Epi Ready 4inch InP Wafers N Tipo P Tipo EPF < 1000cm^2 Com a espessura de 325um±50um
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | ZMSH |
Informação detalhada |
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Tamanho: | 2 polegadas ou personalizável | Diâmetro: | 500,05 mm±0.2 |
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dopante: | S-C-N/S | Espessura: | 350um±25 ou personalizável |
Opção fixa: | - Não. | Orientação primária: | [0-1-1]±0,02° |
Segunda orientação plana: | [0-11] | Segundo comprimento plano: | 7 mm±1 |
Concentração de portador: | 2E18~8E18cm-3 | Mobilidade: | 000~2000cm2/V·Sec |
Realçar: | Wafers InP tipo p de 4 polegadas,Wafers InP de 4 polegadas preparados para Epi,Wafers InP de 4 polegadas |
Descrição de produto
Wafers InP de 4 polegadas preparados para Epi tipo N tipo p tipo EPF < 1000cm2 com espessura de 325um±50um
Resumo do produto
O nosso produto, a "Wafer de Índio Fosfeto de Alta Pureza", está na vanguarda da inovação em semicondutores.um semicondutor binário conhecido pela sua velocidade eletrônica superior, a nossa bolacha oferece desempenho incomparável em aplicações optoeletrônicas, transistores rápidos e diodos de túnel de ressonância.Com ampla utilização em dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta potênciaA sua proficiência na comunicação de fibra óptica de alta velocidade, possibilitada pela sua capacidade de emitir e detectar comprimentos de onda acima de 1000nm,A sua importância nas telecomunicaçõesServindo como um substrato para lasers e fotodiodos em aplicações de Datacom e Telecom, a nossa wafer integra-se perfeitamente em infraestruturas críticas.O nosso produto é a pedra angularOferecendo 99,99% de pureza, as nossas placas de fosfeto de ínio garantem uma eficiência e eficácia incomparáveis.impulsionando o progresso tecnológico para o futuro.
Propriedades do produto
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Velocidade Superior de Eletrões:Derivadas do fosfeto de ínio, as nossas placas ostentam uma velocidade de elétrons excepcional, superando a dos semicondutores convencionais como o silício.Este atributo sustenta a sua eficácia em aplicações optoeletrônicas, transistores rápidos e diodos de tunelagem por ressonância.
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Performance de alta frequência:Os nossos wafers encontram ampla utilização em dispositivos eletrónicos de alta frequência e de alta potência, demonstrando a sua capacidade de suportar requisitos operacionais exigentes com facilidade.
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Eficiência óptica:Com capacidade para emitir e detectar comprimentos de onda superiores a 1000 nm, os nossos wafers se destacam em sistemas de comunicação de fibra óptica de alta velocidade, garantindo uma transmissão de dados confiável através de diversas redes.
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Substrato versátil:Servindo como um substrato para laser e fotodiodos em aplicações Datacom e Telecom, as nossas placas integram-se perfeitamente em várias infra-estruturas tecnológicas,Facilitar um desempenho e uma escalabilidade robustos.
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Pureza e fiabilidade:Com uma pureza de 99,99%, as nossas bolhas de fosfeto de ínio garantem um desempenho e uma durabilidade consistentes, satisfazendo as exigências rigorosas das tecnologias modernas de telecomunicações e dados.
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Projeto à prova de futuro:Posicionados na vanguarda da inovação em semicondutores, os nossos wafers antecipam as necessidades das tecnologias emergentes, tornando-os componentes indispensáveis para ligações de fibra óptica,Redes de acesso de anel de metro, e centros de dados em meio à iminente revolução 5G.
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Especificações:
Materiais InP de cristal único Orientação < 100> Tamanho ((mm) Dia 50,8 × 0,35 mm, 10 × 10 × 0,35 mm
10 × 5 × 0,35 mmSuperfície rugosa Ra:≤ 5A Poluição SSP (polida de superfície única) ou
DSP (poluição de dupla superfície)Propriedades químicas do cristal InP:
Cristal único Dopados Tipo de condução Concentração do portador Relatório de mobilidade Densidade de dislocação Tamanho normal InP / N (0,4-2) × 1016 (3.5-4) ×103 5 × 104 F2 × 0,35 mm
F3 × 0,35 mmInP S N (0,8-3) ×1018
(4-6) ×1018(2.0-2.4) ×103
(1.3-1.6) ×1033 × 104
2 × 103F2 × 0,35 mm
F3 × 0,35 mmInP Zn P (0,6-2) ×1018 70 a 90 2 × 104 F2 × 0,35 mm
F3 × 0,35 mmInP Fe N 107- 108 ≥ 2000 3 × 104 F2 × 0,35 mm
F3 × 0,35 mmPropriedades básicas:
Estrutura cristalina Tetraédrico ((M4) Constante de grelha a = 5,869 Å Densidade 40,81 g/cm3 Ponto de fusão 1062 °C Massa molar 1450,792 g/mol Aparência Cristais cúbicos pretos Estabilidade química ligeiramente solúvel em ácidos Mobilidade dos elétrons ((@300K) 5400 cm2/ ((V·s) Bandgap ((@ 300 K) 1.344eV Conductividade térmica ((@ 300K) 0.68 W/ ((cm·K) Índice de refração 3.55 ((@ 632.8nm) -
Aplicações do produto
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Dispositivos optoeletrônicos:Nossas bolhas de fosfeto de ínio são amplamente utilizadas em aplicações optoeletrônicas, incluindo diodos emissores de luz (LEDs), diodos laser e fotodetectores.Sua velocidade eletrônica superior e eficiência óptica tornam-nos ideais para a produção de componentes optoeletrônicos de alto desempenho.
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Transistores de alta velocidade:A velocidade excepcional dos elétrons das nossas placas permite a fabricação de transistores de alta velocidade, essenciais para aplicações que exigem um rápido processamento de sinal e velocidades de comutação.Estes transistores encontram uso nas telecomunicações, computadores e sistemas de radar.
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Comunicação por fibra óptica:As bolhas de fosfeto de ínio são indispensáveis em sistemas de comunicação de fibra óptica de alta velocidade devido à sua capacidade de emitir e detectar comprimentos de onda superiores a 1000 nm.Permitem a transmissão de dados a longas distâncias com perda mínima de sinal, tornando-os vitais para as redes de telecomunicações e centros de dados.
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Diodos de túnel de ressonância:Os nossos wafers são utilizados na produção de diodos de tunelagem de ressonância, que apresentam efeitos de tunelagem quântica únicos.Terahertz imagem, e computação quântica.
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Eletrónica de alta frequência:As wafers InP são comumente empregadas em dispositivos eletrônicos de alta frequência e alta potência, incluindo amplificadores de microondas, sistemas de radar e comunicações por satélite.A sua elevada mobilidade electrónica e fiabilidade tornam-nas adequadas para aplicações aeroespaciais e de defesa exigentes..
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Infra-estruturas de telecomunicações e telecomunicações:Servindo como substratos para diodos laser e fotodiodos, os nossos wafers contribuem para o desenvolvimento da infra-estrutura de Datacom e Telecom,Apoio às redes de transmissão de dados e telecomunicações de alta velocidadeSão componentes integrais em transceptores ópticos, switches de fibra óptica e sistemas de multiplexagem por divisão de comprimento de onda.
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Tecnologias emergentes:À medida que as tecnologias emergentes, como o 5G, a Internet das Coisas (IoT) e os veículos autônomos continuam a evoluir, a demanda por wafers de fosfeto de ínio só aumentará.Estes wafers desempenharão um papel crucial na possibilidade da próxima geração de comunicações sem fios, redes de sensores e dispositivos inteligentes.
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