Wafer Bonder Equipamento Temperatura de Sala Ligação Hidrofílica Ligação Para 4 6 8 12 polegadas SiC-Si SiC-SiC

Equipamento de ligação de wafer, ligação hidrofílica para 4 6 8 12 polegadas SiC-Si SiC-SiC

Equipamento de ligação de wafer

Este ligador de wafer é projetado para ligação de alta precisão de wafers de carburo de silício (SiC), suportando tantoLigação à temperatura ambienteeligação hidrófilaÉ capaz de manipular wafers de4 polegadas, 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadasCom sistemas avançados de alinhamento e controle preciso de temperatura e pressão,Este equipamento garante alto rendimento e excelente uniformidade para aplicações de fabricação e pesquisa de semicondutores de potência.

Propriedade do equipamento de ligação de wafer

• Tipos de ligação: Ligação a temperatura ambiente, ligação hidrófila

• Tamanhos de wafer suportados4", 6", 8", 12"

• Materiais de ligação: SiC-Si, SiC-SiC

• Precisão de alinhamento: ≤ ± 1 μm

• Pressão de ligação: 0·5 MPa ajustável

• Intervalo de temperatura: temperatura ambiente até 400°C (para tratamento pré/pós, se necessário)

• Câmara de vácuo: Ambiente de vácuo elevado para ligação livre de partículas

• Interface do usuário: Interface touchscreen com receitas programáveis

• Automação: Opcional, carregamento/descarregamento automático de wafer

• Características de segurança: Câmara fechada, protecção contra superaquecimento, parada de emergência

O equipamento de ligação de wafer é projetado para suportar processos de ligação de alta precisão para materiais semicondutores avançados, particularmente para ligação SiC-SiC e SiC-Si.Acomoda wafer tamanhos de até 12 polegadasO sistema suporta temperatura ambiente e ligação hidrofílica, tornando-o ideal para aplicações sensíveis ao calor.Com um sistema de alinhamento óptico de alta precisão, com precisão sub-micrônicaO equipamento inclui uma interface de controlo programável com gestão de receitas, permitindo aos utilizadores adaptar a pressão de ligação, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, a duração, etc.e perfis de aquecimento opcionaisUma câmara de alto vácuo minimiza a contaminação por partículas e melhora a qualidade da ligação, enquanto que os elementos de segurança, como proteção contra excesso de temperatura, bloqueios,e desligamento de emergência garantir operação estável e seguraO seu projecto modular permite igualmente a integração com sistemas automatizados de manipulação de wafers para ambientes de produção de elevado rendimento.

Fotografia

Materiais compatíveis

Caso real - 6 polegadas SiC-SiC

(Etapes principais do processo para a fabricação de ligações de wafer SiC-SiC de 6 polegadas)

(Microscopia eletrônica de transmissão de alta resolução transversal (HRTEM) da região do canal SiC MOSFET fabricada em um substrato de engenharia de 6 polegadas com camada epitaxial)

(Mapas de distribuição IGSS de dispositivos fabricados numa bolacha de 6 polegadas (verde indica aprovação; rendimento é de 90% na figura a e 70% na figura b))

Aplicação

• Embalagem do dispositivo de potência SiC

• Investigação e desenvolvimento de semicondutores de banda larga

• Montagem de módulos eletrónicos de alta temperatura e alta frequência

• MEMS e embalagens a nível de wafer de sensores

• Integração de wafer híbrido com substratos de Si, safira ou diamante

Perguntas e respostas

P1: Qual é a principal vantagem da ligação do SiC à temperatura ambiente?
A:Evita o estresse térmico e a deformação do material, crucial para substratos de expansão térmica frágeis ou incompatíveis como o SiC.

P2: Este equipamento pode ser utilizado para colagem temporária?
A:Embora esta unidade seja especializada em ligação permanente, uma variante com funcionalidade de ligação temporária está disponível mediante pedido.

P3: Como se assegura o alinhamento das placas de alta precisão?
A:O sistema usa alinhamento óptico com resolução submicrônica e algoritmos de autocorreção.