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Método de resistência do forno de crescimento monocristalino de carburo de silício 6 8 12 polegadas forno de crescimento de lingotes SiC
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | porcelana |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Forno de crescimento de lingotes de SiC |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 5-10 meses |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Objetivo: | para forno de crescimento de cristal único de SiC de 6 8 12 polegadas | Dimensões (L × P × H): | Dimensões (L × P × H) |
|---|---|---|---|
| Intervalo de pressão: | 1 ‰ 700 mbar | Intervalo de temperatura: | 900 ∼ 3000°C |
| Temperatura máxima do forno: | 2500°C | Diâmetro do eixo de rotação: | 50 mm |
| Destacar: | Forno de crescimento de lingotes de SiC de 12 polegadas,Forno de crescimento de lingotes de SiC |
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Descrição de produto
Método de resistência do forno de crescimento monocristalino de carburo de silício 6 8 12 polegadas forno de crescimento de lingotes SiC
Forno de crescimento de cristal único ZMSH SiC: engenharia de precisão para wafers SiC de alta qualidade
A ZMSH apresenta orgulhosamente o seu forno de crescimento de cristal único de SiC, uma solução avançada projetada para a fabricação de wafers de SiC de alto desempenho.O nosso forno produz eficientemente cristais de SiC em 6 polegadas, 8 polegadas e 12 polegadas, atendendo às crescentes necessidades de indústrias como veículos elétricos (VE), energia renovável e eletrônicos de alta potência.
Propriedades do forno de crescimento de cristal único de SiC
- Tecnologia avançada de aquecimento por resistência: o forno utiliza tecnologia de aquecimento por resistência de última geração para garantir uma distribuição de temperatura uniforme e um crescimento óptimo do cristal.
- Precisão de controlo da temperatura: permite a regulação da temperatura com uma tolerância de ± 1 °C durante todo o processo de crescimento do cristal.
- Aplicações versáteis: Capaz de cultivar cristais de SiC para wafers de até 12 polegadas, permitindo a produção de wafers maiores para dispositivos de energia de próxima geração.
- Gestão do vácuo e pressão: equipado com um sistema avançado de vácuo e pressão para manter condições ideais de crescimento, reduzindo as taxas de defeito e melhorando os rendimentos.
Especificações técnicas
| Especificações | Detalhes |
|---|---|
| Dimensões (L × P × H) | 2500 × 2400 × 3456 mm ou personalizar |
| Diâmetro do cadinho | 900 mm |
| Pressão de vácuo final | 6 × 10−4 Pa (após 1,5h de vácuo) |
| Taxa de vazamento | ≤ 5 Pa/12h (cozimento) |
| Diâmetro do eixo de rotação | 50 mm |
| Velocidade de rotação | 0.5·5 rpm |
| Método de aquecimento | Aquecimento por resistência elétrica |
| Temperatura máxima do forno | 2500°C |
| Potência de aquecimento | 40 kW × 2 × 20 kW |
| Medição da temperatura | Pirômetro infravermelho de duas cores |
| Intervalo de temperatura | 900 ∼ 3000°C |
| Precisão de temperatura | ± 1°C |
| Intervalo de pressão | 1 ‰ 700 mbar |
| Precisão do controlo da pressão | 1·10 mbar: ±0,5% F.S.; 10-100 mbar: ±0,5% F.S.; 100-700 mbar: ±0,5% F.S. |
| Tipo de operação | Carregamento inferior, opções de segurança manual/automática |
| Características opcionais | Medição de temperatura dupla, zonas de aquecimento múltiplas |
Resultado: Crescimento Cristalino Perfeito
A principal força do nosso forno de crescimento de cristal único de SiC reside na sua capacidade de produzir consistentemente cristais de SiC de alta qualidade, sem defeitos.Gestão avançada do vácuo, e tecnologia de aquecimento de resistência de ponta, garantimos um crescimento cristalino impecável com defeitos mínimos.onde mesmo pequenas imperfeições podem afetar significativamente o desempenho do dispositivo final.
Cumprimento das normas dos semicondutores
As wafers de SiC cultivadas no nosso forno ultrapassam os padrões da indústria tanto em desempenho como em fiabilidade.e alta condutividade elétrica, tornando-os ideais para dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência.Sistemas de energia renovável, e equipamento de telecomunicações.
| Categoria de inspecção | Parâmetros de qualidade | Critérios de aceitação | Método de inspecção |
|---|---|---|---|
| 1Estrutura cristalina | Densidade de dislocação | ≤ 1 cm−2 | Microscopia óptica / difração de raios-X |
| Perfeição Cristalina | Sem defeitos ou rachaduras visíveis | Inspecção visual / AFM (microscopia de força atómica) | |
| 2. Dimensões | Diâmetro do ingoto | 6 polegadas, 8 polegadas ou 12 polegadas ± 0,5 mm | Medição do calibre |
| Comprimento do ingote | ± 1 mm | Regra / Medição a laser | |
| 3Qualidade da superfície | Superfície rugosa | Ra ≤ 0,5 μm | Profilómetro de superfície |
| Defeitos de superfície | Sem micro-fissuras, buracos ou arranhões | Inspecção visual / Exame microscópico | |
| 4. Propriedades elétricas | Resistividade | ≥ 103 Ω·cm (típico para SiC de alta qualidade) | Medição do Efeito Hall |
| Mobilidade dos transportadores | > 100 cm2/V·s (para SiC de alto desempenho) | Medição do tempo de voo (TOF) | |
| 5. Propriedades térmicas | Conductividade térmica | ≥ 4,9 W/cm·K | Análise de flash a laser |
| 6Composição química | Teor de carbono | ≤ 1% (para um desempenho óptimo) | ICP-OES (espectroscopia de emissão óptica de plasma acoplada por indução) |
| Impuridades do oxigénio | ≤ 0,5% | Espectrometria de massa de íons secundários (SIMS) | |
| 7Resistência à pressão | Força mecânica | Deve suportar testes de esforço sem fraturas. | Teste de compressão / teste de dobra |
| 8. Uniformidade | Uniformidade de cristalização | Variação de ≤ 5% entre lingotes | Mapeamento por raios-X / SEM (microscopia eletrônica de varredura) |
| 9. Homogeneidade de lingotes | Densidade de microporos | ≤ 1% por unidade de volume | Microscopia / varredura óptica |
Serviços de apoio à ZMSH
- Soluções personalizáveis: Nosso forno de crescimento de cristal único de SiC pode ser personalizado para atender às suas necessidades específicas de produção, garantindo cristais de SiC de alta qualidade.
- Instalação no local: A nossa equipa gere a instalação no local e garante uma integração suave com os seus sistemas existentes para um desempenho óptimo.
- Treinamento abrangente: Fornecemos treinamento completo ao cliente que abrange a operação do forno, manutenção e solução de problemas para garantir que sua equipe esteja equipada para um crescimento eficaz do cristal.
- Manutenção pós-venda: A ZMSH oferece suporte pós-venda confiável, incluindo serviços de manutenção e reparação, para garantir que o seu forno funcione no máximo de desempenho.
Perguntas e respostas
P: Qual é o crescimento cristalino do carburo de silício?
R: O crescimento de cristais de carburo de silício (SiC) envolve a criação de cristais de SiC de alta qualidade através de processos como Czochralski ou Physical Vapor Transport (PVT), essenciais para dispositivos de semicondutores de potência.
Palavras chave:
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