Forno de crescimento de lingotes de SiC PVT HTCVD LPE de cristal único Forno de crescimento de SiC Boule para wafers de SiC de 6 polegadas e 8 polegadas

Forno de crescimento de lingotes de SiC PVT HTCVD LPE de cristal único Forno de crescimento de SiC Boule para wafers de SiC de 6 polegadas e 8 polegadas

Resumo do forno de crescimento de lingotes de SiC

OForno de crescimento de lingotes de SiCÉ um sistema avançado concebido para o crescimento de alta eficiência deBoules de SiC de cristal únicoutilizadas na produção de15 cmeWafers de SiC de 8 polegadasUtilizando métodos de crescimento versáteis, incluindoPVT (Transporte Físico de Vapores),HTCVD (deposição química a vapor a altas temperaturas), eLPE (epitaxia na fase líquida), este forno assegura condições óptimas para a formação delingotes de SiC de alta pureza e de baixo defeito.
 

Com um controlo preciso da temperatura, pressão e vácuo, oForno de crescimento de lingotes de SiCpermite estabilidade e escalabilidadeCrescimento de SiC Boule, satisfazendo as exigências da próxima geraçãoAplicações de semicondutoresA sua estrutura é modular, com um sistema de transmissão de energia elétrica e um sistema de transmissão de energia elétrica, com um sistema de transmissão de energia elétrica e um sistema de transmissão de energia elétrica.Design personalizável permite que os fabricantes se adaptem a várias escalas de produção e especificações de cristal, garantindo ao mesmo tempo uma qualidade e um rendimento consistentes dos lingotes.
 

Dados do forno de crescimento de lingotes de SiC
 

Teoria do crescimento

1. Método PVT (Transporte Físico de Vapores)

EmMétodo PVT,carburo de silício (SiC)Os cristais são cultivados atravéssublimação e condensação. A altas temperaturas (2000 ∼ 2500 °C),Polvo de SiCSublima (transforma-se de sólido em vapor) dentro de um vácuo ou ambiente de baixa pressão.Vapores de SiCé transportado através de um sistema controladogradiente de temperaturaedepósitos num cristal de semente, onde écondensa e crescenum único cristal, conhecido comoSiC Boule.
 

• Características fundamentais:
  • Crescimento de cristais por transporte de fase de vapor.
     
  • Requer um controlo preciso do gradiente de temperatura e da pressão.
     
  • Utilizados para a produçãoBoules de SiC de cristal único a granelpara corte de wafers

2. Resistência Aquecimento Princípio de apoio ao crescimento

Emaquecimento por resistência, a corrente elétrica passa através de umelemento de aquecimento resistivo(por exemplo, grafite), gerando calor que eleva a temperatura da câmara de crescimento eMaterial de origem do SiCEste método de aquecimento é utilizado para manter as temperaturas elevadas e estáveis necessárias para aProcesso PVT.
 

• Características fundamentais:
  • Aquecimento indiretoMétodo: o calor é transferido do aquecedor para o cadinho.
  • Forneceaquecimento uniforme e controlado.
  • Adequado paraProdução em média escalacom um consumo de energia estável.

Foto do forno de crescimento de ingota de SiC
 

O nosso resultado de solução de SiC
 

Na ZMSH, oCloreto de sódioProduzido usando o nosso avançadoForno de crescimento de lingotes de SiCA Comissão considera que aqualidade cristalinaecompatibilidade de processos, assegurando-se de que cumprem plenamente as exigências rigorosas daFabricação de semicondutores.
 

Principais vantagens:

• Alta pureza cristalina: Os nossos SiC Boules são cultivados em condições rigorosamente controladas, alcançando uma pureza excepcional e uma contaminação mínima, crítica para dispositivos semicondutores de alto desempenho.
   

• Baixa densidade de defeitos: Com controle preciso de temperatura, vácuo e pressão durante o crescimento, os nossos SiC Boules exibemdensidades de deslocamento baixase micro-tubos mínimos, garantindo propriedades elétricas superiores e rendimento do dispositivo.
   

• Estrutura cristalina uniforme: cristalinidade constante em toda a bola, permitindo uma corte e fabricação eficientes de wafer comespessura uniforme e qualidade do material.
   

• Totalmente compatível com processos de semicondutores: Os nossos SiC Boules são projetados para alinhar com o padrão da indústriaWafering, polir e crescimento epitaxialprocessos, garantindo uma integração suave no processo a jusanteFabricação de dispositivosfluxos de trabalho.
   

• Produção escalável para wafers de 6 e 8 polegadas: Adequado para produção em volume deWafers de SiC de 6 e 8 polegadas, satisfazendo a crescente procura do mercado de eletrónica de potência, veículos elétricos e aplicações de alta frequência.

O nosso serviço
 

EmZMSHOferecemosServiços personalizáveispara satisfazer as diversas necessidades dos nossos clientes emProdução de SiC BouleDesde a configuração do equipamento até ao suporte ao processo, asseguramos que cada solução se alinhe perfeitamente com os seus objetivos de produção e requisitos técnicos.
 

O que oferecemos:

• Projeto de equipamento sob medidaNós personalizamos oForno de crescimento de SiC Bouleespecificações – incluindo o tamanho do cristal (6 polegadas, 8 polegadas ou sob medida), método de aquecimento (indução/resistência) e sistemas de controlo – para atender às suas necessidades de produção específicas.
   

• Personalização de parâmetros do processo: Ajudamos a otimizar os parâmetros de temperatura, pressão e vácuo com base na qualidade cristalina desejada, garantindo um crescimento estável e eficiente deCloreto de sódio.
   

• Instalação no local e colocação em serviçoA nossa equipa de peritosInstalação no local, calibração e integração do sistema para garantir que o seu equipamento funcione com o melhor desempenho desde o primeiro dia.
   

• Formação dos clientesA nossa oferta é abrangente:formação técnicapara o seu pessoal, que abrange a operação, a manutenção e a solução de problemas do forno, para garantir uma utilização segura e eficiente.
   

• Apoio pós-venda: A ZMSH fornece serviços de longo prazoServiço pós-venda, incluindo assistência remota, manutenção periódica e serviços de reparação de resposta rápida para minimizar o tempo de inatividade.