• Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas
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Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas

Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Certificação: ROHS
Número do modelo: bolachas do Ge 2iNCH

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 3PCS
Preço: by specification
Detalhes da embalagem: única caixa do recipiente das bolachas abaixo quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-4weeks;
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 100PCS/MONTH
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Germânio de cristal Orientação: 100/110
Tamanho: 2inch Espessura: 325um
lubrificado: N-tipo Sb-lubrificado ou GA-lubrificado superfície: SSP
TTV: 《10um Resistividade: 1-10ohm.cm
MOQ: 10PCS Aplicação: faixa infravermelha
Realçar:

Carcaça do semicondutor do germânio de SSP

,

Bolachas infravermelhas do Ge da faixa

,

Carcaça do semicondutor 2 polegadas

Descrição de produto

 

2inch o N-tipo único lado lustrou a janela do Ge da carcaça do germânio das bolachas do Ge para os lasers infravermelhos do CO2

 

Diâmetro: espessura de 25.4mm: 0.325mm

 

 

Shanghai Co de comércio famoso. Ofertas do Ltd 2", 3", 4", e 6" bolachas do germânio, que é curto para as bolachas do Ge crescidas por VGF/LEC. P e o N-tipo levemente lubrificados bolachas do germânio podem igualmente ser usados para as experiências de efeito hall. Na temperatura ambiente, o germânio cristalino é frágil e tem pouca plasticidade. O germânio tem propriedades do semicondutor. o germânio da Alto-pureza é lubrificado com elementos trivalentes (tais como o índio, o gálio, e o boro) para obter o P-tipo semicondutores do germânio; e os elementos pentavalent (tais como o antimônio, o arsênico, e o fósforo) são lubrificados para obter o N-tipo semicondutores do germânio. O germânio tem boas propriedades do semicondutor, tais como a mobilidade de elétron alta e a mobilidade de furo alta.

 

Processo da bolacha do germânio

Com o avanço da ciência e da tecnologia, a técnica de processamento de fabricantes da bolacha do germânio é cada vez mais madura. Na produção de bolachas do germânio, o dióxido do germânio do processamento do resíduo é refinado mais em etapas da cloração e da hidrólise.
1) o germânio da Alto-pureza é obtido durante a refinação da zona.
2)Um cristal do germânio é produzido através do processo de Czochralski.
3)A bolacha do germânio é fabricada através de diversos que cortam, moendo, e gravando etapas.
4)As bolachas são limpadas e inspecionadas. Durante este processo, as bolachas são único-lado lustrado ou o dobro-lado lustrado de acordo com disposições alfandegárias, bolacha epi-pronta vem.
5)As bolachas finas do germânio são embaladas em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

Aplicação do germânio:

A placa ou a janela do germânio são usadas na visão noturna e em soluções thermographic da imagem latente para a segurança comercial, a luta contra o incêndio e o equipamento de monitoração industrial. Também, são usados como filtros para analítico e equipamento de medição, janelas para a medida remota da temperatura, e espelhos para lasers.

As carcaças finas do germânio são usadas em células solares da triplo-junção de III-V e para sistemas concentrados poder do picovolt (CPV) e como uma carcaça do filtro ótico para uma aplicação longa do filtro da passagem SWIR.

Propriedades gerais da bolacha do germânio

As propriedades gerais estruturam Cúbico, = uns 5,6754 Å
Densidade: 5,765 g/cm3
Ponto de derretimento: 937,4 OC
Condutibilidade térmica: 640
Crystal Growth Technology Czochralski
Lubrificação disponível Undoped Lubrificação do Sb Lubrificação dentro ou GA
Tipo condutor / N P
Resistividade, ohm.cm >35 < 0="">0,05 – 0,1
EPD < 5=""> < 5=""> < 5="">
< 5=""> < 5=""> < 5="">

 

 

Detalhe do produto:

 

nível do mpurity menos de 10 ³ do ³ atoms/cm

Material:                    Ge
Crescimento:                        CZ
Categoria:             Categoria principal
Tipo/entorpecente: Tipo-n, undoped
Orientação: [100] ±0,3º
Diâmetro: 25,4 milímetros ±0,2 milímetro
Espessura: 325 µm do µm ±15
Plano: 32 milímetros ±2 milímetro @ [110] ±1º
Resistividade: 55-65 Ohm.cm
EPD: < 5000=""> Parte anterior: Lustrado (epi-pronto, verso <0> do Ra: Moído/gravado
TTV: <10> Partículas: 0,3
Marcação do laser: nenhuns
Empacotamento: única bolacha


 

Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas 0Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas 1Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas 2

 

Q1. É você uma fábrica?

A1: Sim, nós somos um fabricante profissional de componentes óticos, nós temos mais de 20 anos de experiência na trabalho a frio ótica.
 
Q2. Que é o MOQ de seus produtos?
A2: Nenhum MOQ para o cliente se nosso produto está no estoque, ou 1-10pcs.
 
Q3: Posso eu feito sob encomenda os produtos baseados em minha exigência?
A3: Sim, nós podemos costume o material, as especificações e o revestimento ótico para seus componentes óticos como sua exigência.
 
 
Q4. Quantos dias as amostras serão terminadas? Como sobre produtos maciços?
A4: Geralmente, nós precisamos 1~2 dias de terminar a produção da amostra. Quanto para aos produtos maciços, dependem de sua quantidade da ordem.
 
Q5. Que é o prazo de entrega?
A5: (1) para o inventário: o prazo de entrega é 1-3 dias de trabalho. (2) para produtos personalizados: o prazo de entrega é 7 a 25 dias de trabalho. De acordo com a quantidade.
 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em Bolachas do Ge da carcaça do semicondutor do germânio de SSP para a faixa infravermelha 100/110 2 polegadas você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
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