Descrição de produto

3 polegadas InP Índio Fosfeto Substrato N-tipo Semicondutor Método de crescimento VGF 000 001 orientação

Resumo do produto

Os nossos produtos InP (Fósforo de Índio) oferecem soluções de alto desempenho para uma variedade de aplicações nas indústrias de telecomunicações, optoeletrónica e semicondutores.Com propriedades ópticas e electrónicas superiores, os nossos materiais InP permitem o desenvolvimento de dispositivos fotónicos avançados, incluindo lasers, fotodetectores e amplificadores ópticos.ou componentes concebidos sob medida, os nossos produtos InP oferecem confiabilidade, eficiência e precisão para os seus projetos fotónicos exigentes.

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Propriedades do produto

1. Alta transparência óptica: o InP apresenta uma excelente transparência óptica na região infravermelha, tornando-o adequado para várias aplicações optoeletrônicas.

2. Intervalo de banda direto: A natureza de intervalo de banda direto do InP permite uma emissão e absorção eficientes da luz, tornando-o ideal para lasers e fotodetectores de semicondutores.

3. Alta mobilidade eletrônica: InP oferece alta mobilidade eletrônica, permitindo o transporte rápido de portadores de carga e facilitando dispositivos eletrônicos de alta velocidade.

4. Baixa condutividade térmica: A baixa condutividade térmica do InP ajuda na dissipação de calor eficiente, tornando-o adequado para dispositivos optoeletrônicos de alta potência.

5. Estabilidade química: o InP demonstra uma boa estabilidade química, garantindo a fiabilidade a longo prazo dos dispositivos mesmo em ambientes de funcionamento adversos.

6. Compatibilidade com semicondutores compostos III-V: o InP pode ser integrado perfeitamente com outros semicondutores compostos III-V,permitindo o desenvolvimento de heterostruturas complexas e dispositivos multifuncionais.

7. Bandgap Tailorable: A bandgap do InP pode ser projetada ajustando a composição de fósforo, permitindo o projeto de dispositivos com propriedades ópticas e eletrônicas específicas.

8. Alta tensão de ruptura: A InP apresenta alta tensão de ruptura, garantindo a robustez e confiabilidade dos dispositivos em aplicações de alta tensão.

9. Baixa densidade de defeito: os substratos InP e as camadas epitaxial normalmente têm baixas densidades de defeito, contribuindo para o alto desempenho e rendimento do dispositivo.

10. Compatibilidade com o ambiente: o InP é ecológico e apresenta riscos mínimos para a saúde e o ambiente durante o fabrico e a operação.

11. Parâmetro	2 ̊ Wafer InP dopado com S	2 ̊ Wafer InP dopado com Fe
    Materiais	Wafer de cristal único VGF InP	Wafer de cristal único VGF InP
    Grau	Epi-pronto	Epi-pronto
    Suplementos	S	Fe
    Tipo de condução	S-C-N	Eu...
    Diâmetro da bolacha (mm)	500,8 ± 0.4	500,8 ± 0.4
    Orientação	(100) o± 0,5o	(100) o ± 0,5 o
    DE localização / comprimento	EJ [0-1-1] / 17±1	EJ [0-1-1] /17±1
    IF Localização / comprimento	EJ [0-1 1] / 7±1	EJ [0-1 1] / 7±1
    Concentração do portador (cm-3)	(1~6) E 18	1.0E7 - 5.0E8
    Resistividade (Wcm)	8~15 E-4	≥1,0E7
    Mobilidade (cm2/Vs)	1300 ~ 1800	≥ 2000
    EPD médio (cm-2)	≤ 500	≤ 3000
    Espessura (μm)	475 ± 15	475 ± 15
    TTV/TIR (μm)	≤ 15	≤ 15
    Arco (μm)	≤ 15	≤ 15
    Revestimento (μm)	≤ 15	≤ 15
    Contagem de partículas	N/A	N/A
    Superfície	Lado da frente: polido, Lado negro: gravado	Lado da frente: polido, Lado negro: gravado
    Embalagens de wafer	Wafer fixado por uma aranha numa bandeja individual e selado com N2 num saco de blindagem estática.	Wafer fixado por uma aranha numa bandeja individual e selado com N2 num saco de blindagem estática.

12. Aplicações do produto

13. Telecomunicações: os dispositivos baseados em InP são amplamente utilizados nas redes de telecomunicações para a transmissão de dados de alta velocidade,incluindo sistemas de comunicação por fibra óptica e comunicação sem fios de alta frequência.

14. Fotónica: Os materiais InP são essenciais para o desenvolvimento de vários dispositivos fotónicos, tais como lasers semicondutores, fotodetectores, moduladores e amplificadores ópticos, utilizados nas telecomunicações,detecção, e aplicações de imagem.

15. Optoelectronics: Dispositivos optoelectronic baseados em InP, tais como diodos emissores de luz (LEDs), diodos laser e células solares, encontrar aplicações em exibições, iluminação, equipamentos médicos,e sistemas de energia renovável.

16. Eletrônica de semicondutores: Os substratos InP e as camadas epitaxiais servem como plataformas para a fabricação de transistores de alto desempenho, circuitos integrados e dispositivos de microondas para sistemas de radar,comunicações por satélite, e aplicações militares.

17. Sensores e Imagem: Os fotodetectores e sensores de imagem baseados em InP são utilizados em várias aplicações de sensores, incluindo espectroscopia, lidar, vigilância e imagem médica,devido à sua alta sensibilidade e tempo de resposta rápido.

18. Tecnologia quântica: os pontos quânticos InP e os poços quânticos são explorados para suas aplicações potenciais em computação quântica, comunicação quântica e criptografia quântica,Oferecendo vantagens em termos de coerência e escalabilidade.

19. Defesa e Aeroespacial: os dispositivos InP são implantados em sistemas de defesa e aeroespacial por sua confiabilidade, operação de alta velocidade e dureza de radiação, apoiando aplicações como sistemas de radar,Orientação de mísseis, e comunicações por satélite.

20. Engenharia Biomédica: Os sensores ópticos e sistemas de imagem baseados em InP são utilizados na investigação biomédica e no diagnóstico clínico para monitorização não invasiva, imagem,e análise espectroscópica de amostras biológicas.

21. Monitorização ambiental: Os sensores baseados em InP são utilizados para aplicações de monitorização ambiental, incluindo detecção de poluição, detecção de gases e detecção remota de parâmetros atmosféricos,Contribuir para os esforços de sustentabilidade ambiental.

22. Tecnologias emergentes: o InP continua a encontrar aplicações em tecnologias emergentes, como processamento de informação quântica, integração fotónica de silício e electrónica de teraherços,impulsionando avanços na computação, comunicação e sensores.

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