• pó abrasivo de carboneto de silicone de 4h-N 100um para SIC Crystal Growth
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pó abrasivo de carboneto de silicone de 4h-N 100um para SIC Crystal Growth

pó abrasivo de carboneto de silicone de 4h-N 100um para SIC Crystal Growth

Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: ZMKJ
Número do modelo: pó da pureza alta sic

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 10Kg
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 2-3weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1-50pcs/month
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: pó da pureza alta sic Pureza: 99,9995%
Tamanho de grão: 20-100um Aplicação: para o crescimento 4h-n sic de cristal
Tipo: 4h-n Resistividade: 0.015~0.028Ω
Cor: verde do chá pacote: 5kg/bag
Realçar:

pó abrasivo de carboneto de silicone 4h-N

,

pó abrasivo de carboneto de silicone 100um

,

Pó de SIC Crystal Growth

Descrição de produto

 

a pureza alta 99,9995% pulveriza sic para 4H-N e o crescimento 4h-semi sic de cristal un-lubrificado

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 
 

4 polegadas n-lubrificaram a bolacha do carboneto de silicone 4H sic

Aplicação de sic

Sic de cristal é um material largo-bandgap importante do semicondutor. Devido a sua condutibilidade térmica alta, taxa alta da tração do elétron, força de campo alta da divisão e propriedades físicas e químicas estáveis, é amplamente utilizado na alta temperatura, em dispositivos eletrónicos da alta frequência e do poder superior. Há mais de 200 tipos sic de cristais que têm sido descobertos até agora. Entre eles, os cristais 4H- e 6H-SiC foram fornecidos comercialmente. Todos pertencem ao grupo do ponto de 6mm e têm um efeito ótico não-linear da segundo-ordem. Semi-isolando sic cristais seja visível e médio. A faixa infravermelha tem um transmitância mais alto. Consequentemente, os dispositivos optoelectronic baseados sic em cristais são muito apropriados para aplicações em ambientes extremos tais como a alta temperatura e a alta pressão. o cristal 4H-SiC deisolamento foi provado ser um novo tipo do cristal ótico não-linear meados de-infravermelho. Comparado com os cristais óticos não-lineares meados de-infravermelhos de uso geral, sic o cristal tem uma diferença de faixa larga (3.2eV) devido ao cristal. , Condutibilidade térmica alta (490W/m·K) e grande energia bond (5eV) entre o SIC, de modo que sic o cristal tenha um ponto inicial de dano alto do laser. Consequentemente, o cristal 4H-SiC deisolamento como um cristal não-linear da conversão de frequência tem vantagens óbvias em outputting o laser meados de-infravermelho de alta potência. Assim, no campo de lasers de alta potência, sic de cristal está um cristal ótico não-linear com perspectivas largas da aplicação. Contudo, a pesquisa atual baseada nas propriedades não-lineares sic de cristais e de aplicações relativas não está ainda completa. Este trabalho toma as propriedades óticas não-lineares dos cristais 4H- e 6H-SiC como o índice principal da pesquisa, e aponta-as resolver sic alguns problemas básicos de cristais em termos das propriedades óticas não-lineares, para promover sic a aplicação de cristais no campo do sistema ótico não-linear. Uma série de trabalho relacionado foi realizada teoricamente e experimentalmente, e os resultados de pesquisa principais são como segue: Primeiramente, as propriedades óticas não-lineares básicas de cristais são estudadas sic. A refração variável da temperatura dos cristais 4H- e 6H-SiC nas faixas visíveis e meados de-infravermelhas (404.7nm~2325.4nm) foi testada, e a equação de Sellmier da temperatura variável R.I. foi cabida. A teoria modelo do único oscilador foi usada para calcular a dispersão do coeficiente thermo-ótico. Uma explicação teórica é dada; a influência do efeito thermo-ótico na harmonização de fase dos cristais 4H- e 6H-SiC é estudada. Os resultados mostram que a harmonização de fase dos cristais 4H-SiC não está afetada pela temperatura, quando os cristais 6H-SiC ainda não puderem conseguir a harmonização de fase da temperatura. circunstância. Além, o fator de duplicação da frequência de semi-isolar o cristal 4H-SiC foi testado pelo método da franja do fabricante. Em segundo, a geração do parâmetro do femtosegundo e o desempenho óticos da amplificação do cristal 4H-SiC são estudados. A harmonização de fase, a velocidade de grupo que combinam, o melhor ângulo não-collinear e melhor o comprimento de cristal do cristal 4H-SiC bombeados pelo laser do femtosegundo 800nm são analisados teoricamente. Usando o laser do femtosegundo com um comprimento de onda da saída 800nm pelo si: O laser da safira como a fonte da bomba, usando a tecnologia paramétrica ótica de duas fases da amplificação, usando um cristal 4H-SiC deisolamento 3.1mm grosso como um cristal ótico não-linear, sob a harmonização de fase de 90°, pela primeira vez, um laser meados de-infravermelho com um comprimento de onda do centro de 3750nm, uma única energia de pulso até 17μJ, e uma largura de pulso de 70fs foi obtido experimentalmente. O laser do femtosegundo 532nm é usado como a luz da bomba, e o sic de cristal é 90° fase-combinado para gerar a luz de sinal com um comprimento de onda do centro da saída de 603nm com os parâmetros óticos. Em terceiro lugar, o desempenho de alargamento espectral de semi-isolar 4H-SiC de cristal como um meio ótico não-linear é estudado. Os resultados experimentais mostram que a largura do metade-máximo dos aumentos alargados do espectro com o comprimento de cristal e o incidente da densidade de poder do laser no cristal. O aumento linear pode ser explicado pelo princípio de modulação da auto-fase, que é causada principalmente pela diferença do R.I. do cristal com a intensidade da luz de incidente. Ao mesmo tempo, analisa-se que na escala de tempo do femtosegundo, o R.I. não-linear sic do cristal pode principalmente ser atribuído aos elétrons encadernados no cristal e aos elétrons livres na faixa de condução; e a tecnologia da z-varredura é usada para estudar preliminarmente o sic de cristal sob o laser 532nm. Absorção não-linear e não

desempenho linear do R.I.

 

Propriedades unidade Silicone Sic GaN
Largura de Bandgap eV 1,12 3,26 3,41
Campo da divisão MV/cm 0,23 2,2 3,3
Mobilidade de elétron cm^2/Vs 1400 950 1500
Valocity da tração 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Condutibilidade térmica W/cmK 1,5 3,8 1,3

 

 

Sobre ZMKJ Empresa

 

ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Detalhe:

 

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  1. FAQ:
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  20. : Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.

 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
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