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Detalhes dos produtos

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Carcaça do semicondutor
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Carcaça Undoped semi de isolamento da bolacha do arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz que ilumina 2inch 3inch 4inch

Carcaça Undoped semi de isolamento da bolacha do arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz que ilumina 2inch 3inch 4inch

Nome da marca: zmkj
Número do modelo: 2inch SEMI
MOQ: 5pcs
preço: by case
Detalhes da embalagem: única bolacha embalada em 6" caixa plástica sob o N2
Condições de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Informações detalhadas
Lugar de origem:
China
Material:
Único cristal do GaAs
Tamanho:
4Inch
Espessura:
625um ou customzied
DO TIPO:
Do plano
Orientação:
(100) 2°off
Superfície:
DSP
método do crescimento:
VFG
Habilidade da fonte:
500pcs pelo mês
Destacar:

Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 4 polegadas

,

Carcaça semi de isolamento do GaAs

,

Diodo emissor de luz que ilumina a bolacha do arsenieto de gálio

Descrição do produto

tipo bolacha de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N do GaAs do arsenieto de gálio de /Si-doped da semi-isolação

Descrição do produto

Nosso 2' ‘a 6" ‘cristal decondução & deisolamento & bolacha do GaAs são usados descontroladamente na aplicação da aplicação do circuito integrado do semicondutor & da iluminação geral do diodo emissor de luz.

Característica e aplicação da bolacha do GaAs
CaracterísticaCampo da aplicação
Mobilidade de elétron altaDiodos luminescentes
Alta frequênciaDiodos láser
Eficiência de conversão altaDispositivos fotovoltaicos
Consumo da baixa potênciaTransistor de mobilidade de elétron alto
Diferença de faixa diretaTransistor bipolar da heterojunção

Carcaça Undoped semi de isolamento da bolacha do arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz que ilumina 2inch 3inch 4inch 0

Carcaça Undoped semi de isolamento da bolacha do arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz que ilumina 2inch 3inch 4inch 1
DESCRIÇÃO DO PRODUTO
 

Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs

     

 Método do crescimento

VGF

Entorpecente

p-tipo: Zn

n-tipo: Si

Forma da bolacha

Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Entorpecente

Si (n-tipo)

Zn (p-tipo)

Concentração de portador (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Mobilidade (cm2/V.S.)

× 103 (de 1-2.5)

50-120

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetros)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

DE (milímetros)

17±1

22±1

32.5±1

DE/SE (milímetros)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs

Método do crescimento

VGF

Entorpecente

Tipo do SI: Carbono

Forma da bolacha

Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Resistividade (Ω.cm)

× 107 do ≥ 1

× 108 do ≥ 1

Mobilidade (cm2/V.S)

≥ 5.000

≥ 4.000

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetros)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

DE (milímetros)

17±1

22±1

32.5±1

ENTALHE

DE/SE (milímetros)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

 
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FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
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Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Como pagar?
T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio em Alibaba e etc….
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
 
Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto,
nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!