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Forno SiC Forno de crescimento de lingotes SiC 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas PVT Lely Método TSSG LPE Alta taxa de crescimento
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 6 a 8 moluscos |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 5set/month |
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Informação detalhada |
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| Heating Method: | Graphite Resistance Heating | Input Power: | Three-phase, five-wire AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
|---|---|---|---|
| Temperatura máxima de aquecimento: | 2300°C | Rated Heating Power: | 80kW |
| Heater Power Range: | 35kW ~ 40kW | Consumo de energia por ciclo: | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Crystal Growth Cycle: | 5D ~ 7D | Main Machine Size: | 2150mm x 1600mm x 2850mm (Length x Width x Height) |
| Destacar: | Forno de crescimento de lingotes de SiC de 15 cm,Forno de crescimento de lingotes de SiC de 15 cm,Forno de crescimento de lingotes de 4 polegadas de SiC |
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Descrição de produto
Forno SiC Forno de crescimento de lingotes SiC, 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas, PVT Lely Método TSSG LPE Alta taxa de crescimento
Resumo do Forno de Crescimento de Ingotas de SiC
O Forno de Crescimento de Ingotas de SiC é projetado para um crescimento eficiente de cristais de carburo de silício usando aquecimento de resistência de grafite.Funciona com uma temperatura máxima de aquecimento de 2300°C e uma potência nominal de 80 kWO forno suporta um consumo de energia entre 3500 kW·h e 4500 kW·h por ciclo, com um ciclo de crescimento de cristais que varia de 5D a 7D. O tamanho do forno é de 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm,e tem um caudal de água de arrefecimento de 6m3/hO forno funciona num ambiente de vácuo com argão e nitrogénio como gases atmosféricos, garantindo a produção de lingotes de alta qualidade.
Foto da SiC Ingot Growth Furnace
O nosso Forno de Crescimento de Ingotas de SiC é de tipo cristalino especial
O SiC tem mais de 250 estruturas cristalinas, mas apenas o tipo 4HC pode ser usado para dispositivos de energia SiC.A ZMSH tem ajudado com sucesso os clientes a cultivar este tipo específico de cristal várias vezes usando o seu próprio forno.
Nosso Forno de Crescimento de Ingotas SiC é projetado para crescimento de cristais de carburo de silício (SiC) de alta eficiência, capaz de processar wafers SiC de 4 polegadas, 6 polegadas e 8 polegadas.Utilizando técnicas avançadas como PVT (Transporte de Vapor Físico), Lely, TSSG (Método de Gradiente de Temperatura) e LPE (Epitaxia de Fase Líquida), o nosso forno suporta altas taxas de crescimento, garantindo a melhor qualidade de cristal.
O forno é projetado para cultivar várias estruturas cristalinas de SiC, incluindo o 4H condutor, 4H semi-isolante e outros tipos de cristal, como 6H, 2H e 3C.Estas estruturas são cruciais para a produção de dispositivos de potência SiC e semicondutores, que são essenciais para aplicações em electrónica de potência, sistemas de eficiência energética e dispositivos de alta tensão.
O nosso forno de SiC garante um controlo preciso da temperatura e condições uniformes de crescimento dos cristais, permitindo a produção de lingotes e wafers de SiC de alta qualidade para aplicações avançadas em semicondutores.
O nossoIngota de SiCA vantagem do Growth Furnace
1-Design de campo térmico único
- O gradiente de temperatura axial é controlável, o gradiente de temperatura radial é ajustável e o perfil de temperatura é suave, resultando em uma interface de crescimento de cristal que é quase plana,aumentando assim a espessura de utilização do cristal.
- Redução do consumo de matérias-primas: o campo térmico interno é distribuído uniformemente, garantindo uma distribuição de temperatura mais uniforme dentro da matéria-prima,Melhorar significativamente a utilização do pó e reduzir os resíduos.
- Não há forte acoplamento entre as temperaturas axial e radial, permitindo um controle de alta precisão dos gradientes de temperatura axial e radial.Esta é a chave para resolver o estresse do cristal e reduzir a densidade de dislocação do cristal.
2- Alta precisão de controlo
O Forno de Crescimento de Ingotas de SiC foi especificamente concebido para produzir cristais de carburo de silício (SiC) de alta qualidade, que são cruciais para aplicações de semicondutores, incluindo a electrónica de potência,OptoeletrónicaO SiC é um material vital na produção de componentes que exigem alta condutividade térmica, eficiência elétrica e durabilidade.O nosso forno está equipado com sistemas de controlo avançados para garantir uma consistência, desempenho óptimo e qualidade cristalina.
O equipamento oferece uma precisão excepcional, com uma precisão de alimentação de 0,0005%, uma precisão de fluxo de gás de ±0,05 L/h, uma precisão de controlo de temperatura de ±0,5°C,e precisão de controlo da pressão da câmara de ±10 PaEstes parâmetros precisos criam um ambiente de crescimento de cristais estável e uniforme, que é essencial para a produção de lingotes e wafers de SiC de alta pureza com defeitos mínimos.
Os componentes-chave do sistema, como a válvula proporcional, a bomba mecânica, a câmara de vácuo, o medidor de fluxo de gás e a bomba molecular, funcionam em conjunto para garantir um desempenho fiável.melhorar a utilização dos materiaisEstes elementos contribuem para a capacidade do forno de produzir cristais de SiC de alta qualidade que satisfaçam os exigentes padrões da indústria dos semicondutores.
A tecnologia ZMSH® integra os mais recentes avanços nos processos de crescimento de cristais, garantindo os mais altos padrões de produção de cristais de SiC.Com a procura cada vez maior de componentes à base de SiC de alto desempenho, o nosso equipamento é projetado para apoiar indústrias como a electrónica de potência, energia renovável, e desenvolvimento de tecnologia avançada,impulsionar inovações em soluções de eficiência energética e aplicações sustentáveis.
3- Operação automatizada
Resposta automáticaMonitorização do sinal, feedback do sinal
Alarme automáticoAviso de excesso de limite, segurança dinâmica
Controle automáticoMonitorização e armazenamento em tempo real dos parâmetros de produção, acesso remoto e controlo.
Prompt ativoSistema especialista, interação homem-máquina
O forno de SiC da ZMSH é equipado com automação avançada para uma operação eficiente.resposta automáticacom monitorização e feedback de sinais,alarmes automáticospara condições de excesso de limite econtrolo automáticoO sistema também inclui um sistema de monitoramento de parâmetros em tempo real com acesso remoto.Atividadepara apoio de peritos e interação perfeita homem-máquina.
Essas características reduzem a dependência humana, melhoram o controle do processo e garantem a produção de lingotes de SiC de alta qualidade, apoiando a eficiência de fabricação em larga escala.
A nossa folha de dados do Forno de Crescimento de Ingotas SiC
| Forno de 6 polegadas | Forno de 8 polegadas | ||
| PROJETO | Parâmetro | PROJETO | Parâmetro |
| Método de aquecimento | Aquecimento por resistência ao grafite | Método de aquecimento | Aquecimento por resistência ao grafite |
| Potência de entrada | Três fases, cinco fios AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz | Potência de entrada | Três fases, cinco fios AC 380V ± 10% 50Hz~60Hz |
| Temperatura máxima de aquecimento | 2300°C | Temperatura máxima de aquecimento | 2300°C |
| Potência de aquecimento nominal | 80 kW | Potência de aquecimento nominal | 80 kW |
| Faixa de potência do aquecedor | 35 kW ~ 40 kW | Faixa de potência do aquecedor | 35 kW ~ 40 kW |
| Consumo de energia por ciclo | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h | Consumo de energia por ciclo | 3500 kW·h ~ 4500 kW·h |
| Ciclo de Crescimento do Cristal | 5D ~ 7D | Ciclo de Crescimento do Cristal | 5D ~ 7D |
| Tamanho da máquina principal | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Longo x Largura x Altura) | Tamanho da máquina principal | 2150 mm x 1600 mm x 2850 mm (Longo x Largura x Altura) |
| Peso principal da máquina | ≈ 2000 kg | Peso principal da máquina | ≈ 2000 kg |
| Fluxo de água de arrefecimento | 6 m3/h | Fluxo de água de arrefecimento | 6 m3/h |
| Vazio limite do forno a frio | 5 × 10−4 Pa | Vazio limite do forno a frio | 5 × 10−4 Pa |
| Atmosfera do forno | Argão (5N), Azoto (5N) | Atmosfera do forno | Argão (5N), Azoto (5N) |
| Matéria-prima | Partículas de carburo de silício | Matéria-prima | Partículas de carburo de silício |
| Tipo de cristal do produto | 4H | Tipo de cristal do produto | 4H |
| Espessura do cristal do produto | 18 mm ~ 30 mm | Espessura do cristal do produto | ≥ 15 mm |
| Diâmetro efetivo do cristal | ≥ 150 mm | Diâmetro efetivo do cristal | ≥ 200 mm |
O nosso serviço
Soluções personalizadas
Oferecemos soluções de fornos de carburo de silício (SiC) personalizadas, incluindo tecnologias PVT, Lely e TSSG/LPE, adaptadas para atender às suas necessidades específicas.Garantimos que os nossos sistemas se alinham com os seus objetivos de produção.
Formação dos clientes
Oferecemos treinamento completo para garantir que sua equipe entenda completamente como operar e manter nossos fornos.
Instalação no local e colocação em serviço
A nossa equipa instala e coloca em funcionamento pessoalmente os fornos de SiC no seu local, assegurando a sua instalação e conduzindo um processo de verificação minucioso para garantir que o sistema esteja totalmente operacional.
Apoio pós-venda
A nossa equipa está pronta para ajudar com reparações e soluções de problemas no local para minimizar o tempo de inatividade e manter o seu equipamento a funcionar sem problemas.
Estamos dedicados a oferecer fornos de alta qualidade e apoio contínuo para garantir o seu sucesso no crescimento de cristais de SiC.