Substratos de Nitreto de Gállio de Wafer de Semi-Isolamento GaN-Sulfato de Silício

Descrição de produto

Carcaça autônoma do GaN-Em-silicone de GaN Wafers das carcaças do nitreto do gálio queinsulta

Nós podemos oferecer carcaça de cristal do nitreto do gálio de 2 a 8 polegadas a única (GaN) ou a folha epitaxial, e a safira/silicone-baseou 2 a 8 polegadas GaN que as folhas epitaxial estão disponíveis.

O desenvolvimento rápido dos materiais do semicondutor da primeira e segunda geração representados pelo silicone (si) e pelo arsenieto de gálio (GaAs) promoveu o desenvolvimento rápido da tecnologia da microeletrônica e da ótica eletrónica. Contudo, devido às propriedades limitadas do material, a maioria dos dispositivos feitos destes materiais do semicondutor pode somente trabalhar no ambiente abaixo 200 do ° C, que não pode cumprir as exigências da tecnologia eletrônica moderna para a alta temperatura, a alta frequência, a alta pressão e dispositivos anti-irradiação.

O nitreto do gálio (GaN), como materiais do carboneto de silicone (sic), pertence à terceira geração de materiais do semicondutor com largura de diferença larga da faixa, com grande largura de diferença da faixa, condutibilidade térmica alta, taxa de migração alta da saturação do elétron, e características proeminentes altas do campo elétrico da divisão. Os dispositivos de GaN têm uma vasta gama de perspectivas da aplicação em campos da procura da alta frequência, da alta velocidade e do poder superior tais como a iluminação de poupança de energia do diodo emissor de luz, exposição da projeção do laser, veículos novos da energia, grade esperta, uma comunicação 5G.

Os materiais de terceira geração do semicondutor incluem principalmente sic, GaN, diamante, etc., porque sua largura de diferença da faixa (por exemplo) é superior ou igual a 2,3 volts de elétron (eV), igualmente conhecidos como materiais largos do semicondutor da diferença de faixa. Comparado com os materiais do semicondutor da primeira e segunda geração, os materiais do semicondutor da terceira geração têm as vantagens da condutibilidade térmica alta, campo elétrico da divisão alta, taxa de migração saturada alta do elétron, e a energia de ligamento alta, que pode cumprir as exigências novas da tecnologia eletrônica moderna para a resistência da alta temperatura, do poder superior, da alta pressão, da alta frequência e de radiação e outras circunstâncias ásperas. Tem perspectivas importantes da aplicação nos campos da defesa nacional, da aviação, do espaço aéreo, da exploração petrolífera, do armazenamento ótico, etc., e pode reduzir a perda de energia por mais de 50% em muitas indústrias estratégicas tais como comunicações de faixa larga, a energia solar, a fabricação do automóvel, a iluminação do semicondutor, e a grade esperta, e pode reduzir o volume do equipamento por mais de 75%, que é do significado do marco miliário para o desenvolvimento das ciências humanas e da tecnologia.

*Can seja personalizado de acordo com as exigências de cliente, estrutura diferente do silicone, safira, baseou sic a folha epitaxial de GaN

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Nós especializamo-nos em processar uma variedade de materiais em bolachas, em carcaças e em parts.components de vidro ótico custiomized amplamente utilizados na eletrônica, no sistema ótico, na ótica eletrónica e nos muitos outros campos. Nós temos trabalhado igualmente proximamente com muitos domésticos e as universidades, as instituições de pesquisa e as empresas ultramarinas, fornecem produtos e serviço personalizados para seus projetos do R&D.

É nossa visão a manter um bom relacionamento da cooperação com nossos todos os clientes por nossos bons reputatiaons.