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Bolachas 350 do fosforeto de índio do InP do único cristal - espessura 650um
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | CHINA |
| Marca: | zmkj |
| Número do modelo: | InP |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 3 PECAS |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 1000 categorias |
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union |
| Habilidade da fonte: | 500pcs |
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Informação detalhada |
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| Material: | InP | Método do crescimento: | vFG |
|---|---|---|---|
| Tamanho: | 2~ 4 POLEGADAS | Espessura: | 350-650um |
| Aplicação: | Material direto do semicondutor do bandgap de III-V | Superfície: | ssp/dsp |
| Pacote: | única caixa da bolacha | ||
| Realçar: | Único Crystal Indium Phosphide Wafers,bolachas do fosforeto de índio 650um,Bolachas da carcaça do semicondutor do InP |
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Descrição de produto
o TIPO carcaça S+/lubrificado bolachas Zn+ /Fe + fosforeto das bolachas 3inch 4inch N/P do InP 2inch do semicondutor do InP de índio baseou carcaça do InP Crystal Wafer Dummy Prime Semiconductor da polegada 350-650 da bolacha 2 inch/3 inch/4 do InP de Crystal Indium Phosphide Wafers da bolacha Epitaxial a única um
Co. novos Ltd. dos materiais de Shanghai Xinkehui
Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico custiomized amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na eletrônica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D. É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.
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tamanho (milímetros)
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Dia50.8x0.5mm, 10×10×0.5mm, 10×5×0.5mm pode ser personalizado
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Ra
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Aspereza de superfície (Ra):<>
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Polonês
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Único ou dobros tome partido lustrado
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Pacote
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100 únicos ou os dobros tomam partido lustrado
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Tem as vantagens da velocidade eletrônica alta da tração do limite, da boa resistência de radiação, e da boa condução de calor. Apropriado para
dispositivos de alta frequência, de alta velocidade, de alta potência da fabricação da micro-ondas e circuitos integrados.
Características da bolacha do Inp
1. O cristal é crescido pela tecnologia líquido-selada do reto-desenho (LEC), com tecnologia madura e o elétrico estável
desempenho.
2. o instrumento direcional de utilização do raio X para a orientação precisa, o desvio da orientação de cristal é somente ±0.5°
3. a bolacha é lustrada pela tecnologia (CMP) de lustro mecânica química, com aspereza de superfície <0> 4. para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”
5. de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações
desempenho.
2. o instrumento direcional de utilização do raio X para a orientação precisa, o desvio da orientação de cristal é somente ±0.5°
3. a bolacha é lustrada pela tecnologia (CMP) de lustro mecânica química, com aspereza de superfície <0> 4. para conseguir “as exigências prontos para uso da caixa aberta”
5. de acordo com exigências de usuário, processamento especial do produto das especificações
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Diâmetro da bolacha (milímetros)
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50.8±0.3
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76.2±0.3
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100±0.3
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Espessura (um)
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350±25
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625±25
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625±25
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TTV-P/P (um)
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≤10
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≤10
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≤10
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TTv-P/E (um)
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≤10
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≤15
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≤15
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ENTORTE (um)
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≤15
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≤15
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≤15
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DE (milímetros)
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17±1
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22±1
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32.5±1
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OF/IF (milímetro)
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7±1
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12±1
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18±11
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| Descrição | Aplicação | Escala de comprimento de onda |
| O InP baseou a Epi-bolacha | Laser do FP | ~1310nm; ~1550nm; ~1900nm |
| Laser de DFB | 1270nm~1630nm | |
| Fotodetector da avalancha | 1250nm~1600nm | |
| Fotodetector | 1250nm~1600nm/>2.0um (camada absorvente de InGaAs);<1> |
| Nome do produto |
| Folha policristalina da carcaça do fosforeto de índio da pureza alta |
| Cristal lubrificado ferro do fosforeto de índio |
| N-tipo e P-tipo cristal do fosforeto de índio |
| Fosforeto de índio único Crystal Ingot de 4 polegadas |
| O fosforeto de índio baseou a bolacha Epitaxial |
| Semicondutor Crystal Substrate do fosforeto de índio |
| Fosforeto de índio único Crystal Substrate |
| Antimonite único Crystal Substrate do índio |
| Arsênico único Crystal Substrate do índio |
---FAQ –
Q: São você uma empresa comercial ou o fabricante?
: o zmkj é uma empresa comercial mas tem um fabricante da safira
como um fornecedor de bolachas dos materiais do semicondutor para um período largo das aplicações.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Geralmente é 5-10 dias se os bens estão no estoque. ou é 15-20 dias se os bens não são
no estoque, é de acordo com a quantidade.
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra?
: Sim, nós poderíamos oferecer a amostra para a carga livre mas não pagamos o custo do frete.
Q: Que são seus termos de pagamento?
: Payment=1000USD<>,
50% T/T adiantado, equilíbrio antes da expedição.
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