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Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

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gallium arsenide wafer

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Bom preço Carcaça Undoped semi de isolamento da bolacha do arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz que ilumina 2inch 3inch 4inch On-line

Carcaça Undoped semi de isolamento da bolacha do arsenieto de gálio para o diodo emissor de luz que ilumina 2inch 3inch 4inch

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Bom preço O Fe do si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio exposição da projeção do laser de 2 POLEGADAS On-line

O Fe do si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio exposição da projeção do laser de 2 POLEGADAS

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Bom preço 2 bolacha do nitreto do gálio III de 4 polegadas 4-5 Um de 0,43 milímetros da safira carcaças sic On-line

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Bom preço 4 molde de Sapphire Gallium Nitride Wafer 5um AlN da polegada On-line

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Bom preço 8 micro diodo emissor de luz da polegada AlGaN/GaN Gallium Nitride Wafer For On-line

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Bom preço 2 bolacha do nitreto do gálio da polegada DSP SSP moldes Epitaxial de um GaN das carcaças da safira da linha central On-line

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Bom preço GaN-Em-safira livre GaN-Em-SIC do dispositivo de GaN Substrates HVPE GaN Wafers Powder da posição On-line

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Bom preço III - Nitreto 2 INCH Wafer GaN em pé livre On-line

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Bom preço Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz On-line

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Bom preço Tipo da bolacha N de Epi do si do diâmetro 200mm AlGaN para o micro diodo emissor de luz 6 polegadas On-line

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Bom preço 2

2" de N bolacha LD/LED do GaAs DSP/SSP do arsenieto de gálio do entorpecente do si da carcaça do semicondutor semi

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Bom preço Bolacha lubrificada si do GaAs do arsenieto de gálio da carcaça do semicondutor para Microwave/HEMT/PHEMT On-line

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Bom preço O tipo si de 4 polegadas N da carcaça do semicondutor de 15° lubrificou a bolacha SSP do GaAs On-line

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Bom preço 6 polegadas 350um 0.5mmt Sapphire Carrier Substrate Wafer SSP DSP On-line

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Bom preço Tipo de InAs Wafer Crystal Substrates N para MBE 99,9999% Monocrystalline On-line

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Bom preço Orifício de carburo de silício de 3 polegadas de semi-isolação 4H tipo N Orientação CVD 4.0°±0.5° On-line

Orifício de carburo de silício de 3 polegadas de semi-isolação 4H tipo N Orientação CVD 4.0°±0.5°

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