm c-linha central 0.5mm/0.65mm/1.0mmt do ssp
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6inch |
c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp
c-linha central 0.65mm/0.8mm/1.0mmt do dsp
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detalhes da safira da bolacha da safira 4inch de 101.6mm
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