Forno de crescimento de SiC Boule PVT Tecnologias HTCVD e LPE para produção de SiC Boule de cristal único

Forno de crescimento de SiC Boule PVT, HTCVD e tecnologias LPE para produção de SiC Boule de cristal único

Resumo do Forno de Crescimento de SiC Boule

A ZMSH orgulhosamente oferece oForno de crescimento de SiC Boule, uma solução avançada concebida para a produção deBoules de SiC de cristal único. Utilizando tecnologias de ponta comoPVT (Transporte Físico de Vapores),HTCVD (deposição química a vapor a altas temperaturas), eLPE (epitaxia na fase líquida), o nossoForno de crescimento de SiC Bouleé otimizado para o crescimento estável e eficiente de alta purezaCloreto de sódioEste forno suporta a produção de15 cm,8 polegadas, e de tamanho personalizadoCloreto de sódio, satisfazendo as exigências rigorosas da electrónica de potência, dos veículos elétricos e dos sistemas de energia renovável.

Propriedades do Forno de Crescimento de SiC Boule

• Compatibilidade entre várias tecnologiasOForno de crescimento de SiC BouleSuporta processos PVT, HTCVD e LPE, proporcionando flexibilidade para diferentes métodos de crescimento de cristais de SiC.
• Controle preciso da temperatura: A resistência avançada ou o aquecimento por indução asseguram uma distribuição uniforme da temperatura, com uma precisão de controlo de ± 1°C, essencial para a segurança dos veículosSiC Boulecrescimento.
• Controle do vácuo e da pressão: Sistemas integrados de vácuo e pressão de alta precisão mantêm condições de crescimento ideais, melhorando a qualidade e a qualidade dos produtos.SiC Boulequalidade e rendimento.
• Suporte de tamanho de cristal: Capaz de crescerBoules de SiC de 6 e 8 polegadas, com personalização disponível para tamanhos maiores.
• Alta eficiência e segurançaOForno de crescimento de SiC BouleÉ concebido para eficiência energética, facilidade de funcionamento e segurança, com características como carga inferior e sistemas de controlo automático.
• Ambiente estável de crescimento de cristais: Assegura condições de crescimento consistentes, reduz a densidade de defeitos e melhora o desempenho doWafers de SiC.
   

  Especificações	Detalhes
  Dimensões (L × P × H)	3200 × 1150 × 3600 mm
  Diâmetro do cadinho	Ø 400 mm
  Último vácuo	5 × 10−4 Pa (após 1,5 horas de bombeamento)
  Diâmetro do eixo de rotação	Ø 200 mm
  Altura do forno	1250 mm
  Método de aquecimento	Aquecimento por indução
  Temperatura máxima	2400°C
  Potência de aquecimento	Pmax = 40 kW, Frequência = 812 kHz
  Medição da temperatura	Pirômetro infravermelho de duas cores
  Intervalo de temperatura	900 ∼ 3000°C
  Precisão de temperatura	± 1°C
  Intervalo de pressão	1 ‰ 700 mbar
  Precisão do controlo da pressão	1·10 mbar: ±0,5% F.S.; 10-100 mbar: ±0,5% F.S.; 700 mbar: ±0,5% F.S.
  Modo de carga	Carregamento inferior, operação segura e fácil
  Características opcionais	Rotação do eixo, zonas de temperatura duplas

  
   

Três tipos de fornos de crescimento de SiC Boule detalhes

Foto do Forno de Crescimento SiC Boule

SiC Boule do nosso forno

Foto do Forno de Crescimento de SiC Boule na Fábrica dos Clientes

Abaixo está uma instalação do nossoForno de crescimento de SiC BouleOs nossos clientes globais utilizam a tecnologia de ponta para a produção de equipamentos e equipamentos.Forno de crescimento de SiC Boulepara a produção em larga escala deWafers de SiCcom consistência e qualidade excepcionais.

Serviços personalizáveis para fornos de crescimento de SiC Boule

EmZMSH, compreendemos que as necessidades de produção de cada cliente são únicas.soluções totalmente personalizáveispara o nossoForno de crescimento de SiC Boule, assegurando a melhor compatibilidade com os seus processos de produção, requisitos técnicos e objetivos de crescimento de cristais.