Método de resistência do forno de crescimento monocristalino de carburo de silício 6 8 12 polegadas forno de crescimento de lingotes SiC

Método de resistência do forno de crescimento monocristalino de carburo de silício 6 8 12 polegadas forno de crescimento de lingotes SiC

Forno de crescimento de cristal único ZMSH SiC: engenharia de precisão para wafers SiC de alta qualidade

A ZMSH apresenta orgulhosamente o seu forno de crescimento de cristal único de SiC, uma solução avançada projetada para a fabricação de wafers de SiC de alto desempenho.O nosso forno produz eficientemente cristais de SiC em 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas, atendendo às crescentes necessidades de indústrias como veículos elétricos (VE), energia renovável e eletrônicos de alta potência.

Propriedades do forno de crescimento de cristal único de SiC

• Tecnologia avançada de aquecimento por resistência: o forno utiliza tecnologia de aquecimento por resistência de última geração para garantir uma distribuição de temperatura uniforme e um crescimento óptimo do cristal.
• Precisão de controlo da temperatura: permite a regulação da temperatura com uma tolerância de ± 1 °C durante todo o processo de crescimento do cristal.
• Aplicações versáteis: Capaz de cultivar cristais de SiC para wafers de até 12 polegadas, permitindo a produção de wafers maiores para dispositivos de energia de próxima geração.
• Gestão do vácuo e pressão: equipado com um sistema avançado de vácuo e pressão para manter condições ideais de crescimento, reduzindo as taxas de defeito e melhorando os rendimentos.
  
   

Especificações técnicas
 

Resultado: Crescimento Cristalino Perfeito

A principal força do nosso forno de crescimento de cristal único de SiC reside na sua capacidade de produzir consistentemente cristais de SiC de alta qualidade, sem defeitos.Gestão avançada do vácuo, e tecnologia de aquecimento de resistência de ponta, garantimos um crescimento cristalino impecável com defeitos mínimos.onde mesmo pequenas imperfeições podem afetar significativamente o desempenho do dispositivo final.

Cumprimento das normas dos semicondutores
 

As wafers de SiC cultivadas no nosso forno ultrapassam os padrões da indústria tanto em desempenho como em fiabilidade.e alta condutividade elétrica, tornando-os ideais para dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.Sistemas de energia renovável, e equipamento de telecomunicações.
 

Serviços de apoio à ZMSH
 

• Soluções personalizáveis: Nosso forno de crescimento de cristal único de SiC pode ser personalizado para atender às suas necessidades específicas de produção, garantindo cristais de SiC de alta qualidade.
   
• Instalação no local: A nossa equipa gere a instalação no local e garante uma integração suave com os seus sistemas existentes para um desempenho óptimo.
   
• Treinamento abrangente: Fornecemos treinamento completo ao cliente que abrange a operação do forno, manutenção e solução de problemas para garantir que sua equipe esteja equipada para um crescimento eficaz do cristal.
   
• Manutenção pós-venda: A ZMSH oferece suporte pós-venda confiável, incluindo serviços de manutenção e reparação, para garantir que o seu forno funcione no máximo de desempenho.
  
   

Perguntas e respostas
 

P: Qual é o crescimento cristalino do carburo de silício?

R: O crescimento de cristais de carburo de silício (SiC) envolve a criação de cristais de SiC de alta qualidade através de processos como Czochralski ou Physical Vapor Transport (PVT), essenciais para dispositivos de semicondutores de potência.

Palavras chave:

Forno de crescimento de cristal único SiC Cristais de SiCDispositivos semicondutoresTecnologia de crescimento de cristais