Nome da marca:	ZMKJ
Número do modelo:	UTI-AlN-150
MOQ:	3pcs
preço:	by case
Detalhes da embalagem:	único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, Paypal

Informações detalhadas

Descrição do produto

Informações detalhadas

Lugar de origem:

China

carcaça:

bolacha de silicone

camada:

Molde de AlN

espessura da camada:

200-1000nm

tipo da condutibilidade:

N/P

Orientação:

0001

aplicação:

poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência

aplicação 2:

dispositivos de 5G saw/BAW

espessura do silicone:

525um/625um/725um

Habilidade da fonte:

50PCS/Month

Destacar:

Carcaça do semicondutor de AlN

carcaça do aln do diâmetro de 30mm

o aln de 30mm escolhe de cristal

Descrição do produto

diâmetro 150mm 8inch 4inch 6inch Silicone-baseou o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone

Aplicações de Molde de AlN

a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites e não podia satisfazer as exigências do futuro

dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem

as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap largo, condutibilidade térmica alta, divisão alta arquivaram,

a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corrosão/radiação, e é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,

dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF), os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente, carcaça de AlN são

o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV, dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G SAW/BAW

dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteção ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impressão,

campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro, tais como a purificação/esterilização UV, cura UV, photocatalysis, coun?

detecção do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicação médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,

detecção aeroespacial/espaço e outros campos.

nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar

moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN

moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo

procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.

Nós fornecemos atualmente clientes o nitrogênio de alta qualidade estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
De alumínio escolha os produtos de cristal da carcaça, e possa igualmente fornecer clientes o 10-20mm não-polar
carcaça de cristal do nitreto de alumínio do M-plano única, ou para personalizar 5mm-50.8mm não padronizados aos clientes
Única carcaça de cristal lustrada do nitreto de alumínio. Este produto é amplamente utilizado como um material da carcaça da parte alta
Usado em microplaquetas de UVC-LED, em detectores UV, em lasers UV, e no vário poder superior
temperatura de /High/campo de alta frequência do dispositivo eletrónico.

Especificação

Especificação característica

Modelo Cristal de UTI-AlN-030B-single
Diâmetro Dia30±0.5mm;
Espessura da carcaça (µm) 400 ± 50
Orientação C-linha central [0001] +/- 0.5°

Categoria de qualidade S-categoria (super) P-categoria (produção) R-categoria (pesquisa)

Quebras Nenhum Nenhum <3mm>

FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300> 0
FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200> 0
Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro) Al-cara <0>
Área útil 90%
A absorvência<50>

primeiro da orientação do comprimento {10-10} ±5°;
TTV (µm) ≤30
Curva (µm) ≤30
Urdidura (µm) -30~30
Nota: Estes resultados da caracterização podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 1

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 2

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 3

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 4

elemento da impureza Fe do Na W.P.S Si do si B de C O

PPMW 27 90 5,4 0,92 0,23 <0>

Estrutura de cristal	Wurtzite
Constante da estrutura (Å)	a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução	Bandgap direto
Densidade (g/cm3)	3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop)	800
Ponto de derretimento (℃)	2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K)	320
Energia da diferença de faixa (eV)	6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2)	1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm)	11,7

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