Bolacha lubrificada si do GaAs do arsenieto de gálio da carcaça do semicondutor para Microwave/HEMT/PHEMT
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | zmkj |
Número do modelo: | 6inch S-C-N |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 5pcs |
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Preço: | by case |
Detalhes da embalagem: | a única bolacha embalou em 6" caixa plástica sob o N2 |
Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
Termos de pagamento: | T / União, T Ocidental, MoneyGram |
Habilidade da fonte: | 500pcs por mês |
Informação detalhada |
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Materiais: | Único cristal do GaAs | Tamanho: | 6inch |
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Espessura: | 650um ou customzied | Do tipo: | entalhe ou do plano |
Orientação: | (100) 2°off | superfície: | DSP |
Método do crescimento: | VFG | ||
Realçar: | carcaça do gasb,bolacha de semicondutor |
Descrição de produto
o tipo de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N Si-lubrificou a bolacha do GaAs do arsenieto de gálio
Descrição do produto
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs)
PWAM desenvolve e fabrica o cristal e a bolacha do arsenieto do carcaça-gálio do semicondutor composto. Nós usamos tecnologia avançada do crescimento de cristal, o gelo vertical do inclinação (VGF) e da bolacha do GaAs tecnologia de processamento, estabelecemos uma linha de produção do crescimento de cristal, corte, moendo ao processamento de lustro e construímos um quarto desinfetado de 100 classes para a limpeza e o empacotamento da bolacha. Nossa bolacha do GaAs inclui o lingote/bolachas de 2~6 polegadas para o diodo emissor de luz, o LD e as aplicações da microeletrônica. Nós somos dedicados sempre para melhorar atualmente a qualidade de substates e para desenvolver grandes carcaças do tamanho.
Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do diodo emissor de luz
- 1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.
- 2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.
- 3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.
ESPECIFICAÇÃO --N-tipo bolacha do Si-entorpecente de 6 polegadas do arsenieto de gálio de SSP/DSP LED/LD
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Método do crescimento
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VGF
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Orientação
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<100>
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Diâmetro
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150,0 +/- 0,3 milímetros
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Espessura
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650um +/- 25um
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Polonês
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Escolha (SSP) lustrado tomado partido
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Aspereza de superfície
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Lustrado
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TTV/Bow
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<10um>
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Entorpecente
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Si
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Tipo da condutibilidade
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N-tipo
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Resistividade (no RT)
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(1.2~9.9) *10-3 ohm cm
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Densidade do poço gravura em àgua forte (EPD)
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Diodo emissor de luz <5000>2; LD <500>
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Mobilidade
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Cm2 do diodo emissor de luz >1000/v.s; Cm2 do LD >1500/v.s
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Concentração de portador
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Diodo emissor de luz > (0.4-4) *1018 /cm 3; LD > (0.4-2.5) *1018 /cm3
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Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs
Método do crescimento |
VGF |
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Entorpecente |
p-tipo: Zn |
n-tipo: Si |
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Forma da bolacha |
Redondo (diâmetro: 2", 3", 4", 6") |
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Orientação de superfície * |
(100) ±0.5° |
|||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação |
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Entorpecente |
Si (n-tipo) |
Zn (p-tipo) |
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Concentração de portador (cm-3) |
(0.8-4) × 1018 |
(0.5-5) × 1019 |
||
Mobilidade (cm2/V.S.) |
× 103 (de 1-2.5) |
50-120 |
||
Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) |
100-5000 |
3,000-5,000 |
||
Diâmetro da bolacha (milímetro) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
|
Espessura (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
|
TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
|
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
URDIDURA (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
|
DE (milímetro) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
|
DE/SE (milímetro) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
|
Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs
Método do crescimento |
VGF |
|||
Entorpecente |
Tipo do SI: Carbono |
|||
Forma da bolacha |
Redondo (diâmetro: 2", 3", 4", 6") |
|||
Orientação de superfície * |
(100) ±0.5° |
|||
* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação |
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Resistividade (Ω.cm) |
× 107 do ≥ 1 |
× 108 do ≥ 1 |
||
Mobilidade (cm2/V.S) |
≥ 5.000 |
≥ 4.000 |
||
Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) |
1,500-5,000 |
1,500-5,000 |
||
Diâmetro da bolacha (milímetro) |
50.8±0.3 |
76.2±0.3 |
100±0.3 |
150±0.3 |
Espessura (µm) |
350±25 |
625±25 |
625±25 |
675±25 |
TTV [P/P] (µm) |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
URDIDURA (µm) |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 10 |
≤ 15 |
DE (milímetro) |
17±1 |
22±1 |
32.5±1 |
ENTALHE |
DE/SE (milímetro) |
7±1 |
12±1 |
18±1 |
N/A |
Polish* |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
E/E, P/E, P/P |
FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a lente da bola, a lente de powell e a lente do colimador:
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
(2) para os produtos do fora-padrão, a entrega é as 2 ou 6 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.
Q: Como pagar?
T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, segurança segura do pagamento e do comércio em Alibaba e etc….
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto,
nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!