Forno de SiC PVT Lely Sistemas de crescimento de cristais TSSG e LPE para produção de carburo de silício

Forno SiC: PVT, Lely, TSSG e sistemas de crescimento de cristais LPE para produção de carburo de silício de alta qualidade

Resumo do Forno de Crescimento de Cristal de Carbono de Silício

Oferecemos uma gama completa deFornos de crescimento de cristais de carburo de silício (SiC), incluindoPVT (Transporte Físico de Vapores),Lely (Método de indução), eTSSG/LPE (crescimento da fase líquida)Tecnologias.

O nossoFornos fotovoltaicosfornecer cristais de SiC de alta qualidade com controlo preciso da temperatura, ideal para semicondutores.Fornos de LelyUtilizam aquecimento por indução eletromagnética para o crescimento de cristais de SiC de grandes dimensões, com excelente uniformidade e defeitos mínimos.Fornos TSSG/LPEespecializam-se na produção de cristais de SiC ultrapuros e camadas epitaxiais para dispositivos avançados de energia e optoeletrônicos.

Apoiados por automação avançada, sistemas de precisão e projetos robustos, os nossos fornos atendem a diversas necessidades industriais e de investigação.soluções de alto desempenho para o crescimento de cristais de SiC para apoiar aplicações de ponta na fabricação de materiais de alta tecnologia.

Propriedades do forno de crescimento de cristais de carburo de silício

1Método PVT (Transporte físico de vapor)

• Princípio: Utiliza aquecimento resistivo para sublimar o material de origem SiC, que então se condensa em um cristal de semente para formar cristais de SiC.

• Aplicação: Principalmente para a produção de cristais únicos de SiC de qualidade de semicondutor.

• Vantagens:
  • Produção rentável.
  • Bem adequado para crescimento de cristais de média escala.

• Características fundamentais:
  • Emprega componentes de grafite de alta pureza, como cristais e suportes de sementes.
  • Controle de temperatura avançado através de termopares e sensores infravermelhos.
  • O vácuo e os sistemas de fluxo de gás inerte garantem uma atmosfera controlada.
  • Os sistemas automatizados de PLC aumentam a precisão e a repetibilidade.
  • Os sistemas integrados de refrigeração e tratamento de gases residuais mantêm a estabilidade do processo.

2Método Lely (aquecimento por indução)

• Princípio: Usa indução eletromagnética de alta frequência para aquecer o cadinho e sublimar o pó de SiC para crescimento de cristais.

• Aplicação: Ideal para o crescimento de cristais de SiC de grande tamanho devido à uniformidade superior de temperatura.

• Vantagens:
  • Alta eficiência térmica e aquecimento uniforme.
  • Reduz os defeitos cristalinos durante o crescimento.

• Características fundamentais:
  • Equipado com bobinas de indução de cobre e cristais revestidos com SiC.
  • Dispõe de câmaras de vácuo de alta temperatura para uma operação estável.
  • Controle preciso da temperatura e do fluxo de gás.
  • PLC e sistemas de controlo remoto para automação reforçada.
  • Sistemas de arrefecimento e de escape eficientes para garantir a segurança e a fiabilidade.

3Método TSSG/LPE (crescimento da fase líquida)

• Princípio: Dissolve o SiC num metal fundido a alta temperatura e produz cristais através de arrefecimento controlado (TSSG) ou deposita camadas de SiC num substrato (LPE).

• Aplicação: Produz cristais de SiC de ultra-alta pureza e camadas epitaxiais para energia e optoeletrónica.

• Vantagens:
  • Baixa densidade de defeitos e crescimento de cristais de alta qualidade.
  • Adequado tanto para cristais a granel como para deposição em película fina.

• Características fundamentais:
  • Utiliza cristais compatíveis com SiC (por exemplo, grafite ou tântalo).
  • Oferece sistemas de aquecimento precisos para temperaturas de até 2100°C.
  • Mecanismos de rotação/posicionamento altamente controlados para crescimento uniforme.
  • Controle automatizado dos processos e sistemas de arrefecimento eficientes.
  • Adaptável a várias aplicações, incluindo eletrónica de alta potência.

As fotos do Forno de Crescimento de Cristais de Carbono de Silício

O nosso serviço

1. Soluções personalizadas
   Oferecemos soluções de fornos de carburo de silício (SiC) personalizadas, incluindo tecnologias PVT, Lely e TSSG/LPE, adaptadas para atender às suas necessidades específicas.Garantimos que os nossos sistemas se alinham com os seus objetivos de produção.
    

2. Formação dos clientes
   Oferecemos treinamento completo para garantir que sua equipe entenda completamente como operar e manter nossos fornos.
    

3. Instalação no local e colocação em serviço
   A nossa equipa instala e coloca em funcionamento pessoalmente os fornos de SiC no seu local, assegurando a sua instalação e conduzindo um processo de verificação minucioso para garantir que o sistema esteja totalmente operacional.
    

4. Apoio pós-venda
   A nossa equipa está pronta para ajudar com reparações e soluções de problemas no local para minimizar o tempo de inatividade e manter o seu equipamento a funcionar sem problemas.
    

Estamos dedicados a oferecer fornos de alta qualidade e apoio contínuo para garantir o seu sucesso no crescimento de cristais de SiC.

Perguntas e respostas

P:Qual é o método físico de transporte de vapor da PVT?

A:OTransportes físicos de vapor (PVT)O método é uma técnica usada para o cultivo de cristais de alta qualidade, especialmente para materiais como o carburo de silício (SiC).Um material sólido é aquecido em vácuo ou em ambiente de baixa pressão para sublimá-lo (converter diretamente de sólido em vapor), que depois viaja através do sistema e se deposita como um cristal num substrato mais frio.

P:Qual é o método de crescimento do SiC?

A:Transportes físicos de vapor (PVT)

PVT envolve aquecer o material SiC em vácuo para vaporizá-lo, permitindo que o vapor se deposite em um substrato mais frio.

Deposição química de vapor (CVD)

Em CVD, precursores gasosos como silano e propano são introduzidos em uma câmara onde reagem para formar SiC em um substrato.Método Lely (aquecimento por indução)

O método Lely usa aquecimento por indução para cultivar grandes cristais de SiC. O vapor do material aquecido de SiC condensa em um cristal de semente.

Crescimento da solução (TSSG/LPE)

Este método envolve o crescimento de SiC a partir de uma solução derretida, produzindo cristais ultra-puros e camadas epitaxiais, ideais para dispositivos de alto desempenho.