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9.4 Dureza Wafer de carburo de silício Peças de rolamento de cristal único Forma personalizada
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | sic peças |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 10pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 1-6weeks |
| Termos de pagamento: | T / União, T Ocidental, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1-50pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | Cristal sic único | Dureza: | 9,4 |
|---|---|---|---|
| forma: | Personalizado | Tolerância: | ±0.1mm |
| Aplicação: | componente do equipamento | ||
| Realçar: | carcaça do carboneto de silicone,sic bolacha |
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Descrição de produto
2 polegadas/3 polegadas/4 polegadas/6 polegadas 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N lingotes SIC/ Alta pureza 4H-N 4 polegadas 6 polegadas diâmetro 150 mm de carburo de silício substratos de cristal único (sic) wafers, lingotes de cristal sic substratos de semicondutores sic,Wafer de cristal de carburo de silício/Wafer de silicone cortadas à medida/Peças para rolamentos
Sobre o cristal de carburo de silício (SiC)
O carburo de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor contendo silício e carbono com fórmula química SiC.O SiC é usado em dispositivos eletrônicos semicondutores que operam a altas temperaturas ou altas tensões, ou ambos.O SiC é também um dos componentes importantes do LED, é um substrato popular para o crescimento de dispositivos GaN e também serve como um dispersor de calor em LEDs de alta potência.
| Imóveis | 4H-SiC, cristal único | 6H-SiC, cristal único |
| Parâmetros da malha | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Sequência de empilhamento | ABCB | ABCACB |
| Dureza de Mohs | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Densidade | 30,21 g/cm3 | 30,21 g/cm3 |
| Coeficiente de expansão térmica | 5 × 10 × 6/K | 5 × 10 × 6/K |
| Índice de refração @750nm |
não = 2.61 ne = 2.66 |
não = 2.60 ne = 2.65 |
| Constante dielétrica | c~9.66 | c~9.66 |
| Conductividade térmica (tipo N, 0,02 ohm.cm) |
a~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
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| Condutividade térmica (semisulante) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
| Fenda de banda | 3.23 eV | 30,02 eV |
| Campo elétrico de ruptura | 3 a 5 × 106 V/cm | 3 a 5 × 106 V/cm |
| Velocidade da deriva de saturação | 2.0×105m/s | 2.0×105m/s |
Carbono de silício (SiC) de alta pureza de 4 polegadas de diâmetro Especificação do substrato
Sobre a empresa ZMKJ
A ZMKJ pode fornecer wafer de SiC de cristal único de alta qualidade (Carburo de Silício) para a indústria eletrônica e optoeletrônica.com propriedades elétricas únicas e excelentes propriedades térmicas , em comparação com a wafer de silício e a wafer de GaAs, a wafer SiC é mais adequada para aplicação em dispositivos de alta temperatura e alta potência. A wafer SiC pode ser fornecida em diâmetros de 2-6 polegadas, tanto 4H como 6H SiC,Tipo N, tipo dopado com nitrogénio e semi-isolante disponíveis.
Perguntas frequentes:
P: Qual é a forma de envio e custo?
A: ((1) Aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.
(2) é bom se tiver a sua própria conta expressa, se não, podemos ajudá-lo a enviá-los e
Carga é in de acordo com a liquidação efetiva.
P: Como pagar?
R: T/T 100% de depósito antes da entrega.
Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para estoque, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs é melhor.
(2) Para os produtos personalizados, o MOQ é de 10pcs.
P: Qual é o prazo de entrega?
A: (1) Para os produtos normalizados
Para o inventário: a entrega é de 5 dias úteis após a sua encomenda.
Para produtos personalizados: a entrega é de 2 a 4 semanas após a encomenda.
P: Tem produtos padrão?
A: Os nossos produtos normais em estoque. como substratos 4 polegadas 0,35mm.