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Forno de crescimento de SiC Boule PVT Tecnologias HTCVD e LPE para produção de SiC Boule de cristal único
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | porcelana |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Forno de crescimento de SiC Boule |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
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| Tempo de entrega: | 6-8 meses |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Dimensions (L × W × H): | 3200 × 1150 × 3600 mm or customise | Ultimate Vacuum: | 5 × 10⁻⁶ mbar |
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| Furnace Height: | 1250 mm | Heating Method: | PVT, HTCVD, and LPE |
| Temperature Range: | 900–3000°C | Pressure Range: | 1–700 mbar |
| Crystal Size: | 6–8 inches | Pressure Rise Rate: | < 5 Pa/12 h |
| Optional Features: | Shaft rotation, dual temperature zones | ||
| Destacar: | Forno de crescimento de LPE SiC Boule,Forno de crescimento de SiC-Boule de cristal único,Forno de crescimento PVT SiC Boule |
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Descrição de produto
Forno de crescimento de SiC Boule PVT, HTCVD e tecnologias LPE para produção de SiC Boule de cristal único
Resumo do Forno de Crescimento de SiC Boule
A ZMSH orgulhosamente oferece oForno de crescimento de SiC Boule, uma solução avançada concebida para a produção deBoules de SiC de cristal único. Utilizando tecnologias de ponta comoPVT (Transporte Físico de Vapores),HTCVD (deposição química a vapor a altas temperaturas), eLPE (epitaxia na fase líquida), o nossoForno de crescimento de SiC Bouleé otimizado para o crescimento estável e eficiente de alta purezaCloreto de sódioEste forno suporta a produção de15 cm,8 polegadas, e de tamanho personalizadoCloreto de sódio, satisfazendo as exigências rigorosas da electrónica de potência, dos veículos elétricos e dos sistemas de energia renovável.
Propriedades do Forno de Crescimento de SiC Boule
- Compatibilidade entre várias tecnologiasOForno de crescimento de SiC BouleSuporta processos PVT, HTCVD e LPE, proporcionando flexibilidade para diferentes métodos de crescimento de cristais de SiC.
- Controle preciso da temperatura: A resistência avançada ou o aquecimento por indução asseguram uma distribuição uniforme da temperatura, com uma precisão de controlo de ± 1°C, essencial para a segurança dos veículosSiC Boulecrescimento.
- Controle do vácuo e da pressão: Sistemas integrados de vácuo e pressão de alta precisão mantêm condições de crescimento ideais, melhorando a qualidade e a qualidade dos produtos.SiC Boulequalidade e rendimento.
- Suporte de tamanho de cristal: Capaz de crescerBoules de SiC de 6 e 8 polegadas, com personalização disponível para tamanhos maiores.
- Alta eficiência e segurançaOForno de crescimento de SiC BouleÉ concebido para eficiência energética, facilidade de funcionamento e segurança, com características como carga inferior e sistemas de controlo automático.
- Ambiente estável de crescimento de cristais: Assegura condições de crescimento consistentes, reduz a densidade de defeitos e melhora o desempenho doWafers de SiC.
Especificações Detalhes Dimensões (L × P × H) 3200 × 1150 × 3600 mm Diâmetro do cadinho Ø 400 mm Último vácuo 5 × 10−4 Pa (após 1,5 horas de bombeamento) Diâmetro do eixo de rotação Ø 200 mm Altura do forno 1250 mm Método de aquecimento Aquecimento por indução Temperatura máxima 2400°C Potência de aquecimento Pmax = 40 kW, Frequência = 812 kHz Medição da temperatura Pirômetro infravermelho de duas cores Intervalo de temperatura 900 ∼ 3000°C Precisão de temperatura ± 1°C Intervalo de pressão 1 ‰ 700 mbar Precisão do controlo da pressão 1·10 mbar: ±0,5% F.S.;
10-100 mbar: ±0,5% F.S.;
700 mbar: ±0,5% F.S.Modo de carga Carregamento inferior, operação segura e fácil Características opcionais Rotação do eixo, zonas de temperatura duplas
Três tipos de fornos de crescimento de SiC Boule detalhes
Foto do Forno de Crescimento SiC Boule
SiC Boule do nosso forno
Foto do Forno de Crescimento de SiC Boule na Fábrica dos Clientes
Abaixo está uma instalação do nossoForno de crescimento de SiC BouleOs nossos clientes globais utilizam a tecnologia de ponta para a produção de equipamentos e equipamentos.Forno de crescimento de SiC Boulepara a produção em larga escala deWafers de SiCcom consistência e qualidade excepcionais.
Serviços personalizáveis para fornos de crescimento de SiC Boule
EmZMSH, compreendemos que as necessidades de produção de cada cliente são únicas.soluções totalmente personalizáveispara o nossoForno de crescimento de SiC Boule, assegurando a melhor compatibilidade com os seus processos de produção, requisitos técnicos e objetivos de crescimento de cristais.