Alta Resistividade 8 polegadas 200 mm Wafer de Carbono de Silício Produção Grau 4H-N

Descrição do produto:

Como o principal fabricante e fornecedor de wafers de substratos de SiC (Carbido de Silício), a ZMSH oferece o melhor preço no mercado para wafers de substratos de carburo de silício de 2 e 3 polegadas.Os Wafers de substratos de SiC são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos de alta potência e alta frequência.O diodo emissor de luz (LED) é um dos muitos dispositivos eletrônicos que colhem os benefícios das wafers de substrato de SiC.O LED é um tipo de semicondutor que combina elétrons e furos para formar uma fonte de luz fria eficiente em termos energéticos.tornando-os uma escolha atraente para aplicações industriaisPor conseguinte, com o melhor preço e a utilização doWafer de substrato de SiCEm vários dispositivos eletrónicos, o ZMSH é a opção adicional para os fabricantes que desejam comprar wafers de substratos de carburo de silício.

Características:

Carbono de silício (SiC) de cristal únicopossui excelentes propriedades de condutividade térmica, elevada mobilidade dos elétrons de saturação e resistência à degradação de alta tensão.e dispositivos eletrónicos resistentes à radiação.

O cristal único de SiC possui muitas propriedades excelentes, incluindo alta condutividade térmica, alta mobilidade de elétrons saturados e forte degradação anti-voltagem.O único cristal de SiC é adequado para a preparação de alta frequência, dispositivos eletrónicos de alta potência, de alta temperatura e resistentes à radiação.

 

Parâmetros técnicos:

Nome do produto:Substrato de carburo de silício, wafer de carburo de silício, wafer de SiC, substrato de SiC.

Método de crescimento: MOCVD.

Estrutura cristalina: 6H e 4H.

Parâmetros da malha: 6H (a=3,073 Å, c=15,117 Å); 4H (a=3,076 Å, c=10,053 Å).

Sequência de empilhamento: 6H (ABCACB), 4H (ABCB).

Grau: Grau de Produção, Grau de Pesquisa, Grau Dummy.

Tipo de condutividade: tipo N ou semi-isolante.

Intervalo de banda: 3,23 eV.

Dureza: 9,2 mohs.

Conductividade térmica @300K: 3,2 ~ 4,9 W/cm.K.

Constantes dielétricas: e(11) = e(22) = 9.66, e(33) = 10.33.

Resistividade: 4H-SiC-N (0,015~0,028 Ω·cm); 6H-SiC-N (0,02~0,1 Ω·cm); 4H/6H-SiC-SI (>1E7 Ω·cm).

Embalagem: saco limpo classe 100, sala limpa classe 1000.

 

Aplicações:

com um diâmetro não superior a 50 mm,incluindo4H-N tipo SiCSubstrato e Semi-IsolamentoSubstrato de SiC, é uma ótima escolha para aqueles nos mercados de eletrônicos automotivos, dispositivos optoeletrônicos e aplicações industriais.Este material forte e resistente é a escolha ideal para uso em cenários industriais onde a estabilidade e a durabilidade são indispensáveis e tornou-se o preferido entre muitos utilizadores.

As propriedades das wafers de SiC, incluindo suas excelentes propriedades de semicondutores e resistência à temperatura superior, tornam-na uma escolha ideal para eletrônicos automotivos.Sua resistência à alta temperatura também a torna ideal para uso em alguns dispositivos optoeletrônicos que exigem desempenho extraordinário em vários ambientes de temperaturaFinalmente, a sua condutividade eléctrica e térmica superior tornam-na perfeita para aplicações industriais em locais como plantas químicas, centrais eléctricas, etc.

As propriedades superiores deWafer de SiCÉ uma ótima opção para eletrônicos automotivos, dispositivos optoeletrônicos e até aplicações industriais.Se procura um material superior com propriedades superiores, então a Wafer de Carbono de Silício é a escolha ideal para si.

 

Apoio e Serviços:

Wafer de carburo de silíciooferece uma variedade de suporte técnico e serviços para garantir que os nossos clientes tirem o máximo proveito do seu produto.

• Assistência técnica e solução de problemas
• Reparação e manutenção
• Ensaios e calibração do produto
• Projeto de soluções personalizadas
• Atualizações de software e firmware
• Formação e certificação

Embalagem e transporte:

Orifícios de carburo de silíciosão normalmente embalados numa embalagem fechada e à prova de umidade para os proteger das condições ambientais durante o transporte.Eles são geralmente enviados em uma caixa ou envelope com espuma ou bolha de envoltório para garantir que as bolachas estejam seguras durante o transporteO pacote deve também estar claramente rotulado com o nome, endereço e qualquer outra informação importante do cliente.

 

Perguntas frequentes:

P: O que é a Wafer de Carbono de Silício?

R: A wafer de carburo de silício é um tipo de material semicondutor feito de carburo de silício, que tem excelente resistência ao calor e condutividade térmica em comparação com outros materiais.

P: Qual é a marca da Wafer de Carbono de Silício?

A: O nome da marca da Wafer de Carbono de Silício é ZMSH.

P: Qual é o número de modelo da Wafer de Carbono de Silício?

R: O número de modelo da Wafer de Carbono de Silício é Carbono de Silício.

P: Onde é fabricada a Wafer de Carbono de Silício?

A: A Wafer de Carbono de Silício é fabricada na China.

P: Qual é a quantidade mínima de encomenda para a Wafer de Carbono de Silício?

R: A quantidade mínima de encomenda para a Wafer de Carbono de Silício é de 5.

P: Quanto tempo demora a entrega da Wafer de Carbono de Silício?

R: Demora 2 semanas para entregar a Wafer de Carbono de Silício.

P: Quais são os termos de pagamento para a Wafer de Carbono de Silício?

R: Os termos de pagamento para a Wafer de Carbono de Silício são 100% T/T.

P: Qual é a capacidade de fornecimento para a Wafer de Carbono de Silício?

R: A capacidade de abastecimento de Wafer de Carbono de Silício é de 100000.