• grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A
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grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A

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Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: zmkj
Certificação: ROHS
Número do modelo: bolacha da safira do portador da M-linha central da C-linha central

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 25pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: na caixa da bolacha da gaveta 25pcs sob o quarto desinfetado 100grade
Tempo de entrega: 2 semanas
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000PCS pelo mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: único cristal Al2O3 99,999% da safira orientação: C-AXIS/A-AXIS/M-AXIS/M-AXIS
Superfície: ssp ou dsp Espessura: 0.1mm 0.25mm 0.3mm 0.43mm 0.7mm 1.0mm
Aplicação: janelas da carcaça do portador Método do crescimento: KY
TTV: <3um> Tamanho: 2inch/4inch/6inch/8inch/12inch
Realçar:

única bolacha de cristal da safira

,

6inch Sapphire Wafer

,

C Miscut Sapphire Substrate

Descrição de produto

grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A

 

TTV<3um 4="">

Cristal de safira aproximadamente sintético

O processo de Kyropoulos (processo das KY) para o crescimento de cristal de safira é usado atualmente por muitas empresas em China para produzir a safira para as indústrias da eletrônica e do sistema ótico.
a Alto-pureza, o óxido de alumínio é derretida em um cadinho em mais de 2100 graus Célsio. O cadinho é feito tipicamente do tungstênio ou do molibdênio. Um cristal de semente precisamente orientado é mergulhado na alumina derretida. O cristal de semente é puxado lentamente para cima e pode ser girado simultaneamente. Precisamente controlando os inclinações de temperatura, taxa de puxar, e taxa de diminuição da temperatura, é possível produzir um grande, único-cristal, lingote aproximadamente cilíndrico do derretimento.
Após única a safira de cristal os boules são crescidos, núcleo-são furados nas hastes cilíndricas, as hastes são cortadas acima na espessura desejada da janela e lustradas finalmente ao revestimento de superfície desejado.

grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A 0

Uso como a carcaça para circuitos semiconducting
As bolachas finas da safira eram o primeiro uso bem sucedido de uma carcaça de isolamento em cima de que para depositar o silicone para fazer os circuitos integrados conhecidos como o silicone na safira ou no “SOS”, além de suas propriedades de isolamento elétricas excelentes, a safira tem a condutibilidade térmica alta. As microplaquetas do CMOS na safira são especialmente úteis para aplicações de alta potência da radiofrequência (RF) tais como aqueles encontrados em telefones celulares, em rádios da faixa da público-segurança, e em sistemas de comunicação satélite.
As bolachas da safira do único-cristal são usadas igualmente na indústria do semicondutor como carcaças para o crescimento dos dispositivos baseados no nitreto do gálio (GaN). O uso da safira reduz significativamente o custo, porque tem aproximadamente um sétimo do custo do germânio. O nitreto do gálio na safira é de uso geral nos diodos luminescentes azuis (diodo emissor de luz).


Usado como um material da janela
A safira sintética (referida às vezes como o vidro da safira) é de uso geral como um material da janela, porque é altamente transparente aos comprimentos de onda de uma luz entre 150 nanômetro (UV) e 5500 nanômetro (IR) (o espectro visível estende aproximadamente 380 nanômetro a 750 nanômetro, e extraordinariamente risco-resistente. Os benefícios chaves de janelas da safira são:
* faixa ótica muito larga da transmissão de UV a próximo-infravermelho
* significativamente mais fortes do que outras materiais óticos ou janelas de vidro
* altamente resistente ao risco e à abrasão (9 na escala de Mohs da escala mineral da dureza, à ó substância natural a mais dura ao lado do moissanite e aos diamantes)
* temperatura de derretimento extremamente alta (°C) 2030

grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A 1

Lista de CATALOGU & de Stcok

Bolacha padrão

bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas
Corte especial
bolachas da safira do Um-plano (1120)
bolachas da safira do R-plano (1102)
bolachas da safira do M-plano (1010)
bolachas da safira do N-plano (1123)
C-linha central com um offcut de 0.5°~ 4°, para a Um-linha central ou a M-linha central
A outra orientação personalizada
Tamanho personalizado
bolacha da safira de 10*10mm
bolacha da safira de 20*20mm
Bolacha ultra fina da safira (100um)
bolacha da safira de 8 polegadas
 
Sapphire Substrate modelada (PSS)
C-plano PSS de 2 polegadas
C-plano PSS de 4 polegadas
 
    
2inch

DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt

 

C-linha central 0.2/0.43mm de SSP

(DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm

 

 

3inch

C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP

 

 

4Inch

dsp   c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm

c-linha central 0.5mm/0.65mm/1.0mmt do ssp

 

 

6inch

c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp

 

c-linha central 0.65mm/0.8mm/1.0mmt do dsp

 

 

 

grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A 2grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A 3grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A 4grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A 5

 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em grau M Plane de 2inch 4inch 6inch Sapphire Wafer Substrate Single Crystal C Miscut A você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.