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Estrutura cristalina de cor clara 4H-SiC 6H-SiC Semi-isolante SiC Alta dureza mecânica
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | Semi-isolador de SiC |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5 |
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| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| Polytype: | 4H 6H | Resistividade (RT) Rugosidade da superfície: | > 1E5 Ω.cm |
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| Aspereza de superfície: | 0.5 nm (pronto para Epi-CMP de face de Si) | FWHM: | A<30 segundos de arco |
| TTV: | < 25um | curva: | < 25um |
| urdidura: | < 25um | Orientação lisa preliminar: | < 11-20> + 5,0° |
| Revestimento de superfície: | de peso superior a 200 g/m2 | Área útil: | ≥ 90% |
| Realçar: | Alta dureza mecânica Semi-isolante SiC,Estrutura cristalina 4H-SiC,Wafers de SiC semi-isolantes |
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Descrição de produto
Resumo
O 4-HSemi-isolador de SiCO substrato é um material semicondutor de alto desempenho com uma ampla gama de aplicações.Este substrato apresenta características elétricas excepcionais, incluindo alta resistividade e baixa concentração de portador, tornando-se uma escolha ideal para dispositivos eletrônicos de radiofrequência (RF), microondas e potência.
Principais características do 4-HSemi-isolador de SiCO substrato possui propriedades elétricas altamente uniformes, baixa concentração de impurezas e excelente estabilidade térmica.Estes atributos tornam-no adequado para a fabricação de dispositivos de potência de RF de alta frequência, sensores eletrónicos de alta temperatura e equipamento eletrónico de microondas.Sua alta resistência ao campo de ruptura e excelente condutividade térmica também o posicionam como o substrato preferido para dispositivos de alta potência.
Além disso, o 4-HSemi-isolador de SiCO substrato demonstra uma excelente estabilidade química, o que lhe permite operar em ambientes corrosivos e ampliar a sua gama de aplicações.Desempenha um papel fundamental em indústrias como a fabricação de semicondutores, telecomunicações, defesa e experimentos de física de alta energia.
Em resumo, o 4-HSemi-isolador de SiCum substrato, com as suas excelentes propriedades eléctricas e térmicas,é muito promissor no domínio dos semicondutores e constitui uma base fiável para a produção de dispositivos eletrónicos de alto desempenho.
Propriedades
Dispositivos eletrónicos de alta potência:Semi-isolador de SiCÉ ideal para dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência devido à sua alta tensão de quebra e alta condutividade térmica.
Dispositivos de RF: devido à sua elevada condutividade térmica e baixa perda,Semi-isolador de SiCé utilizado em dispositivos de RF, tais como amplificadores de potência de microondas e transistores de RF.
Dispositivos optoeletrônicos:Semi-isolador de SiCtambém apresenta excelentes propriedades optoeletrônicas, tornando-o adequado para a fabricação de LEDs, lasers e fotodetectores.
Dispositivos eletrónicos em ambientes de alta temperatura: o elevado ponto de fusão e a excelente estabilidade química do material tornam este material extremamente resistente à corrosão.Semi-isolador de SiCamplamente utilizado em dispositivos eletrónicos que operam em ambientes de alta temperatura, como no controlo de processos aeroespaciais, automotivos e industriais.
Dispositivos resistentes à radiação:Semi-isolador de SiCÉ altamente resistente à radiação, tornando-o adequado para dispositivos eletrónicos resistentes à radiação em reactores nucleares e aplicações espaciais.
Sensores: as propriedades únicas deSemi-isolador de SiCO material é adequado para a fabricação de vários tipos de sensores, tais como sensores de temperatura, sensores de pressão e sensores químicos.
Características:
Alta resistência:Semi-isolador de SiCPossui uma resistência muito elevada, o que significa que pode impedir efetivamente o fluxo de corrente elétrica, tornando-o adequado para utilização como camada isolante em dispositivos eletrónicos de alta potência
Alta condutividade térmica:SiCO material tem uma condutividade térmica muito elevada, o que ajuda a dissipar o calor dos dispositivos de forma rápida e eficiente, melhorando assim o desempenho e a fiabilidade dos dispositivos.
Alta tensão de ruptura:Semi-isolador de SiCtem uma tensão de ruptura muito elevada, o que significa que pode funcionar em aplicações de alta tensão sem sofrer uma ruptura elétrica.
Excelente estabilidade química:SiCpermanece quimicamente estável numa ampla gama de temperaturas e é altamente resistente à maioria dos ácidos e bases.
Ponto de fusão elevado:SiCTem um ponto de fusão excepcionalmente elevado, aproximadamente 2.730°C (4.946°F), permitindo-lhe manter a estabilidade em ambientes de altas temperaturas extremas.
Tolerância à radiação: semi-isolanteSiCapresenta uma elevada tolerância à radiação, o que o torna de excelente desempenho em reactor nuclear e aplicações espaciais.
Excelentes propriedades mecânicas:SiCÉ um material muito duro, com excelente resistência ao desgaste e alta resistência.
Semicondutor de banda larga:SiCÉ um semicondutor de banda larga, com alta mobilidade de elétrons e baixa corrente de fuga, o que resulta em desempenho excepcional em dispositivos eletrônicos de alta temperatura e alta frequência.
| Imóveis | Descrição |
| Alta resistência | Possui uma resistência elétrica muito elevada, atuando como um isolante eficaz em dispositivos eletrónicos de alta potência. |
| Alta condutividade térmica | Dissipa o calor de forma rápida e eficiente, melhorando o desempenho e a fiabilidade do dispositivo. |
| Alta tensão de ruptura | Pode operar em condições de alta tensão sem sofrer avarias elétricas. |
| Excelente estabilidade química | Permanece estável em uma ampla gama de temperaturas e é altamente resistente à maioria dos ácidos e bases. |
| Ponto de fusão elevado | Mantém a estabilidade em ambientes de altas temperaturas extremas com um ponto de fusão de cerca de 2,730 capturadoC (4,946 capturadoF). |
| Tolerância à radiação | Exibem alta resistência à radiação, adequada para utilização em reactores nucleares e aplicações espaciais. |
| Excelentes propriedades mecânicas | Material muito duro, que proporciona uma excelente resistência ao desgaste e uma elevada resistência. |
| Semicondutor de banda larga | Funciona bem em aplicações de alta temperatura e alta frequência devido à alta mobilidade de elétrons e baixa corrente de fuga. |
Embalagem e transporte:
Os Wafers de Carbono de Silício (SiC) são fatias finas de material semicondutor usado principalmente para eletrônicos de potência.É importante seguir as instruções de embalagem e transporte adequadas.
Embalagem
- As bolinhas devem ser enviadas numa embalagem segura ESD.
- Cada bolacha deve ser enrolada num material seguro para o ESD, tal como uma espuma ESD ou um envoltório de bolhas.
- A embalagem deve ser selada com fita de segurança ESD.
- A embalagem deve ser rotulada com o símbolo de segurança ESD e o adesivo "Fragile".