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Forno de crescimento de cristal único de SiC para cristais de 6 e 8 polegadas usando métodos PVT, Lely, TSSG
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 6 a 8 moluscos |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 5set/month |
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Informação detalhada |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Potência de entrada: | Três fases, cinco fios AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
|---|---|---|---|
| Temperatura máxima de aquecimento: | 2300°C | Potência de aquecimento nominal: | 80kW |
| Faixa de potência do aquecedor: | 35 kW ~ 40 kW | Consumo de energia por ciclo: | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Tamanho principal da máquina: | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Longo x Largura x Altura) |
| Destacar: | Forno de crescimento de lingotes de SiC de 8 polegadas,Forno de crescimento de lingotes de 6 polegadas de SiC,Forno de crescimento de lingotes de SiC PVT |
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Descrição de produto
Forno de crescimento de lingotes de SiC de alta eficiência para cristais de 4, 6 e 8 polegadas usando métodos PVT, Lely e TSSG
Resumo do forno de crescimento de lingotes de SiC
O Forno de Crescimento de Ingotas SiC utiliza aquecimento de resistência de grafite para crescimento eficiente de cristais de carburo de silício.O forno consome entre 3500 e 4500 kW/h por ciclo, com durações de crescimento de cristais que variam de 5 a 7 dias.Funcionamento em ambiente de vácuo com gases de argónio e nitrogénio, este forno garante a produção de lingotes de SiC de alta qualidade com desempenho constante e produção fiável.
A foto do Forno de Crescimento de Ingotas de SiC
O nosso Forno de Crescimento de Ingotas de SiC é de tipo cristalino especial
O SiC tem mais de 250 estruturas cristalinas, mas apenas o tipo 4HC pode ser usado para dispositivos de energia SiC.A ZMSH tem ajudado com sucesso os clientes a cultivar este tipo específico de cristal várias vezes usando o seu próprio forno.
Nosso Forno de Crescimento de Ingotas SiC é projetado para crescimento de cristais de carburo de silício (SiC) de alta eficiência, capaz de processar wafers SiC de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas.Utilizando técnicas avançadas como PVT (Transporte de Vapor Físico), Lely, TSSG (Método de Gradiente de Temperatura) e LPE (Epitaxia de Fase Líquida), o nosso forno suporta altas taxas de crescimento, garantindo a melhor qualidade de cristal.
O forno é projetado para cultivar várias estruturas cristalinas de SiC, incluindo o 4H condutor, 4H semi-isolante e outros tipos de cristal, como 6H, 2H e 3C.Estas estruturas são cruciais para a produção de dispositivos de potência SiC e semicondutores, que são essenciais para aplicações em electrónica de potência, sistemas de eficiência energética e dispositivos de alta tensão.
O nosso forno de SiC garante um controlo preciso da temperatura e condições uniformes de crescimento dos cristais, permitindo a produção de lingotes e wafers de SiC de alta qualidade para aplicações avançadas em semicondutores.
A vantagem do nosso Forno de Crescimento de Ingotas de SiC
1.Design de campo térmico único
Os gradientes de temperatura axial e radial podem ser controlados com precisão, sendo o perfil de temperatura suave e uniforme.maximizando a utilização da espessura do cristal.
Melhoria da eficiência da matéria-prima: o campo térmico é distribuído uniformemente por todo o sistema, garantindo uma temperatura mais constante dentro da matéria-prima.Isto melhora significativamente a utilização de pó, reduzindo o desperdício de materiais.
A independência entre as temperaturas axial e radial permite um controle de alta precisão de ambos os gradientes, o que é crítico para lidar com o estresse do cristal e minimizar a densidade de deslocamento.
2.Alta precisão de controlo
O Forno de Crescimento de Ingotas de SiC é meticulosamente projetado para produzir cristais de SiC de alta qualidade, que são essenciais para uma ampla gama de aplicações de semicondutores, como a eletrônica de potência,OptoeletrónicaO SiC é um material crítico na fabricação de componentes que exigem excelente condutividade térmica, desempenho elétrico e durabilidade de longa duração.Nosso forno possui sistemas avançados de controle projetados para manter um desempenho consistente e uma qualidade de cristal superior durante todo o processo de crescimento.
O Forno de Crescimento de Ingotas SiC proporciona uma precisão excepcional, com uma precisão de alimentação de 0,0005%, precisão de controlo do fluxo de gás de ± 0,05 L/h, precisão de regulação da temperatura de ± 0,5°C,e estabilidade da pressão da câmara de ±10 PaEstes parâmetros finamente ajustados garantem um ambiente estável e homogéneo para o crescimento dos cristais, o que é crucial para a produção de lingotes e wafers de SiC de alta pureza com defeitos mínimos.
Os componentes-chave do Forno de Crescimento de Ingotas SiC, incluindo a válvula proporcional, a bomba mecânica, a câmara de vácuo, o medidor de fluxo de gás e a bomba molecular,Funcionam juntos sem problemas para fornecer uma operação confiávelEstas características permitem ao forno produzir cristais de SiC que atendem às exigências rigorosas da indústria de semicondutores.
A tecnologia ZMSH® incorpora técnicas de crescimento de cristais de ponta, garantindo a mais alta qualidade na produção de cristais de SiC.O nosso equipamento é otimizado para servir indústrias como a electrónica de potência, energias renováveis e tecnologias avançadas, impulsionando o progresso em soluções de eficiência energética e inovações sustentáveis.
3Operação automatizada
AResposta utomática:Monitorização do sinal, feedback do sinal
- Não.Alarme automático:Aviso de excesso de limite, segurança dinâmica
Controle automático:Monitorização e armazenamento em tempo real dos parâmetros de produção, acesso remoto e controlo.
Prompt ativo:Sistema especialista, interação homem-máquina
O Forno SiC da ZMSH integra automação avançada para uma eficiência operacional ótima.e controlo de parâmetros em tempo real com capacidades de monitorização remotaO sistema também fornece notificações proativas para assistência de peritos e permite uma interacção suave entre o operador e a máquina.
Essas características minimizam a intervenção humana, melhoram o controle do processo e garantem a produção consistente de lingotes de SiC de alta qualidade, promovendo a eficiência nas operações de fabricação em larga escala.
A nossa folha de dados do Forno de Crescimento de Ingotas SiC
| Forno de 6 polegadas | Forno de 8 polegadas | ||
| PROJETO | Parâmetro | PROJETO | Parâmetro |
| Método de aquecimento | Aquecimento por resistência ao grafite | Método de aquecimento | Aquecimento por resistência ao grafite |
| Potência de entrada | Três fases, cinco fios AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz | Potência de entrada | Três fases, cinco fios AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
| Temperatura máxima de aquecimento | 2300°C | Temperatura máxima de aquecimento | 2300°C |
| Potência de aquecimento nominal | 80 kW | Potência de aquecimento nominal | 80 kW |
| Faixa de potência do aquecedor | 35 kW ~ 40 kW | Faixa de potência do aquecedor | 35 kW ~ 40 kW |
| Consumo de energia por ciclo | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h | Consumo de energia por ciclo | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Ciclo de Crescimento do Cristal | 5D ~ 7D | Ciclo de Crescimento do Cristal | 5D ~ 7D |
| Tamanho da máquina principal | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Longo x Largura x Altura) | Tamanho da máquina principal | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Longo x Largura x Altura) |
| Peso principal da máquina | ≈ 2000 kg | Peso principal da máquina | ≈ 2000 kg |
| Fluxo de água de arrefecimento | 6 m3/h | Fluxo de água de arrefecimento | 6 m3/h |
| Vazio limite do forno a frio | 5 × 10−4 Pa | Vazio limite do forno a frio | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosfera do forno | Argão (5N), Azoto (5N) | Atmosfera do forno | Argão (5N), Azoto (5N) |
| Matéria-prima | Partículas de carburo de silício | Matéria-prima | Partículas de carburo de silício |
| Tipo de cristal do produto | 4H | Tipo de cristal do produto | 4H |
| Espessura do cristal do produto | 18 mm ~ 30 mm | Espessura do cristal do produto | ≥ 15 mm |
| Diâmetro efetivo do cristal | ≥ 150 mm | Diâmetro efetivo do cristal | ≥ 200 mm |
O nosso serviço
Soluções personalizadas
Oferecemos soluções de fornos de carburo de silício (SiC) personalizadas, incluindo tecnologias PVT, Lely e TSSG/LPE, adaptadas para atender às suas necessidades específicas.Garantimos que os nossos sistemas se alinham com os seus objetivos de produção.
Formação dos clientes
Oferecemos treinamento completo para garantir que sua equipe entenda completamente como operar e manter nossos fornos.
Instalação no local e colocação em serviço
A nossa equipa instala e coloca em funcionamento pessoalmente os fornos de SiC no seu local, assegurando a sua instalação e conduzindo um processo de verificação minucioso para garantir que o sistema esteja totalmente operacional.
Apoio pós-venda
A nossa equipa está pronta para ajudar com reparações e soluções de problemas no local para minimizar o tempo de inatividade e manter o seu equipamento a funcionar sem problemas.
Estamos dedicados a oferecer fornos de alta qualidade e apoio contínuo para garantir o seu sucesso no crescimento de cristais de SiC.