Nome da marca: | ZMSH |
MOQ: | 1 |
Detalhes da embalagem: | De acordo com sua procura |
Condições de pagamento: | T/T |
Forno SiC: PVT, Lely, TSSG e sistemas de crescimento de cristais LPE para produção de carburo de silício de alta qualidade
Resumo do Forno de Crescimento de Cristal de Carbono de Silício
Oferecemos uma gama completa deFornos de crescimento de cristais de carburo de silício (SiC), incluindoPVT (Transporte Físico de Vapores),Lely (Método de indução), eTSSG/LPE (crescimento da fase líquida)Tecnologias.
O nossoFornos fotovoltaicosfornecer cristais de SiC de alta qualidade com controlo preciso da temperatura, ideal para semicondutores.Fornos de LelyUtilizam aquecimento por indução eletromagnética para o crescimento de cristais de SiC de grandes dimensões, com excelente uniformidade e defeitos mínimos.Fornos TSSG/LPEespecializam-se na produção de cristais de SiC ultrapuros e camadas epitaxiais para dispositivos avançados de energia e optoeletrônicos.
Apoiados por automação avançada, sistemas de precisão e projetos robustos, os nossos fornos atendem a diversas necessidades industriais e de investigação.soluções de alto desempenho para o crescimento de cristais de SiC para apoiar aplicações de ponta na fabricação de materiais de alta tecnologia.
Propriedades do forno de crescimento de cristais de carburo de silício
As fotos do Forno de Crescimento de Cristais de Carbono de Silício
O nosso serviço
Soluções personalizadas
Oferecemos soluções de fornos de carburo de silício (SiC) personalizadas, incluindo tecnologias PVT, Lely e TSSG/LPE, adaptadas para atender às suas necessidades específicas.Garantimos que os nossos sistemas se alinham com os seus objetivos de produção.
Formação dos clientes
Oferecemos treinamento completo para garantir que sua equipe entenda completamente como operar e manter nossos fornos.
Instalação no local e colocação em serviço
A nossa equipa instala e coloca em funcionamento pessoalmente os fornos de SiC no seu local, assegurando a sua instalação e conduzindo um processo de verificação minucioso para garantir que o sistema esteja totalmente operacional.
Apoio pós-venda
A nossa equipa está pronta para ajudar com reparações e soluções de problemas no local para minimizar o tempo de inatividade e manter o seu equipamento a funcionar sem problemas.
Estamos dedicados a oferecer fornos de alta qualidade e apoio contínuo para garantir o seu sucesso no crescimento de cristais de SiC.
Perguntas e respostas
P:Qual é o método físico de transporte de vapor da PVT?
A:OTransportes físicos de vapor (PVT)O método é uma técnica usada para o cultivo de cristais de alta qualidade, especialmente para materiais como o carburo de silício (SiC).Um material sólido é aquecido em vácuo ou em ambiente de baixa pressão para sublimá-lo (converter diretamente de sólido em vapor), que depois viaja através do sistema e se deposita como um cristal num substrato mais frio.
P:Qual é o método de crescimento do SiC?
A:Transportes físicos de vapor (PVT)
PVT envolve aquecer o material SiC em vácuo para vaporizá-lo, permitindo que o vapor se deposite em um substrato mais frio.
Em CVD, precursores gasosos como silano e propano são introduzidos em uma câmara onde reagem para formar SiC em um substrato.Método Lely (aquecimento por indução)
O método Lely usa aquecimento por indução para cultivar grandes cristais de SiC. O vapor do material aquecido de SiC condensa em um cristal de semente.
Este método envolve o crescimento de SiC a partir de uma solução derretida, produzindo cristais ultra-puros e camadas epitaxiais, ideais para dispositivos de alto desempenho.