Nome da marca:	ZMKJ
Número do modelo:	Único cristal UTI-AlN-10x10
MOQ:	1PCS
preço:	by case
Detalhes da embalagem:	único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, Paypal

Informações detalhadas

Descrição do produto

Informações detalhadas

Lugar de origem:

China

material:

Cristal de AlN

espessura:

400um

Orientação:

0001

aplicação:

poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência

aplicação 2:

dispositivos de 5G saw/BAW

Ra:

0.5nm

superfície lustrada:

Cmp da cara do Al, PM da N-cara

tipo de cristal:

Habilidade da fonte:

10PCS/Month

Destacar:

carcaça do aln do diâmetro 10mm

5G viu a carcaça do semicondutor

única carcaça de cristal do aln

Descrição do produto

10x10mm ou diâmetro 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, bolachas de cristal de AlN da carcaça de dia50.8mm AlN únicas

Aplicações de Molde de AlN

a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites e não podia satisfazer as exigências do futuro

dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem

as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap largo, condutibilidade térmica alta, divisão alta arquivaram,

a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corrosão/radiação, e é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,

dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF), os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente, carcaça de AlN são

o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV, dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G SAW/BAW

dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteção ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impressão,

campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro, tais como a purificação/esterilização UV, cura UV, photocatalysis, coun?

detecção do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicação médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,

detecção aeroespacial/espaço e outros campos.

nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar

moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN

moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo

procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.

Nós fornecemos atualmente clientes o nitrogênio de alta qualidade estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
De alumínio escolha os produtos de cristal da carcaça, e possa igualmente fornecer clientes o 10-20mm não-polar
carcaça de cristal do nitreto de alumínio do M-plano única, ou para personalizar 5mm-50.8mm não padronizados aos clientes
Única carcaça de cristal lustrada do nitreto de alumínio. Este produto é amplamente utilizado como um material da carcaça da parte alta
Usado em microplaquetas de UVC-LED, em detectores UV, em lasers UV, e no vário poder superior
temperatura de /High/campo de alta frequência do dispositivo eletrónico.

Especificação característica

Modelo Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
Diâmetro 10x10±0.5mm;
Espessura da carcaça (µm) 400 ± 50
Orientação C-linha central [0001] +/- 0.5°

Categoria de qualidade S-categoria (super) P-categoria (produção) R-categoria (pesquisa)

Quebras Nenhum Nenhum <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro) CMP da Al-cara<0>

Área útil 90%
A absorvência<50>

primeiro da orientação do comprimento {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Curva (µm) ≤30
Urdidura (µm) -30~30
Nota: Estes resultados da caracterização podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados

5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm 1

5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm 2

5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm 3

5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm 4

elemento da impureza Fe do Na W.P.S Si do si B de C O

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Estrutura de cristal	Wurtzite
Constante da estrutura (Å)	a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução	Bandgap direto
Densidade (g/cm3)	3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop)	800
Ponto de derretimento (℃)	2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K)	320
Energia da diferença de faixa (eV)	6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2)	1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm)	11,7

Tags:

carcaça da safira

Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

Sapphire Tube

Bolacha do nitreto do gálio

Carcaça do semicondutor

Gem Stone sintético

Partes de cerâmica

equipamento de laboratório científico

Caixa de relógio do cristal de safira

Caixa do portador da bolacha

Carcaça Monocrystalline fina Superconducting

carcaça da safira

Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

Sapphire Tube

Bolacha do nitreto do gálio

Carcaça do semicondutor

Gem Stone sintético

Partes de cerâmica

equipamento de laboratório científico

Caixa de relógio do cristal de safira

Caixa do portador da bolacha

Carcaça Monocrystalline fina Superconducting

Detalhes dos produtos

5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm

carcaça da safira

Safira Windows ótico

Bolacha do carboneto de silicone

Sapphire Tube

Bolacha do nitreto do gálio

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5G viu a carcaça do semicondutor de AlN do único cristal do diâmetro 10mm

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