Resumo:Bonder de Wafer- Não.

O Wafer Bonder é uma solução versátil para fabricação avançada de semicondutores, oferecendo ligação direta confiável, ligação anódica e processos de termocompressão.Projetado para alto rendimento e repetibilidade, suporta wafers de 6 a 12 polegadas com flexibilidade de espessura, garantindo alinhamento preciso e estabilidade de processo para diversas aplicações, como embalagens de IC 3D, dispositivos MEMS e eletrônicos de potência.

Equipado com manuseio automatizado e monitoramento inteligente, o sistema minimiza o desperdício de material e maximiza o tempo de funcionamento.Redução da complexidade operacionalCompatível com os padrões mundiais da indústria, o bonder integra-se perfeitamente com as linhas de produção e sistemas MES existentes, aumentando a rastreabilidade e a eficiência.

Apoiada pela qualidade certificada pela ISO e pelo serviço global responsivo, esta plataforma oferece desempenho a longo prazo, ao mesmo tempo em que otimiza o custo de propriedade para a fabricação de alto volume.

Técnicas de ligação de wafer

- Não.

1Ligação à temperatura ambiente.- Não.

- Não.Princípio.- Não.

• Obtém ligações a nível atómico entre substratos (por exemplo, Si, vidro, polímeros) a temperaturas ambientais (25-100 °C) através de ativação superficial (tratamento por plasma/UV).
• Baseia-se em forças de van der Waals ou ligações de hidrogénio, exigindo superfícies ultra- suaves (Ra < 0,5 nm).

- Não.Aplicações - Não.

• Eletrónica flexível (OLED, ecrãs dobráveis).
• MEMS de baixa temperatura (sensores em microescala, biochips).
• Integração heterogênea (compostos III-V em Si).

- Não.Vantagens - Não.

• Sem tensão térmica ou deformação.
• Compatível com materiais sensíveis à temperatura.

- Não.Limitações.- Não.

• Força inicial de ligação mais baixa (pode ser necessário pós-requeijão).
• Alta sensibilidade à contaminação da superfície.

2Ligação hidrófila.- Não.

- Não.Princípio.- Não.

• As superfícies são tratadas com plasma de oxigénio ou nitrogénio para gerar grupos hidroxilo (-OH).
• As ligações formam-se através de ligações covalentes Si-O-Si sob vácuo/atmosfera controlada (150°C a 300°C).

- Não.Aplicações - Não.

• Ligação de vidro Si (sensores de pressão MEMS, embalagens ópticas).
• Empilhamento 3D de matrizes de silício (empilhamento em memória).
• Fabricação de dispositivos biocompativeis (laboratório num chip).

- Não.Vantagens - Não.

• Baixo orçamento térmico (minimiza os defeitos da interface).
• Excelente planaridade para wafers de grande área.

- Não.Limitações.- Não.

• Sensível à humidade (riscos de estabilidade a longo prazo).
• Requer um controlo preciso da exposição ao plasma.

3Ligação temporária.- Não.

- Não.Princípio.- Não.

• Utiliza camadas de adesivos reversíveis (BCB, resinas curáveis por UV) para fixar as bolachas nos portadores.
• Separação por laser, deslizamento térmico ou dissolução química.

- Não.Aplicações - Não.

• Embalagens 3D (manipulação de wafers finos, WLP de ventilação).
• Processamento por retrocessão (recheio de TSV, passivação).
• Liberação de MEMS (gravação de camada de sacrifício).

- Não.Vantagens - Não.

• Preserva a planície da bolacha para os degraus a jusante.
• Compatível com processos de pós-ligação a altas temperaturas (> 300°C).

- Não.Limitações.- Não.

• Risco de contaminação por resíduos de adesivo.
• A separação pode induzir micro-fissuras.

Aplicações

ZMSH Wafer Bonder

Perguntas Frequentes (FAQ)

- Não.P:Qual é o melhor método de ligação para materiais sensíveis à temperatura?
A: A ligação à temperatura ambiente ou a ligação temporária são ideais para materiais como polímeros ou eletrônicos orgânicos, pois evitam o estresse térmico.

P:Como funciona a ligação temporária?
A:Uma camada adesiva reversível (por exemplo, resina BCB ou UV) liga a bolacha a um suporte.

P:Posso integrar a ligação com ferramentas de litografia existentes?
A: Sim, os ligadores modulares podem ser integrados em fábricas com controles compatíveis com o MES.