Nome da marca:	ZMKJ
Número do modelo:	4 polegadas - pureza alta
MOQ:	1pcs
preço:	1000-2000usd/pcs by FOB
Detalhes da embalagem:	único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Condições de pagamento:	T / União, T Ocidental, MoneyGram

Informações detalhadas

Descrição do produto

Informações detalhadas

Lugar de origem:

China

Material:

SiC de alta pureza de cristal único tipo 4H-semi

Nota:

Fabricação de produtos de fabrico

Thicnkss:

500um

Suraface:

CMP/MP

Aplicativo:

Dispositivo 5G

Diâmetro:

100 ± 0,3 mm

Habilidade da fonte:

1-50pcs/month

Destacar:

carcaça do carboneto de silicone

sic bolacha

Descrição do produto

Substrato de carburo de silício de alta pureza de 4H-N, diâmetro 150 mm, de 4 polegadas e 6 polegadas, de cristal único (sic), bolhas, lingotes de cristal sicSubstratos de semicondutores sic,Wafer de cristal de carburo de silício/Wafer de silicone cortado sob medida

Wafer de carburo de silício de alta pureza Prime/Dummy/Ultra Grade 4H-Semi SiC Wafers para dispositivo 5G

Sobre o cristal de carburo de silício (SiC)

O carburo de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC.O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam a altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos.O SiC é também um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o crescimento de dispositivos GaN e também serve como um dispersor de calor em LEDs de alta potência.

Propriedades do cristal único de 4H-SiC

Parâmetros da rede: a=3,073Å c=10,053Å
Sequência de empilhamento: ABCB
Dureza de Mohs:2
Densidade: 3,21 g/cm3
Coeficiente de expansão térmica: 4-5×10-6/K
Índice de refração: no= 2,61 ne= 2.66
Constante dielétrica: 9.6
Conductividade térmica: a~4,2 W/cm·K@298K
(tipo N, 0,02 ohm.cm) c~3,7 W/cm·K@298K
Conductividade térmica: a~4,9 W/cm·K@298K
(Semi-isolação) c~3,9 W/cm·K@298K
Distância de banda: 3,23 eV Distância de banda: 3,02 eV
Campo elétrico de ruptura: 3-5×10 6V/m
Velocidade de deriva de saturação: 2,0 × 105 m/

Wafer de carburo de silício de alta pureza 0

Carbono de silício (SiC) de alta pureza de 4 polegadas de diâmetro Especificação do substrato

4 polegadas de diâmetro de alta pureza 4H Silicon Carbide Substrate especificações

Propriedade do substrato	Grau de produção	Grau de investigação	Grau de simulação
Diâmetro	1000,0 mm+0.0/-0,5 mm
Orientação da superfície	{0001} ± 0,2°
Orientação plana primária	< 11 -20> ± 5,0 ̊
Orientação plana secundária	90.0 ̊ CW a partir de Primary ± 5.0 ̊, silício para cima
Duração plana primária	32.5 mm ± 2,0 mm
Duração plana secundária	180,0 mm ± 2,0 mm
Borda da bolacha	Chamfer
Densidade dos microtubos	≤ 5 micropipes/cm2	≤10 micropipes/cm2	≤ 50micropipes/cm2
Áreas de politipo por luz de alta intensidade	Nenhum permitido		≤10% da área
Resistividade	≥1E5Óm·cm		(Área 75%)≥ 1E5Óm·cm
Espessura	3500,0 μm ± 25,0 μmou 5000,0 μm ± 25,0 μm
TTV	- Não.10 μm		- Não.15 μm
Incline-se.(Valor absoluto)	- Não.25 μm		- Não.30 μm
Warp.	- Não.45μm
Revestimento de superfície	Polonês duplo lado, Si Face CMP(Polir químico)
Superfície rugosa	CMP Si Face Ra≤0,5 nm		N/A
Fissuras causadas por luz de alta intensidade	Nenhum permitido
Chips/indentes de borda por iluminação difusa	Nenhum permitido	Qty.2<1Largura e profundidade de 0,0 mm	Qty.2<1Largura e profundidade de 0,0 mm
Área útil total	≥ 90%	≥ 80%	N/A

* As outras especificações podem ser personalizadas de acordo com o cliente- Não.requisitos

Substratos 4H-SiC semi-isolantes de alta pureza de 6 polegadas Especificações

Imóveis	Grau U (Ultra)	P(Produção)Grau	R(Investigação)Grau	D(Tonto.)Grau
Diâmetro	1500,0 mm±0,25 mm
Orientação da superfície	{0001} ± 0,2°
Orientação plana primária	< 11-20> ± 5,0 ̊
Orientação plana secundária	N/A
Duração plana primária	47.5 mm ± 1,5 mm
Largura do plano secundário	Nenhum
Borda da bolacha	Chamfer
Densidade dos microtubos	≤ 1 /cm2	≤ 5 /cm2	≤ 10 /cm2	≤ 50 /cm2
Área de politipo por luz de alta intensidade	Nenhum			≤ 10%
Resistividade	≥1E7 Ω·cm			(Área 75%)≥1E7 Ω·cm
Espessura	350.0 μm ± 25,0 μm ou 500.0 μm ± 25,0 μm
TTV	- Não.10 μm
Arco (valor absoluto)	- Não.40 μm
Warp.	- Não.60 μm
Revestimento de superfície	Face C: polida ópticamente, face Si: CMP
Roughness (Rauvidade)μm×10μ(m)	CMP Si-face Ra<0.5 nm			N/A
Fragmentação por luz de alta intensidade	Nenhum
Chips/indentes de borda por iluminação difusa	Nenhum		Qty≤2, comprimento e largura de cada<1 mm
Área eficaz	≥ 90%		≥ 80%	N/A

* Os limites de defeitos aplicam-se a toda a superfície da bolacha, com excepção da área de exclusão da borda.

Sobre aplicações de substratos de SiC

CATALOGO Tamanho comum

Tipo 4H-N / Wafer/esferas de SiC de alta pureza Wafer SiC tipo N de 2 polegadas e 4H Wafer SiC tipo N de 3 polegadas 4H Wafer SiC de tipo N de 4 polegadas e 4H Wafer SiC tipo N de 6 polegadas 4H/lingotes	4H Semi-isolação / Alta purezaWafer de SiC 2 polegadas 4H Wafer de SiC semi-isolante Wafer de SiC semi-isolante de 3 polegadas 4H Wafer de SiC semi-isolante de 4 polegadas 4H Wafer de SiC semi-isolante de 6 polegadas 4H
Wafer SiC de tipo N 6H Wafer SiC tipo N de 6H de 2 polegadas/ingota	Tamanho personalizado para 2-6 polegadas

Wafer de carburo de silício de alta pureza 1

Sale & Serviço ao Cliente

Compra de materiais

O departamento de aquisição de materiais é responsável por reunir todas as matérias-primas necessárias para produzir o seu produto.incluindo análises químicas e físicas estão sempre disponíveis.

Qualidade

Durante e após a fabricação ou usinagem dos seus produtos, o departamento de controlo de qualidade está envolvido em assegurar que todos os materiais e tolerâncias atendam ou excedam as suas especificações.

Serviço

Temos orgulho de ter pessoal de engenharia de vendas com mais de 5 anos de experiência na indústria de semicondutores.Eles são treinados para responder a perguntas técnicas, bem como fornecer cotações oportunas para suas necessidades.

Estamos ao seu lado sempre que tiver um problema, e resolvemo-lo em 10 horas.

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