Descrição de produto

8 polegadas 4H-N tipo SiC espessura da bolacha 500±25um n dopado de qualidade de pesquisa

8 polegadas 4H-N tipo Wafer SiC resumo

O presente estudo apresenta a caracterização de uma bolacha de carburo de silício (SiC) de tipo 4H-N de 8 polegadas, destinada a aplicações em semicondutores.foi fabricado utilizando técnicas de ponta e é dopado com impurezas do tipo nForam utilizadas técnicas de caracterização, incluindo difração de raios X (XRD), microscopia eletrônica de varredura (SEM) e medições do efeito Hall, para avaliar a qualidade do cristal, a morfologia da superfície, a qualidade da superfície e a qualidade da superfície.e propriedades elétricas da bolachaA análise XRD confirmou a estrutura do politipo 4H da wafer SiC, enquanto a imagem SEM revelou uma morfologia de superfície uniforme e livre de defeitos.As medições do efeito Hall indicaram um nível de dopagem de tipo n consistente e controlável em toda a superfície da bolachaOs resultados sugerem que a wafer SiC tipo 4H-N de 8 polegadas apresenta características promissoras para utilização em dispositivos semicondutores de alto desempenho.especialmente em aplicações que exijam uma operação de alta potência e alta temperaturaSão necessários estudos de otimização e integração de dispositivos para explorar plenamente o potencial desta plataforma material.

Propriedades da Wafer SiC tipo 4H-N de 8 polegadas

1. Estrutura cristalina: apresenta uma estrutura cristalina hexagonal com um politipo 4H, fornecendo propriedades eletrônicas favoráveis para aplicações de semicondutores.

2. Diâmetro da bolacha: 8 polegadas, proporcionando uma grande área de superfície para fabricação e escalabilidade do dispositivo.

3. Espessura da wafer: tipicamente 500 ± 25 μm, proporcionando estabilidade mecânica e compatibilidade com processos de fabricação de semicondutores.

4. Dopagem: dopagem do tipo N, em que os átomos de nitrogénio são introduzidos intencionalmente como impurezas para criar um excesso de elétrons livres na rede cristalina.

5. Propriedades elétricas:

   • Alta mobilidade de elétrons, permitindo um transporte eficiente de carga.
   • Baixa resistividade elétrica, facilitando a condução de eletricidade.
   • Perfil de dopagem controlado e uniforme em toda a superfície da bolacha.

6. Pureza do material: material SiC de alta pureza, com baixos níveis de impurezas e defeitos, garantindo desempenho e longevidade confiáveis do dispositivo.

7. Morfologia da superfície: Morfologia superficial lisa e livre de defeitos, adequada para o crescimento epitaxial e processos de fabricação de dispositivos.

8. Propriedades térmicas: Alta condutividade térmica e estabilidade a temperaturas elevadas, tornando-o adequado para aplicações de alta potência e alta temperatura.

9. Propriedades ópticas: energia de banda larga e transparência no espectro visível e infravermelho, permitindo a integração de dispositivos optoeletrônicos.

10. Propriedades mecânicas:

    • Alta resistência mecânica e dureza, proporcionando durabilidade e resiliência durante o manuseio e o processamento.
    • Baixo coeficiente de expansão térmica, reduzindo o risco de fissuração induzida por esforço térmico durante o ciclo de temperatura.

      Número	Ponto	Unidade	Produção	Investigação	Tonto.
      1	politipo		4H	4H	4H
      2	Orientação da superfície	°	< 11-20> 4 ± 0.5	< 11-20> 4 ± 0.5	< 11-20> 4 ± 0.5
      3	Dopante		Nitrogénio do tipo n	Nitrogénio do tipo n	Nitrogénio do tipo n
      4	resistência	Ohm · cm	0.015 ~ 0.025	0.01~0.03
      5	Diâmetro	mm	200 ± 0.2	200 ± 0.2	200 ± 0.2
      6	espessura	μm	500 ± 25	500 ± 25	500 ± 25
      7	Orientação do entalhe	°	[1- 100]± 5	[1- 100]± 5	[1- 100]± 5
      8	Profundidade do entalhe	mm	Um a um.5	Um a um.5	Um a um.5
      9	LTV	μm	≤ 5 (± 10 mm × 10 mm)	≤ 5 (± 10 mm × 10 mm)	≤ 10 mm × 10 mm
      10	TTV	μm	≤ 10	≤ 10	≤ 15
      11	Incline-se.	μm	25 ~ 25	45 ~ 45	65 ~ 65
      12	Warp.	μm	≤ 30	≤ 50	≤ 70

Imagem do Wafer SiC tipo 4H-N de 8 polegadas

Aplicação do Wafer SiC de 8 polegadas tipo 4H-N

Eletrónica de potência: As placas de SiC são amplamente utilizadas na fabricação de dispositivos de potência, tais como diodos Schottky, MOSFETs (Metal-Oxide-Semicondutor Field-Effect Transistors),e IGBT (transistores bipolares de porta isolada)Estes dispositivos beneficiam da elevada tensão de ruptura do SiC, da baixa resistência no estado de funcionamento e do desempenho a altas temperaturas, tornando-os adequados para aplicações em veículos elétricos,Sistemas de energia renovável, e sistemas de distribuição de energia.

Dispositivos de RF e microondas: As placas de SiC são utilizadas no desenvolvimento de dispositivos de RF (Radio Frequency) e microondas de alta frequência devido à sua elevada mobilidade eletrônica e condutividade térmica.Aplicações incluem amplificadores de alta potência, interruptores de RF e sistemas de radar, onde as vantagens de desempenho do SiC permitem uma gestão eficiente da energia e uma operação de alta frequência.

Optoeletrónica: As placas de SiC são utilizadas na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, tais como fotodetectores ultravioleta (UV), diodos emissores de luz (LEDs) e diodos laser.A ampla distância de banda do SiC e a transparência óptica na faixa UV tornam-no adequado para aplicações em detecção UV, esterilização UV, e LEDs UV de alto brilho.

Eletrônicos de alta temperatura: As placas de SiC são preferidas para sistemas eletrónicos que operam em ambientes adversos ou a temperaturas elevadas.e sistemas de controlo de motores automóveis, onde a estabilidade térmica e a fiabilidade do SiC permitem o funcionamento em condições extremas.

Tecnologia de sensores: As placas de SiC são utilizadas no desenvolvimento de sensores de alto desempenho para aplicações como detecção de temperatura, detecção de pressão e detecção de gases.Os sensores baseados em SiC oferecem vantagens como alta sensibilidade, tempos de resposta rápidos e compatibilidade com ambientes adversos, tornando-os adequados para aplicações industriais, automotivas e aeroespaciais.